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硅片工业目前在生产与市场方面已经形成了垄断,日本德国等国资本控制八大硅片公司销量占硅片总销量,当前用主流硅片是英寸,并向英寸过渡。
市场调研预测,到年,英寸硅片比例将由目前增加到。
在和太阳能发电等领域对硅单晶巨大需求和消费,对其生产能力对生产技术提出了更高要求。
其中生产高纯半导体材料高温电热真空炉硅单晶生长炉正在向大型化自动化方向发展。
硅单晶生长炉隔热保温筒坩埚发热体等热场系统元件采用高纯石墨超高纯石墨材料制造,产品要求材料金属杂质含量要求不超过。
同时硅单晶生长炉最主要易损件消耗量特别大。
根据权威部门统计,台小型晶体生长炉如英寸每年消耗石墨坩埚加热器保温隔热材料价值,达到万元以上台大型晶体生长炉热场系统备件损耗,可达万元以上。
由于生产大型高纯石墨超高纯石墨材料工艺控制难,需要大型等静压设备等,其投资极大。
因此,高纯石墨尺寸受到限制,经常不能满足制造较大硅单晶生长炉热场零件要求另外,石墨脆性大,机械强度不高,使用可靠性不强,使用寿命短。
本项目提出炭炭复合材料单晶生长热场系统零件材料及热场解决方案,经过实践验证,对解决以上问题起到了很好效果。
实施本案对发展大型硅单晶生长设备,制造大尺寸晶体,提升我国微电子技术水平具有极为重大意义。
项目拟建地点本项目拟建于国家级经济技术开发区内。
国家级经济技术开发区创建于年月,年月经国务院批准为国家级经济技术开发区。
建区年多来,开发区坚持以工业项目为主吸引外资为主出口为主和致力于发展高新技术方针,强调以产业发展为中心,走产业兴区之路,通过卓有成效招商引资工作,目前入区工业企业家,其中三资企业家,内资企业家,入区企业基本上实现了由单个到群体转变,区内产业也正由零散向集成转变。
到目前为止,区内共完成基本建设投资亿元,移动土石方近亿立方米,完成亿元人民币基础设施投资任务,各项建设工作都取得了十分显著成绩。
目前,区内主次干道已拉通条,总长公里座大型跨线桥已经竣工通车已经完成公里,架设铁塔座三回超高压线路改道工程,个千伏变电站已经投入使用,目前区内日供电能力已经达到万千瓦时座日供水万吨自来水厂已经投入运行日处理能力万吨污水净化中心已经正式营业装机容量为万门程控大楼,现已开通门程控电话和高速宽带通讯网,实现了与个国家和地区通信联网投资多万元电视发射塔已经正式投入使用。
目前,经济技术开发区已经形成了以为主体先进制造工业,以为主体电万元人项目占地亩项目总投资万元固定资产投资万元流动资金投资万元年平均销售收入万元年平均税金万元年平均利润万元平均投资利润率平均投资利税率财务评价指标财务净现值万元内部收益率投资回收期年建设工期年三研究结论建设炭炭复合材料单晶生长热场系统项目,能促进经济技术开发区及整个市工业发展,加快地方产业结构调整,增加人民收入同时可拓宽就业渠道,保持项目区社会经济可持续健康快速发展。
本项目建设符合国家产业政策,符合国家投资方向,当地政府大力支持,建设条件具备,工程技术方案切实可行,市场前景广阔,经济效益良好,社会效益明显,项目建设是必要也是可行。
第二章市场预测产品市场供应预测国内供需现状国内现有生产硅单晶设备余台,近年来,每年递增台左右。
目前设备主要拉制从〞至〞,少量为〞晶棒。
由于单炉投料量仅为几十公斤,因此,多采用高纯石墨制造坩埚,而这些高纯石墨多为进口冷等静压石墨。
英寸热系统隔热保温套,则多为进口件。
相当部分较大型进口设备,其热系统完全依靠进口。
复合材料热场系统研究组,为满足半导体工业要求,与西安理工大学单硅晶基地有研硅股等单位合作,对复合材料热场系统进行试验和使用。
在西安用复合材料制作坩埚及加热器,装在加有横向磁场上,使用情况很好。
国外发展现状年东芝陶瓷申请美国专利介绍用二维纤维织物绕制作成单晶生长炉坩埚坯体,浸渍树脂后碳化制成坩埚。
随后,在年美国等用三维复合材料制造了单晶生长炉用坩埚埚帮埚托发热体隔热屏及支撑块等等人制备高纯复合材料,制造硅单晶生长炉热场零部件,通过系列高温处理,金属杂质含量控制到很低程度。
年,等采用复合材料在硅单晶生长炉底部设置个容积等于坩埚容积环槽,在硅单晶生长炉出现意外漏硅时,可以防止其他热场零件受到损伤。
东洋炭素,等国外厂商在其产品介绍中,也提到复合材料制造单硅晶生长炉坩埚发热体等产品。
其中提到个别产品已经投入使用,大多数则仍处于研究阶段。
二产品目标市场分析目标市场确定超高纯及晶体结构完整硅晶圆是半导体工业中制作芯片基础材料。
集成电路出现及发展,使人类步入了微电子时代。
随着微电子元件尺寸小型化管芯面积大型化与集成度日益提高,硅单晶生长技术装备面临新挑战。
为改变我国集成电路用关键基础材料技术水平低品种不配套产业化规模小关键基础材料依赖进口局面,国家科技部设立了微电子配套材料专项,选择英寸硅单晶抛光制备技术研究作为首次研究任务,并要求英寸硅单晶抛光片形成小批量生产能力,达到集成电路技术要求。
