某某公司大功率led节能照明产业化项目立项可行性分析.doc_中文版高速下载

另外，对于封装白光 用的荧光粉，国内也有十几家企业正在研究和生产，已大量用 于白光封装，大连路明则开发了有自主产权的硅酸盐荧光粉。

另外，我国还开发了具有自主知识产权的蓝光激发红光和绿光的氮化 物荧光粉，可由三基色组成白光，其效果很好。

技术标准制定取得进展 国内近几年在制定半导体照明技术标准方面也取得了较大进展。

原信息产业部半导体照明技术标准工作组全国照明电器标准技术委 员会以及相关部委的标准化组织已经制定和正在制定半导体照明技 术的基础标准方法标准及产品标准约项。

国家半导体照明工程 研发及产业联盟的标准协海大晨 上海宇体深圳世纪晶源深圳奥伦德扬州华夏集成廊坊清芯 甘肃新天电武汉迪源西安中为广州普光东莞福地，以及外资 企业武汉华灿厦门晶宇厦门明达和晋江晶蓝等共计多家企业， 已实现产业化。

国内外延生长和芯片制造的主要企业有厦门三安大连路 美上海蓝光上海蓝宝华光士兰明芯江西晶能光电 河北同辉沈阳方大厦门乾照江西联创南昌欣磊上，做成白光的发光效率超过，并研制出 四元系红光功率器件，发光效率约。

南昌大学 研制出具有自主知识产权的在衬底上生长，并做出蓝绿 芯片，剥离共晶焊接电极表面粗化和光子晶体等等，提 高内量子效率和外量子效率，均取得很好的研究成果。

另外，我国已 研发出深紫外发光二极管，还研发出的 蓝光芯片明研发中心等。

在外延生长芯片制造方面开展多项 研究并取得成果，如在不同衬底上外延 生长材料有图形化衬底外延非极性或半极性外延衬底转 移激光和产业化。

主要研究机构有北大清华南昌大学北京工大 大学南京大学华南师范大学厦门大学深圳大学中南理 工大学，中科院半导体所物理所，中电所所以及新成立的 中科院半导体照度芯片和器件的增长十分迅 速。

外延及芯片技术取得突破 的核心技术是的外延生长和芯片制造技术，近几年政 府和相关研究机构对此高度重视，投入了大量资金和人力加以研究 开发多家。

行业就业人员约十几万人另有统计估 算为万万人，从原材料外延生长芯片制造器件封装到 应用产品和配套材料设备仪器，已形成较完善的产业链。

近几年， 我国芯片和器件，尤其是高亮计和测算，再参 考国内相关机构提供的数据，年全国从事的企业有 多家，其中从事外延生长芯片制造研究和生产的单位有多家， 器件封装企业约家，其中有定规模的封装企业约家。

应用产品和配套企业有较完善的产业链，备受世界各国及国际大公司的重视。

我国也紧跟世 界前沿技术，加快研发和产业化工作，已经具备了定的产业基础。

我国产业链初步成型 根据中国光学光电子行业协会光电器件分会的统现状 从上世纪高亮度发红橙黄光的四元系产品和发蓝 绿紫光的基产品问世以来，经过十几年的努力，高亮度 已经进入功能性照明领域，并将逐步进入普通照明领域，目前已形成 部等相关政府部门共同支持，出台国家半导体照 明工程计划。

建立产业化基地，推动我国产业的健康发展， 预计年，中国产业产值将超过亿元。

第二节项目建设的必要性 我国发展和种鼓励外商投资的电子产品 和技术之，重点予以发展。

随着政策的扶持和资金技术的到位， 国内厂家大有可为。

为此，我国专项成立了国家半导体照明委员会，由科技部发 改委工信部建设打下坚 实的基础，随着应用领域的持续扩增，必将带动产业整体持续成长， 产业未来仍将是业界关注的焦点。

为了适应市场对需求的快速增长，我国已将作为 项国家鼓励发展的电子产品之用越来越广 泛，特别是国家半导体照明工程的正式启动，标志着中国高亮度 产业进入加速发展的新阶段，为产业发展提供了良好的契 机。

只有加快产品的推广应用，才能给产业的发展，作为新的经济增长点，工信部将努力为产业立法营造良 好的政策环境，同时在鼓励技术创新扩大产业规模加强应用开发 三个方面予以大力推动。

我国在发光二极管技术方面不断取得突破，应每年就可以 节电约亿，基本上相当于个三峡电站的年发电量，对缓 解我国日益严峻的能源危机，电力紧缺将起到巨大的积极作用。

根据国内外市场需求的预测，我国照明电器行业的高速增长还将 继续，每年就可以 节电约亿，基本上相当于个三峡电站的年发电量，对缓 解我国日益严峻的能源危机，电力紧缺将起到巨大的积极作用。

根据国内外市场需求的预测，我国照明电器行业的高速增长还将 继续，作为新的经济增长点，工信部将努力为产业立法营造良 好的政策环境，同时在鼓励技术创新扩大产业规模加强应用开发 三个方面予以大力推动。

我国在发光二极管技术方面不断取得突破，应用越来越广 泛，特别是国家半导体照明工程的正式启动，标志着中国高亮度 产业进入加速发展的新阶段，为产业发展提供了良好的契 机。

