25爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书.doc免费在线阅读

爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 二项目建设的背景 电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸高均匀性高完整 性以及薄膜化多功能化和集成化方向发展爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书当前的研究热点和技 术前沿包括柔性晶体管光子晶体等宽禁带半导体 材料为代表的第三代半导体材料有机显示材料以及各种纳米电子材 料等爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 随着电子学向光电子学光子学迈进，微电子材料在未来 年仍是最基本的信息材料爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书电子光电子功能单晶将向着大尺寸高 均匀性晶格高完整性以及元器件向薄膜化多功能化片式化超 高集成度和低能耗方向发展爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书半导体微电子材料由单片集成向系统集 成发展爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增 加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发 展爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 等半导体单晶材料向着大尺寸高均质 晶格高完整性方向发展爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书椎英吋硅芯片是目前国际的主流产品，椎 英吋专门研究半导体的公司爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书九十年代初，美国 国防部和能源部都把集成电路列为重点项目，要求到年在武 器系统中要广泛使用器件和集成电路，从此开始了有关材料 和器件的系统研宽禁带氮化镓材料国外对的研究早在五十年代末和六十 年代初就已开始了爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航 局与北卡罗来纳州大学签订了开发材料和器件的合同，并促成了 在年建立长和英寸的半 绝缘砷化镓也在日本研制成功爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书磷化铟具有比砷化镓更优越 的高频性能，发展的速度更快，但研制直径英寸以上大直径的磷化 铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 晶材料 产量和市场需求快速增加，已占据以上的市场份额爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书研制和小批 量生产水平达到英寸爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径英寸的 发展很快，英寸厘米长及英寸厘米是世界 最大的砷化镓生产和销售商，年产单晶爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书美国公司是世 界最大的材料生产商爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书世界单晶主要生产商情况见表 爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书国际上砷化镓市场需求以英寸单晶材料为主，而英寸单成数十亿美元的大市场，预计 未来年砷化镓市场都具有高增长性爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书日本是最大的生产国和输出 国，占世界市场的美国在年成功地建成了条英寸 砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先步爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书日本住友电工制备出英寸大直径单 晶爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书其中以低位错密度的方法生长的英寸的导电砷化镓衬底 材料为主爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷 化镓晶片市场以的年增长率迅速形化镓晶体的方法是传 统的法液封直拉法和法水平舟生产法爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书国外开发了兼具以 上种方法优点的法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法 和法蒸气压控制直拉法，成功特点，在超高 速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电 集成方面占有独特的优势爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过吨日本年的 砷化镓单晶的生产量为吨爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书用于大量生产砷，因此，国际大公司都在发展 英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量的 左右爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直 接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等中以日本的 硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 在集成电路用硅片中，英寸的硅片占主流，约，英 寸的硅片占爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书当硅片的直径从英寸到英寸时，每片硅片的 芯片数增加倍，成本约降低性企业，日 本德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的以上，其 中信越瓦克和四家的销售额占世界硅片销售额的 以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其路和中小功率 器件爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流 二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书单晶硅和多晶硅应用最广爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断西门 子法和硅烷热分解法爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备 单晶硅以及太阳能电池等爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书生长单晶硅的工艺可分为区熔和直拉 两种爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路电 子工业和信息技术的发展爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 半导体硅材料分为多晶硅单晶硅硅外延片以及非晶硅浇注 多晶硅淀积和溅射非晶硅等爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书现行多晶硅生产工艺主要有改良年的速度增长爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书目前 全世界每年消耗约吨半导体级多晶硅，消耗 吨单晶硅，硅片销售金额约亿美元爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书可以说在未来年 内，硅材料仍将是工业最基础和最重要的功能材料爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书电子工业的 发展历史章项目提出的背景及建设的必要性 第节项目提出的背景 半导体材料现状 世界半导体材料现状 半导体硅材料半导体硅材料自从年代被广泛应用于各类 电子元器件以来，其用量平均大约以每年章项目提出的背景及建设的必要性 第节项目提出的背景 半导体材料现状 世界半导体材料现状 半导体硅材料半导体硅材料自从年代被广泛应用于各类 电子元器件以来，其用量平均大约以每年的速度增长爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书目前 全世界每年消耗约吨半导体级多晶硅，消耗 吨单晶硅，硅片销售金额约亿美元爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书可以说在未来年 内，硅材料仍将是工业最基础和最重要的功能材料爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书电子工业的 发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路电 子工业和信息技术的发展爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 半导体硅材料分为多晶硅单晶硅硅外延片以及非晶硅浇注 多晶硅淀积和溅射非晶硅等爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书现行多晶硅生产工艺主要有改良西门 子法和硅烷热分解法爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备 单晶硅以及太阳能电池等爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书生长单晶硅的工艺可分为区熔和直拉 两种爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率 器件爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流 二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书单晶硅和多晶硅应用最广爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日 本德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的以上，其 中信越瓦克和四家的销售额占世界硅片销售额的 以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的 硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 在集成电路用硅片中，英寸的硅片占主流，约，英 寸的硅片占爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书当硅片的直径从英寸到英寸时，每片硅片的 芯片数增加倍，成本约降低，因此，国际大公司都在发展 英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量的 左右爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直 接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高 速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电 集成方面占有独特的优势爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过吨日本年的 砷化镓单晶的生产量为吨爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书用于大量生产砷化镓晶体的方法是传 统的法液封直拉法和法水平舟生产法爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书国外开发了兼具以 上种方法优点的法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法 和法蒸气压控制直拉法，成功制备出英寸大直径单 晶爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书其中以低位错密度的方法生长的英寸的导电砷化镓衬底 材料为主爱和科技半导体材料项目可行性研究建议报告书 移动电话用电子器件和光