实施该项目第个要解决是英寸硅单晶生长技术与装备问题,大尺寸热场系统关键元件设计制造技术,也迫切需要解决。
本项目产品销售市场主要集中在长江三角洲珠江三角洲环渤海地区等电子产业发达地区,上述地区客户对本案提出方案有浓厚兴趣。
主要竞争对手情况硅单晶炉热场市场目前主要由两部分组成炭炭复合材料制件市场由日本东洋炭素东海吴羽化工等家占领而高纯石墨件这部分,则是主要由国内些厂家进口日本东洋炭素公司石墨加工而成。
国内现在有几家在上大尺寸高纯石墨项目。
同时,从近年复合材料热场零件试用过程中,许多原来制造石墨件厂家也准备生产与炭炭复合材料相似产品。
国内还没有生产当今世界上主流产品英寸硅单晶设备,国内设备只用来生产英寸硅棒。
而且该设备使用坩埚保温隔热件等整个热场系统依靠进口。
国外大型硅单晶生长设备热场系统均由国外厂家产品配套,其中吴羽公司产品市场占有率最高。
中国欧美市场几乎全部为其所垄断。
但是,在硅行业迅猛发展今天,其生产能力有限,市场空缺较大。
迅速实现硅单晶生长炉热场国产化,对发展我国产业意义极大。
项目市场优势由于国外公司控制了该类产品市场,产品价格奇高。
所以,与国外对手相比较,本项目产品有较大价格优势。
同时,由于经济技术开发区有限公司拥有自主知识产权,通过前期产品研究开发,掌握了对生产主要设备技术要求及各项具体措施,摸索出了材料制备主要工艺过程及相关技术参数,已先步于国内竞争对手生产出了满足工业应用要求产品。
在技术上领先于国内对手对于国际上竞争对手,通过努力控制生产成本,在价格上也应当具有优势。
通过大量多方位工业性试验,了解了市场需求和使用要求及其细节,减少了盲目性,降低了风险通过试验和使用与使用方有较多沟通,与客户建立了良好关系。
三总体营销思路根据产品目标市场定位产品定位及竞争力研究结论,在市场营销战略上,应注意两个方面是建立完善销售及售后服务网络,由销售工程师针对客户使用和信息进行调研,以满足向高附加值产品发展要求。
二是在产品质量无较大差距情况下,价格就成为高度敏感因素,为提高产品竞争力,要发挥低成本策略作用,充分利用自身优势,发展稳定而灵活销售机制。
本项目产品价格制定,原则上以国外同等质量相同产品价格为基础,较之低。
第三章建设用地规模与产品方案建设用地规模确定项目建设规模遵循基本原则合理经济规模市场容量企业本身资金资源原材料以单位交换意见,在认真调查和分析资料基础上编制了炭炭复合材料单晶生长热场系统项目可行性研究报告。
项目背景项目名称项目名称炭炭复合材料单晶生长热场系统项目项目建设单位有限公司项目建设规模为炭炭复合材料吨年,碳石墨材料吨年项目建设选址国家级开发区承办单位概况项目公司名称有限公司成立时间年月日注册资本人民币万注册地址企业登记注册类型有限公司属股份制企业,由实业集团教授共同出资成立。
其中,教授以其拥有居国际先进水平专利技术作技术出资。
生产基地位于开发区内,占地亩,花园式工业区,是实业集团下属单位。
主要从事新材料开发及生产。
系大学粉末冶金学院教授博士生导师,教授领导科研队伍在该领域居于国际领先地位。
公司以教授拥有专利知识产权技术和雄厚研发实力为依托,通过整合人才技术与市场优势,构筑新材料基地。
公司计划投资万元人民币,建设炭炭复合材料吨年炭石墨材料吨年生产线,实现年工业产值亿元人民币以上。
并且公司计划以此为产业基础,通过年时间,使公司产品能够覆盖国内大部分或全部硅单晶生长炉热场系统,逐步进入国外硅单晶炉热场系统市场努力开发新产品,扩大该新材料应有领域,使其应有到其他晶体生长设备及相关高技术领域。
可行性研究报告编制依据国家省市国民经济和社会发展第十个五年计划经济技术开发区产业发展规划国家计委建设部颁布建设工程项目经济评价方法与参数其他文件协议等。
项目提出理由与过程当今世界新材料发展日新月异,特别是电子通讯等相关领域发展迅猛,对硅材料需求十分旺盛。
数十年以来,硅材料行业直以提高硅单晶尺寸和质量为主要目标,先后生产了英寸硅片。
据最新国家半导体技术介绍,直径英寸硅单晶抛光片是英寸下代产品,也是未来线宽集成电路衬底材料。
集成电路产业是信息产业核心,全世界以集成电路为核心电子元器件,以上是硅材料制成,其中直拉硅单晶用量超过。
随着超大规模集成电路集成度迅速提高,迫切要求采用大直径直拉硅单晶抛光片。
超纯及完整晶体结构硅晶体是条长长价值链起点。
没有硅晶体就没有半导体光电子通讯技术及光电技术。
硅晶体棒用于制作晶圆,晶圆是半导体工业中制作芯片基础材料。
硅材料另个大需求来自太阳能。
从长远看,世界上半以上能源生产要采用可再生能源。
可再生资源主要有风水太阳能。
太阳能直接转换成电能光电效应靠太阳能电池完成。
电池原材料是带特定晶体结构硅。
专家预测在今后十年,结晶硅将在太阳能电池生产中成为在最主要材