只有加快产品的推广应用，才能给产业的发展打下坚 实的基础，随着应用领域的持续扩增，必将带动产业整体持续成长， 产业未来仍将是业界关注的焦点。

为了适应市场对需求的快速增长，我国已将作为 项国家鼓励发展的电子产品之和种鼓励外商投资的电子产品 和技术之，重点予以发展。

随着政策的扶持和资金技术的到位， 国内厂家大有可为。

为此，我国专项成立了国家半导体照明委员会，由科技部发 改委工信部建设部等相关政府部门共同支持，出台国家半导体照 明工程计划。

建立产业化基地，推动我国产业的健康发展， 预计年，中国产业产值将超过亿元。

第二节项目建设的必要性 我国发展现状 从上世纪高亮度发红橙黄光的四元系产品和发蓝 绿紫光的基产品问世以来，经过十几年的努力，高亮度 已经进入功能性照明领域，并将逐步进入普通照明领域，目前已形成 较完善的产业链，备受世界各国及国际大公司的重视。

我国也紧跟世 界前沿技术，加快研发和产业化工作，已经具备了定的产业基础。

我国产业链初步成型 根据中国光学光电子行业协会光电器件分会的统计和测算，再参 考国内相关机构提供的数据，年全国从事的企业有 多家，其中从事外延生长芯片制造研究和生产的单位有多家， 器件封装企业约家，其中有定规模的封装企业约家。

应用产品和配套企业有多家。

行业就业人员约十几万人另有统计估 算为万万人，从原材料外延生长芯片制造器件封装到 应用产品和配套材料设备仪器，已形成较完善的产业链。

近几年， 我国芯片和器件，尤其是高亮度芯片和器件的增长十分迅 速。

外延及芯片技术取得突破 的核心技术是的外延生长和芯片制造技术，近几年政 府和相关研究机构对此高度重视，投入了大量资金和人力加以研究 开发和产业化。

主要研究机构有北大清华南昌大学北京工大 大学南京大学华南师范大学厦门大学深圳大学中南理 工大学，中科院半导体所物理所，中电所所以及新成立的 中科院半导体照明研发中心等。

在外延生长芯片制造方面开展多项 研究并取得成果，如在不同衬底上外延 生长材料有图形化衬底外延非极性或半极性外延衬底转 移激光剥离共晶焊接电极表面粗化和光子晶体等等，提 高内量子效率和外量子效率，均取得很好的研究成果。

另外，我国已 研发出深紫外发光二极管，还研发出的 蓝光芯片，做成白光的发光效率超过，并研制出 四元系红光功率器件，发光效率约。

南昌大学 研制出具有自主知识产权的在衬底上生长，并做出蓝绿 芯片，已实现产业化。

国内外延生长和芯片制造的主要企业有厦门三安大连路 美上海蓝光上海蓝宝华光士兰明芯江西晶能光电 河北同辉沈阳方大厦门乾照江西联创南昌欣磊上海大晨 上海宇体深圳世纪晶源深圳奥伦德扬州华夏集成廊坊清芯 甘肃新天电武汉迪源西安中为广州普光东莞福地，以及外资 企业武汉华灿厦门晶宇厦门明达和晋江晶蓝等共计多家企业， 这些企业在芯片结构和工艺改进方面做了大量的工作，在提高产品性 能成品率工艺重复性提高抗光衰能力和可靠性等方面均取得较 大成果，保障了芯片的批量生产。

年国内生产高亮度芯片超过 亿只，增长率为，其中蓝绿芯片约为亿只，增长率为 。

器件封装及配套能力突出 国内封装企业的特点是规模小数量多，约家， 具有定规的核心技术是的外延生长和芯片制造技术，近几年政 府和相关研究机构对此高度重视，投入了大量资金和人力加以研究 开发和产业化。

主要研究机构有北大清华南昌大学北京工大 大学南京大学华南师范大学厦门大学深圳大学中南理 工大学，中科院半导体所物理所，中电所所以及新成立的 中科院半导体照明研发中心等。

在外延生长芯片制造方面开展多项 研究并取得成果，如在不同衬底上外延 生长材料有图形化衬底外延非极性或半极性外延衬底转 移激光剥离共晶焊接电极表面粗化和光子晶体等等，提 高内量子效率和外量子效率，均取得很好的研究成果。

另外，我国已 研发出深紫外发光二极管，还研发出的 蓝光芯片，做成白光的发光效率超过，并研制出 四元系红光功率器件，发光效率约。

南昌大学 研制出具有自主知识产权的在衬底上生长，并做出蓝绿 芯片，已实现产业化。

国内外延生长和芯片制造的主要企业有厦门三安大连路 美上海蓝光上海蓝宝华光士兰明芯江西晶能光电 河北同辉沈阳方大厦门乾照江西联创南昌欣磊上海大晨 上海宇体深圳世纪晶源深圳奥伦德扬州华夏集成廊坊清芯 甘肃新天电武汉迪源西安中为广州普光东莞福地，以及外资 企业武汉华灿厦门晶宇厦门明达和晋江晶蓝等共计多家企业， 这些企业在芯片结构和工艺改进方面做了大量的工作，在提高产品性