34（晶硅）新增480MW晶硅太阳能电池及组件项目可行性投资立项报告3@免费在线阅读

采用新型节能型变压器，在主要耗能设备上和节能技术的运用重点中又采用了钝化技术为代表的高效晶体硅太阳能电池产业化生产技术，组合新型表面织构发射极选择性扩散双层减反射膜精细电极电极共烧结吸杂背场浮动结及单晶硅晶界钝化吸杂等关键技术形成的高效晶体硅太阳能电池生产工艺。

在烧结炉和空调系统中采用变频技术。

该项目采用的节能新设备新工艺新技术有节能型系列变压器节能环保型制绒机在线式及周边结腐蚀台高温扩散氧化系统太阳能减反射膜制造设备快速烧结炉采用钝化发射区太阳能电池工艺精细电极技术氮化硅减反射膜技术酸式晶体硅表面织构处理技术在线式化学法太阳能电池周边结去除技术吸杂技术选择性发射极技术备注补液柜电池半自动化流水线组件层压机组件装框机组件自动打胶机组件切割机组件打包机组件组件测试仪组件工装夹具组件电脑及扫描枪组件交联度测试系统组件热成像仪组件焊带浸泡机组件意大利丝网印刷机及分类检测设备德国快速烧结炉美国自动上下料设备韩国组件功率测试仪德国合计表国产设备清单序号设备名称规格型号台套功率名称规格型号台套功率备注制绒机德国在线式及周边结腐蚀台德国高温扩散氧化系统荷兰太阳能减反射膜制造设备德国丝网印刷机及分类检测设备效应好的工艺设备。

晶硅电池生产工艺设备主要引自德国荷兰美国意大利的世界流的组合生产线，设备生产能力和技术指标能够保证生产要求组件生产设备和辅助生产系统设备为国内设备。

表进口设备清单序号设备电性能相同的组件归类在起，方便客户使用。

四设备方案本项目新增工艺设备台套，其中进口设备台套，国产设备台套。

在保证产品质量和生产能力以及研究发展的前提下，选择性能价格比高生产效率高环保节能够实现对太阳能进行收集转换和有电能输出的装臵。

测试在条件下，光强平米利用人造模拟太阳光对组件的电性能进行测试，得出组件的等值。

分类将外观和在下使固化，形成稳定可靠的绝缘防水保护层。

铝边框打胶和装框层压件经割边和固化后，装入已打好硅胶的铝边框上，形成电池组件。

装配和接线电池组件接上安装有旁路二极管和引线的接线盒，最终形成个能接线盒包装入库组件性能测试成电池组，然后在电池组上再铺层和保护背板，做成层叠件。

将层叠件放入层压机内，在下进行抽气压制，用热熔胶使电池组与玻璃背板紧密地结合在起，形成层压件。

固化镀有无铅焊锡的高纯度铜带将电池片进行电气连接。

层叠和层压串焊接后的几组电池片并排臵于铺好热熔胶的玻璃上，将这几组电池串用焊带汇流条再串联起来，形层压机层压电池分选层压敷设电池焊接装铝边框上，作为太阳电池电流的引出通道。

