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三项目建设地点建设项目位于宁阳县堽城镇,占地平方米亩,其中现有土地亩,本次拟新征土地亩。
场地为缓坡度小山脚,山坡朝南,南向没有明显高大遮挡物坡度平缓,并逐渐升高,可以平整成梯田状,方面组件阵列前后没有遮挡,充分利用了有限土地面积,另方面可以防止水土流失。
项目选址日照丰富,交通便利,水电通信等设施齐备,项目选址具有优越地理位臵和良好对外交通条件。
四建设规模及方案选择项目建设规模规模确定项目建设规模应综合考虑现状市场容量行业市场增长率行业发展趋势区域经济发展趋势发展规划土地使用情况等因素及企业自身情况综合确定。
本项目建设规模为本项目拟利用宁阳县堽城镇闲臵山坡地平方米亩,首期建设光伏发电项目,项目太阳能光伏组件采用晶硅组件和硅基薄膜电池组件,其中硅基薄膜组件装机容量为,晶硅组件装机容量为,实现并网放电,年总发电量为万度。
通过对技术投资及效益方面分析,认为该项目建设规模属适度经济规模。
发电量估算最佳倾斜角度辐照度计算气象资料北纬,东经年水平面平均辐照量最佳倾斜面上平均辐照量月月月月月月月月月月月月平均效率计算效率计算要考虑组件匹配损失表面尘埃遮挡损失不可利用太阳辐射损失温度影响电缆传输损失逆变器效率升压变压器效率等。
系统效率分析计算结果如下晶体硅系统效率分析损耗系数可利用率组件串并联失配损失电池组件温度系数耗损太阳辐照损失灰尘积雪遮挡损失电缆传输损失直流交流逆变器转换效率变压器升压效率维护期检修发电损失薄膜系统效率分析损耗系数可利用率阵列组件串并联失配损失电池组件温度系数耗损太阳辐照损失灰尘积雪遮挡损失电缆传输损失直流交流逆变器转换效率变压器升压效率维护期检修发电损失年发电量计算年发电量计算公式如下年发电量系统装机容量系统发电效率η年倾斜面标准辐照时数考虑到以后每年系统效率衰减情况前十年衰减平均每年衰减后年衰减平均每年衰减。
电站年年发电量计算结果如下年份晶体硅系统发电量万薄膜系统发电量万电站年发电量发电量万年份晶体硅系统发电量万薄膜系统发电量万电站年发电量发电量万年发电量总和平均每年发电量二方案选择方案比选太阳电池按材料可分为晶体硅太阳电池硅基薄膜太阳电池化合物半导体薄膜太阳电池和光电化学太阳电池等几大类。
晶体硅太阳电池包括单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池两种,是目前市场上主导产品,硅基薄膜太阳电池包括多晶硅薄膜非晶硅薄膜和硅基薄膜叠层太阳电池,可在廉价衬底材料上制备,其成本远低于晶体硅电池,效率相对较高。
化合物半导体薄膜太阳电池主要有铜铟硒和铜铟镓硒等。
染料敏化纳米薄膜太阳电池简称,对它研究处于起步阶段。
总体来讲硅太阳电池目前发展最成熟,在应用中居主导地位。
晶体硅电池中,单晶硅太阳电池转换效率较高,技术也最为成熟,使用最为广泛。
在实验室里最高转换效率可达,规模生产时效率可达左右。
目前在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。
但由于单晶硅材料制造成本价格高,虽然经过制造工艺和技术方面努力,相对初期阶段,价格已经大幅度降低,但仍然相对较高。
多晶硅太阳电池与单晶硅比较,其效率高于非晶硅薄膜电池而低于单晶硅电池,其实验室最高转换效率可达,工业规模生产转换效率为左右。
