每克的融体中掺杂的重量。生长过程中，当已生长晶体的重量为时此步骤获得冶金级硅，纯度，然后与反应沸点度，分馏提纯，得到电子级抛光研磨切割抛光从原料到磨光晶片的制造流程现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延法生长单晶硅起始材料高纯度的硅砂与不同形式的炭煤焦炭木片放入炉中，产生反应生长，获得高质量的衬底材料另外种时“外延生长”，即在单晶衬底上生长另层单晶半导体同质或异质材料。起始材料多晶半导体单晶晶片，蒸馏与还原合成晶体生长晶体生长研磨切割现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长与外延对分立器件而言，最重要的半导体是硅和砷化镓。本小节主要讨论这两种半导体单晶最常用的技术。种是单晶素材料有极大的不同。可以用“相图”来描述。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延砷化镓晶体的生长技术起始材料砷化镓的起始材料是以物理特性和化学特性均很纯的砷和镓元素和合成的多晶砷化镓。因为砷化镓是由两种材料所组成，所以它的性质和硅这种单元到大面积芯片，对均与度要求较高。采用中子辐照工艺。中子此过程中部分硅嬗变成为磷而得到型掺杂的硅现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件因此，如果很小，则除了在最后凝固的尾端外，在整个距离中几乎维持定值。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延对些开关器件而言，如高压可控硅。必须用体生长和外延如果需要的是掺杂而非提纯时，掺杂剂引入第个熔区中，且初始浓度小到几乎可以忽略，由前面的积分式可得因为，从上式可得因为，因此现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶量。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延从积分式可得或移动距离，前进端增加的掺杂数量为，然而从再结晶出所移除的掺杂剂数量为，因此有而且是当带的前进端形成时的掺杂剂数时，留在融体中的掺杂外延杂质浓度为，是熔融带沿着方向的长度，是晶棒的截面积，是硅的密度，式熔融带中所存在的掺杂剂总量。当此带半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延融体的初始重量为，初始掺杂浓度为每克的融体中掺杂的重量。生长过程中，当已生长晶体的重量为拉出来的，混合在晶体中固态的掺杂浓度通常和在界面出的融体液体中的是不同的，此两种状态下的掺杂浓度的比例定义为平衡分凝系数和分别是在固态和液体界面附近的平衡掺杂浓度。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延直拉法现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延掺杂物质的分布由于晶体是从融体中冶金级硅，纯度，然后与反应沸点度，分馏提纯，得到电子级硅现代半冶金级硅，纯度，然后与反应沸点度，分馏提纯，得到电子级硅现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延直拉法现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延掺杂物质的分布由于晶体是从融体中拉出来的，混合在晶体中固态的掺杂浓度通常和在界面出的融体液体中的是不同的，此两种状态下的掺杂浓度的比例定义为平衡分凝系数和分别是在固态和液体界面附近的平衡掺杂浓度。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延融体的初始重量为，初始掺杂浓度为每克的融体中掺杂的重量。生长过程中，当已生长晶体的重量为时，留在融体中的掺杂外延杂质浓度为，是熔融带沿着方向的长度，是晶棒的截面积，是硅的密度，式熔融带中所存在的掺杂剂总量。当此带移动距离，前进端增加的掺杂数量为，然而从再结晶出所移除的掺杂剂数量为，因此有而且是当带的前进端形成时的掺杂剂数量。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延从积分式可得或因为，因此现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延如果需要的是掺杂而非提纯时，掺杂剂引入第个熔区中，且初始浓度小到几乎可以忽略，由前面的积分式可得因为，从上式可得因此，如果很小，则除了在最后凝固的尾端外，在整个距离中几乎维持定值。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延对些开关器件而言，如高压可控硅。必须用到大面积芯片，对均与度要求较高。采用中子辐照工艺。中子此过程中部分硅嬗变成为磷而得到型掺杂的硅现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延砷化镓晶体的生长技术起始材料砷化镓的起始材料是以物理特性和化学特性均很纯的砷和镓元素和合成的多晶砷化镓。因为砷化镓是由两种材料所组成，所以它的性质和硅这种单元素材料有极大的不同。可以用“相图”来描述。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长与外延对分立器件而言，最重要的半导体是硅和砷化镓。本小节主要讨论这两种半导体单晶最常用的技术。种是单晶生长，获得高质量的衬底材料另外种时“外延生长”，即在单晶衬底上生长另层单晶半导体同质或异质材料。起始材料多晶半导体单晶晶片，蒸馏与还原合成晶体生长晶体生长研磨切割抛光研磨切割抛光从原料到磨光晶片的制造流程现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延法生长单晶硅起始材料高纯度的硅砂与不同形式的炭煤焦炭木片放入炉中，产生反应此步骤获得冶金级硅，纯度，然后与反应沸点度，分馏提纯，得到电子级硅现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延直拉法现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延掺杂物质的分布由于晶体是从融体中拉出来的，混合在晶体中固态的掺杂浓度通常和在界面出的融体液体中的是不同的，此两种状态下的掺杂浓度的比例定义为平衡分凝系数和分别是在固态和液体界面附近的平衡掺杂浓度。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延融体的初始重量为，初始掺杂浓度为每克的融体中掺杂的重量。生长过程中，当已生长晶体的重量为时半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延直拉法现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延掺杂物质的分布由于晶体是从融体中半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延融体的初始重量为，初始掺杂浓度为每克的融体中掺杂的重量。生长过程中，当已生长晶体的重量为移动距离，前进端增加的掺杂数量为，然而从再结晶出所移除的掺杂剂数量为，因此有而且是当带的前进端形成时的掺杂剂数因为，因此现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶因此，如果很小，则除了在最后凝固的尾端外，在整个距离中几乎维持定值。现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延对些开关器件而言，如高压可控硅。必须用物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延砷化镓晶体的生长技术起始材料砷化镓的起始材料是以物理特性和化学特性均很纯的砷和镓元素和合成的多晶砷化镓。因为砷化镓是由两种材料所组成，所以它的性质和硅这种单元现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延晶体生长与外延对分立器件而言，最重要的半导体是硅和砷化镓。本小节主要讨论这两种半导体单晶最常用的技术。种是单晶抛光研磨切割抛光从原料到磨光晶片的制造流程现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学晶体生长和外延法生长单晶硅起始材料高纯度的硅砂与不同形式的炭煤焦炭木片放入炉中，产生反应每克的融体中掺杂的重量。生长过程中，当已生长晶体的重量为时