烧结该工序通过高温合金的过程，使印刷上的金属电极与硅片连接更牢固。

组件主要生产工艺太阳能组件生产的工艺流程如图。

图太阳能组件制备工艺流程主要工艺特点串焊采用件反射膜可增加太阳电池的短路电流达，是实现多晶硅电池转化效率超过的关键技术之。

此过程的典型的化学反应为↑丝网印刷该工序是通过丝网印刷机将银浆或铝浆等导电材料印刷在硅片在电池的结表面上沉积氮化硅材料，是在的温度下通过化学反应产生的过程。

这层薄膜既对电池前表面起到钝化保护作用，又产生很好的减反射效果。

表面钝化可提高太阳电池的开路电压，表面专利技术可提高太阳电池的开路电压和的绝对转换效率的提高。

去是对刻蚀后硅片上的磷硅玻璃用氢氟酸清洗的方法进行清除，这两道工序是在同台设备完成的。

等离子化学气相沉积采用项目采用自主研发的专利技术生产装备，利用的混合溶液对硅片边缘及背面进行腐蚀，去除硅片边缘的结，达到电池前后表面电绝缘的目的，同时腐蚀掉背面的结和绒面，对背面具有良好的钝化效果，此炉中的气泡带入法，在下，在硅片表面发生反应生成磷源，在高温下，磷原子扩散到硅片表面形成型薄层，原硅片则为结。

此过程的典型反应为↑。

边缘刻蚀与去磷硅玻璃本的硅片表面损伤层去除，同时形成具有良好减反射效果的绒面。

扩散磷扩散是在硅片表层掺入磷原子的过程。

此过程形成光伏电池的核心结。

本工艺采用通入氧气和氮气氮气作为载体将液态扩散源带入闭管磷扩散清洗。

制绒晶硅太阳电池的制绒工艺是在硅片表面形成微米量级的微结构如金字塔和多孔硅等。

本项目采用自主研发的专利技术和生产装备，使用硝酸和氢氟酸为主的化学腐蚀液，利用硝酸的强氧化性将硅片切割过程中产生的清洗。

制绒晶硅太阳电池的制绒工艺是在硅片表面形成微米量级的微结构如金字塔和多孔硅等。

本项目采用自主研发的专利技术和生产装备，使用硝酸和氢氟酸为主的化学腐蚀液，利用硝酸的强氧化性将硅片切割过程中产生的硅片表面损伤层去除，同时形成具有良好减反射效果的绒面。

扩散磷扩散是在硅片表层掺入磷原子的过程。

此过程形成光伏电池的核心结。

本工艺采用通入氧气和氮气氮气作为载体将液态扩散源带入闭管磷扩散炉中的气泡带入法，在下，在硅片表面发生反应生成磷源，在高温下，磷原子扩散到硅片表面形成型薄层，原硅片则为结。

此过程的典型反应为↑。

边缘刻蚀与去磷硅玻璃本项目采用自主研发的专利技术生产装备，利用的混合溶液对硅片边缘及背面进行腐蚀，去除硅片边缘的结，达到电池前后表面电绝缘的目的，同时腐蚀掉背面的结和绒面，对背面具有良好的钝化效果，此专利技术可提高太阳电池的开路电压和的绝对转换效率的提高。

去是对刻蚀后硅片上的磷硅玻璃用氢氟酸清洗的方法进行清除，这两道工序是在同台设备完成的。

等离子化学气相沉积采用在电池的结表面上沉积氮化硅材料，是在的温度下通过化学反应产生的过程。

这层薄膜既对电池前表面起到钝化保护作用，又产生很好的减反射效果。

表面钝化可提高太阳电池的开路电压，表面件反射膜可增加太阳电池的短路电流达，是实现多晶硅电池转化效率超过的关键技术之。

此过程的典型的化学反应为↑丝网印刷该工序是通过丝网印刷机将银浆或铝浆等导电材料印刷在硅片上，作为太阳电池电流的引出通道。

烧结该工序通过高温合金的过程，使印刷上的金属电极与硅片连接更牢固。

组件主要生产工艺太阳能组件生产的工艺流程如图。

图太阳能组件制备工艺流程主要工艺特点串焊采用镀有无铅焊锡的高纯度铜带将电池片进行电气连接。

层叠和层压串焊接后的几组电池片并排臵于铺好热熔胶的玻璃上，将这几组电池串用焊带汇流条再串联起来，形层压机层压电池分选层压敷设电池焊接装铝边框接线盒包装入库组件性能测试成电池组，然后在电池组上再铺层和保护背板，做成层叠件。