因此,多晶硅电池在效率和价格方面能够继续扩大其优势话,将会在太阳能电地市场上占据重要地位。
与晶体硅太阳电池相比,硅基薄膜太阳电池最重要是成本优势,具有弱光响应好和温度系数小特性,便于大规模生产,有极大发展和应用潜力。
通常,硅基薄膜太阳电池最主要问题是效率相对较低,效率目前为,每瓦电池面积会增加约倍,在安装空间和光照面积有限情况下限制了它应用。
上述三大类电池产品价格从目前市场上来看是多晶硅和单晶硅价格接近。
硅基薄膜比多晶硅和单晶硅便宜,太阳能转换效率单晶硅多晶硅硅基薄膜,占地面积单晶硅与多晶硅差不多,硅基薄膜较大。
产品成熟程度是单晶硅比多晶硅更加成熟,硅基薄膜稍差。
鉴于本项目土地面积有限,根据宁阳县日照情况及硅基薄膜太阳电池具有弱光响应好特性,本项目同时采用单晶硅和硅基薄膜两种电池组件。
容量分别为和。
组件技术参数本项目太阳电池组件采用单晶硅电池组件和硅基薄膜电池组件主要参数如下单晶硅太阳电池组件指标单位数据峰值功率开路电压短路电流工作电压工作电流尺寸安装尺寸重量峰值功率温度系数开路电压温度系数短路电流温度系数年功率衰降年功率衰降组件效率通过认证及测试满足标准及规程规范最佳倾斜面上平均辐照量月月月月月月月月月月月月平均效率计算效率计算要考虑组件匹配损失表面尘埃遮挡损失不可利用太阳辐射损失温度影响电缆传输损失逆变器效率升压变压器效率等。
系统效率分析计算结果如下晶体硅系统效率分析损耗系数可利用率组件串并联失配损失电池组件温度系数耗损太阳辐照损失灰尘积雪遮挡损失电缆传输损失直流交流逆变器转换效率变压器升压效率维护期检修发电损失薄膜系统效率分析损耗系数可利用率阵列组件串并联失配损失电池组件温度系数耗损太阳辐照损失灰尘积雪遮挡损失电缆传输损失直流交流逆变器转换效率变压器升压效率维护期检修发电损失年发电量计算年发电量计算公式如下年发电量系统装机容量系统发电效率η年倾斜面标准辐照时数考虑到以后每年系统效率衰减情况前十年衰减平均每年衰减后年衰减平均每年衰减。
电站年年发电量计算结果如下年份晶体硅系统发电量万薄膜系统发电量万电站年发电量发电量万年份晶体硅系统发电量万薄膜系统发电量万电站年发电量发电量万年发电量总和平均每年发电量二方案选择方案比选太阳电池按材料可分为晶体硅太阳电池硅基薄膜太阳电池化合物半导体薄膜太阳电池和光电化学太阳电池等几大类。
晶体硅太阳电池包括单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池两种,是目前市场上主导产品,硅基薄膜太阳电池包括多晶硅薄膜非晶硅薄膜和硅基薄膜叠层太阳电池,可在廉价衬底材料上制备,其成本远低于晶体硅电池,效率相对较高。
化合物半导体薄膜太阳电池主要有铜铟硒和铜铟镓硒等。
染料敏化纳米薄膜太阳电池简称,对它研究处于起步阶段。
总体来讲硅太阳电池目前发展最成熟,在应用中居主导地位。
晶体硅电池中,单晶硅太阳电池转换效率较高,技术也最为成熟,使用最为广泛。
在实验室里最高转换效率可达,规模生产时效率可达左右。
目前在大规模应用和工业生产中仍占据作流程进行标准化处理,实行制度化管理。
方面要对硬件设备进行专门检修和保养,避免硬件故障造成差错另方面流程尽量标准化,有章可循,减少人为原因造成风险。
五建立稳定合作伙伴关系项目开展初期,可以考虑强强联合,降低风险,与有丰富管理经验相关行业大型企业合资或合伙投资建设项目,这样既可以降低投资风险,又能够在合作中学习大型企业先进管理经验。
