TOP18爱和科技半导体材料项目投资立项计划书.doc文档免费在线阅读

据统计，年我国半导体硅材料的销售额达亿元，年均增长。

单晶硅产量为，抛光片产量万平方英寸，主要规格为英寸，英寸正片已供应集成电路企业，英寸主要用作陪片。

单晶硅出口比重大，出口额为万美元，占总销售额的，较年增长了等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。

三继经典半导体的同质结异质结之后，基于量子阱量子线量子点的器件设计制造和集成技术在未来年间，将在信息材料和元器件制造中占据主导地位，分子束外延和金属有机化合物化学汽相外延技术将得到进步发展和更加广泛的应用。

四高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到和级以上，以上的杂质颗粒必须控制在个毫升以下，金属杂质含量控制在级，并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。

第二节项目建设的必要性符合国家产业政策国家发展和改革委员会以号器件和集成电路的快速发展。

由于器件的优势和实际需求，它已经显示出良好的应用前景。

航空航天冶炼以及深井勘探等许多领域中的电子系统需要工作在高温环境中，这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类政府与西屋西子公司合作，投资万美元开了英寸纯度均匀低缺陷的单晶和外延材料。

另外，制造器件的工艺如离子注入氧化欧姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了列为重点项目，要求到年在武器系统中要广泛使用器件和集成电路，从此开始了有关材料和器件的系统研究，并取得了令人鼓舞的进展。

即目前为止，直径具有良好性能的半绝缘和掺杂材料已经商品化。

美国了。

到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发材料和器件的合同，并促成了在年建立专门研究半导体的公司。

九十年代初，美国国防部和能源部都把集成电路。

磷化铟具有比砷化镓更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径英寸以上大直径的磷化铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。

宽禁带氮化镓材料国外对的研究早在五十年代末和六十年代初就已开始上的市场份额。

研制和小批量生产水平达到英寸。

近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径英寸的发展很快，英寸厘米长及英寸厘米长和英寸的半绝缘砷化镓也在日本研制成功商，年产单晶。

美国公司是世界最大的材料生产商。

世界单晶主要生产商情况见表。

国际上砷化镓市场需求以英寸单晶材料为主，而英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据以的大市场，预计未来年砷化镓市场都具有高增长性。

日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的美国在年成功地建成了条英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先步。

日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售成功制备出英寸大直径单晶。

其中以低位错密度的方法生长的英寸的导电砷化镓衬底材料为主。

移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以的年增长率迅速形成数十亿美元。

用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的法液封直拉法和法水平舟生产法。

国外开发了兼具以上种方法优点的法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法和法蒸气压控制直拉法，饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过吨日本年的砷化镓单晶的生产量为吨寸到英寸时，每片硅片的芯片数增加倍，成本约降低，因此，国际大公司都在发展英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量的左右。

砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，具有电子硅片销售额的以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。

在集成电路用硅片中，英寸的硅片占主流，约，英寸的硅片占。

当硅片的直径从英晶体管等。

单晶硅和多晶硅应用最广。

经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日本德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的以上，其中信越瓦克和四家的销售额占世界硅的工艺可分为区熔和直拉两种。

其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。

区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率材料分为多晶硅单晶硅硅外延片以及非晶硅浇注多晶硅淀积和溅射非晶硅等。

现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。

主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。

生长单晶硅，硅片销售金额约亿美元。

可以说在未来年内，硅材料仍将是工业最基础和最重要的功能材料。

电子工业的发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路电子工业和信息技术的发展。

半导体硅材硅，硅片销售金额约亿美元。

可以说在未来年内，硅材料仍将是工业最基础和最重要的功能材料。

电子工业的发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路电子工业和信息技术的发展。

半导体硅材料分为多晶硅单晶硅硅外延片以及非晶硅浇注多晶硅淀积和溅射非晶硅等。

现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。

主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。

生长单晶硅的工艺可分为区熔和直拉两种。

其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。

区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。

单晶硅和多晶硅应用最广。

经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日本德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的以上，其中信越瓦克和四家的销售额占世界硅片销售额的以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。

在集成电路用硅片中，英寸的硅片占主流，约，英寸的硅片占。

当硅片的直径从英寸到英寸时，每片硅片的芯片数增加倍，成本约降低，因此，国际大公司都在发展英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量的左右。

砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过吨日本年的砷化镓单晶的生产量为吨。

用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的法液封直拉法和法水平舟生产法。

国外开发了兼具以上种方法优点的法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法和法蒸气压控制直拉法，成功制备出英寸大直径单晶。

其中以低位错密度的方法生长的英寸的导电砷化镓衬底材料为主。

移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来年砷化镓市场都具有高增长性。

日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的美国在年成功地建成了条英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先步。

日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产单晶。

美国公司是世界最大的材料生产商。

世界单晶主要生产商情况见表。

国际上砷化镓市场需求以英寸单晶材料为主，而英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据以上的市场份额。

研制和小批量生产水平达到英寸。

近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径英寸的发展很快，英寸厘米长及英寸厘米长和英寸的半绝缘砷化镓也在日本研制成功。

磷化铟具有比砷化镓更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径英寸以上大直径的磷化铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。

宽禁带氮化镓材料国外对的研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。

到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发材料和器件的合同，并促成了在年建立专门研究半导体的公司。

九十年代初，美国国防部和能源部都把集成电路列为重点项目，要求到年在武器系统中要广泛使用器件和集成电路，从此开始了有关材料和器件的系统研究，并取得了令人鼓舞的进展。

即目前为止，直径具有良好性能的半绝缘和掺杂材料已经商品化。

美国政府与西屋西子公司合作，投资万美元开了英寸纯度均匀低缺陷的单晶和外延材料。

另外，制造器件的工艺如离子注入氧化欧姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了器件和集成电路的快速发展。

由于器件的优势和实际需求，它已经显示出良好的应用前景。

航空航天冶炼以及深井勘探等许多领域中的电子系统需要工作在高温环境中，这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类器件都显示良好的温度性能。

具有较大的禁带宽度，使得基于这种材料制成的器件和电路可以满足在到条件下工作的需要，目前有些研究水平已经达到的工作温度，并正在研究更高的工作温度的器件和集成电路。

二我国半导体材料现状中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大的进展，先后研制和生产了英寸英寸英寸英寸和英寸硅片。

随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求的增加，中国单晶硅产量逐年增加。

据统计，年我国半导体硅材料的销售额达亿元，年均增长。

单晶硅产量为，抛光片产量万平方英寸，主要规格为英寸，英寸正片已供应集成电路企业，英寸主要用作陪片。

单晶硅出口比重大，出口额为万美元，占总销售额的，较年增长了等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。

三继经典半导体的同质结异质结之后，基于量子阱量子线量子点的器件设计制造和集成技术在未来年间，将在信息材料和元器件制造中占据主导地位，分子束外延和金属有机化合物化学汽相外延技术将得到进步发展和更加广泛的应用。

四高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到和级以上，以上的杂质颗粒必须控制在个毫升以下，金属杂质含量控制在级，并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。

第二节项目建设的必要性符合国家产业政策国家发展和改革委员会以号令发布实施了产业结构调整指导目录年本，本项目生产产品为半导体材料，符合第类鼓励类，第二十四条信息产业，第款电子专用材料