将层叠件放入层压机内，在下进行抽气压制，用热熔胶使电池组与玻璃背板紧密地结合在起，形成层压件。

固化在下使固化，形成稳定可靠的绝缘防水保护层。

铝边框打胶和装框层压件经割边和固化后，装入已打好硅胶的铝边框上，形成电池组件。

装配和接线电池组件接上安装有旁路二极管和引线的接线盒，最终形成个能够实现对太阳能进行收集转换和有电能输出的装臵。

测试在条件下，光强平米利用人造模拟太阳光对组件的电性能进行测试，得出组件的等值。

分类将外观和电性能相同的组件归类在起，方便客户使用。

四设备方案本项目新增工艺设备台套，其中进口设备台套，国产设备台套。

在保证产品质量和生产能力以及研究发展的前提下，选择性能价格比高生产效率高环保节能效应好的工艺设备。

晶硅电池生产工艺设备主要引自德国荷兰美国意大利的世界流的组合生产线，设备生产能力和技术指标能够保证生产要求组件生产设备和辅助生产系统设备为国内设备。

表进口设备清单序号设备名称规格型号台套功率备注制绒机德国在线式及周边结腐蚀台德国高温扩散氧化系统荷兰太阳能减反射膜制造设备德国丝网印刷机及分类检测设备意大利丝网印刷机及分类检测设备德国快速烧结炉美国自动上下料设备韩国组件功率测试仪德国合计表国产设备清单序号设备名称规格型号台套功率备注补液柜电池半自动化流水线组件层压机组件装框机组件自动打胶机组件切割机组件打包机组件组件测试仪组件工装夹具组件电脑及扫描枪组件交联度测试系统组件热成像仪组件焊带浸泡机组件绝缘耐压测试仪组件空调机组电池组件废气塔电池空压机电池纯水系统电池气体系统电池工艺次设备电池工装夹具电池杂质浓度分布测试仪电池光谱响应仪电池电阻率测试仪电池显微镜电池椭偏仪电池合计五配套工程方案采暖空调净化通风空调净化空调系统生产厂房内工作间为级及级乱流洁净室。

采用新风空调系统及循环空调系统的形式。

新风空调系统为补偿排风和保持正压以及满足工作人员的新风需要，洁净区送有定量的新风。

洁净室采用新风机组。

新风经过集中处理后，送入循环空调机组。

新风空调机组由以下部分组成初效过滤段预加热段预冷盘管再冷盘管再热盘管蒸汽加湿段送风机段中效过滤段等。

循环空调系统为满足净化间温度湿度及洁净度要求，设臵自循环风机系统。

处理后的新风与回风混合，经制冷器处理降温后，由风机送到末端高效送风口进入生产区回风经回风管回到循环空调机组。

该项目净化空调系统气流组织形式为上送下侧回。

舒适性空调系统该项目办公区采用新风风机盘管空调系统，非净化车间舒适性空调系统由组合式空调系统组成。

为满足非净化房间温度湿度要求，设臵组合式空调系统。

新风与回风混合，经处理后，由风机送到末端散流器送入生产区回风经回风管回到空调机组。

组合式空调机组由以下部分组成新风回风混合段初效过滤段冷盘管热盘管蒸汽加湿段送风机段中效过滤段等通风在生产过程中，为了满足生产要求和达标排放，工艺设备局部排风带有不同浓度的酸废气，对含有酸性气迅速受到重视，该工艺采用通入氧气和氮气氮气作为载体将液态扩散源带入闭管磷扩散炉中的气泡带入法，在下，在硅片表面发生反应生成磷源，在高温下，磷原子扩散到硅片表面形成型薄层，原硅片则为结。

六在线式化学法太阳能电池周边结去除技术传统等离子刻蚀周边结工艺采用硅片堆砌压紧的方式以保护扩散正面结，在电池基片面积增大。

厚度减薄后，在工艺过程中及硅片转换过程中易导致破片，同时等离子刻蚀在去除周边结的