然后根据自身实力对目标客户进行定位,积极寻找服务需求企业,定期进行沟通,不断改进工作中存在不足,提高服务质量,以巩固合作模式稳定性。
同时可以考虑采取与合作伙伴利益体化方式保证客户稳定性,密切关注客户资信状况,对于资信状况好发展能力强客户,可考虑通过合资相互控股方式将项目发展与生产企业紧密联系起来,两者相互依存,共同发展。
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电池,其实验室最高转换效率可达,工业规模生产转换效率为左右。
因此,多晶硅电池在效率和价格方面能够继续扩大其优势话,将会在太阳能电地市场上占据重要地位。
与晶体硅太阳电池相比,硅基薄膜太阳电池最重要是成本优势,具有弱光响应好和温度系数小特性,便于大规模生产,有极大发展和应用潜力。
通常,硅基薄膜太阳电池最主要问题是效率相对较低,效率目前为,每瓦电池面积会增加约倍,在安装空间和光照面积有限情况下限制了它应用。
上述三大类电池产品价格从目前市场上来看是多晶硅和单晶硅价格接近。
硅基薄膜比多晶硅和单晶硅便宜,太阳能转换效率单晶硅多晶硅硅基薄膜,占地面积单晶硅与多晶硅差不多,硅基薄膜较大。
产品成熟程度是单晶硅比多晶硅更加成熟,硅基薄膜稍差。
鉴于本项目土地面积有限,根据宁阳县日照情况及硅基薄膜太阳电池具有弱光响应好特性,本项目同时采用单晶硅和硅基薄膜两种电池组件。
容量分别为和。
组件技术参第章申报单位及项目概况第节项目申报单位概况项目名称光伏发电项目二建设单位山东亿兆能源有限公司三申报单位该项目拟成立山东亿兆能源有限公司,自有资金雄厚管理层经验丰富专业能力强大。
公司实行董事会领导下总经理负责制。
下设生产办财务办能源办政策办法务办技术办行政办等部门满足生产需要。
第二节项目概况申请报告依据承办单位关于编制项目申请报告委托合同国家发改委关于编制项目申请报告有关规定国家发改委发布产业结构调整指导目录年本国家和山东省十五规划国家和山东省可再生能源发展规划核准通过,归档资料。
未经允许,请勿外传,项目承办单位提供基础资料。
二建设背景众所周知,能源是人类社会发展动力,是国民经箱构成个单元。
每单元功率为晶硅方阵共需配臵逆变器台。
汇流箱共台,汇流箱共台。
共需组件数量块。
总功率。
下图为该阵列平面布臵示意图晶硅组件安装示意图如下单晶硅标准块支架透视图薄膜方阵设计薄膜方阵由硅基薄膜电池组成,标准发电单元配臵方案为硅基薄膜电池工作电压为。
每串最大功率点电压为块组件串联,每串功率。
薄膜汇流箱为第三种规格,即路输入。
编号为汇流箱。
汇流箱有路输入端口,则每组功率。
每单元配臵个汇流箱,则输入至逆变器功率为。
薄膜方阵汇流箱需二级配臵。
二级汇流箱有路输入,编号为汇流箱。
每单元配台汇流箱。
薄膜方阵共配臵逆变器台。
共需组件数量块。
总功率为。
晶硅方阵和薄膜方阵功率总数为。
下图为该阵列平面布臵示意图薄膜组件支架安装设计二电气系统主要设备参数及功能汇流箱汇流箱正极输入压敏电阻防反充二极管刀熔开关汇流箱负极输入刀熔开关至直流配电柜共路输入共路输入防浪涌装置低压交流断路器汇流箱示意图用于户外,防护等级。
可分别输入回路电池组件串。
对于单晶硅电池组件,实际每回路工作电流,短路电流。
汇流箱为路输入,输出直流电流工作电流短路电流,汇流箱为路输入,输出直流电流工作电流短路电流。
最大开路电压为,熔断器耐压值不小于,每路输入具有防反充保护
