TOP21第1-2章 自关断器件-精品课件（PPT）.ppt文档免费在线阅读

当时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通当时，不能维持饱和导通而关断同是种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小元，这些元的阴极和门极则在器件内部并联在起各单元的阴极门极间隔排列的图形并联单元结构断面示意图符号管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用典型全控型器件电力电子技术的结构和工作原理结构与普通晶闸管的相同点四层半导体结构，外部引出阳极阴极和门极和普通晶闸管的不的通路，加快关断速度。

起逆导作用。

电力电子技术可关断晶闸管门极可关断晶闸管晶闸管的种派生器件可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断的电压电流容量较大，与普通晶闸由最高电压集电极最大电流最大耗散功率二次击穿临界线限定电力电子技术二重达林顿复合管三重达林顿复合管电力晶体管模块分流电阻，用来减小的影响。

提供反向次击穿次击穿发生时增大到个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变电力电子技术安全工作区工作温度电力电子技术四的二次击穿现象与安全工作区次击穿集电极电压升高至击穿电压时，迅速增大，出现雪崩击穿只要不超过限度，般不会损坏，工作特性也不变电力电子技术二降到规定值的时所对应的实际使用时要留有裕量，只能用到的半或稍多点集电极最大耗散功率最高工作温度下允许的耗散功率产品说明书中给时同时给出壳温，间接表示了最高穿电压反偏时，间的反向击穿电压短路时，间的反向击穿电压间接电阻时，间的反向击穿电压开路时，间的反向击穿电压电力电子技术集电极最大允许电流通常规定为下仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比低得多开路时，间的反向击及电流放大倍数直流电流增益集射极间漏电流集射极间饱和压降开通时间和关断时间此外还有最高工作电压上电压超过规定值时会发生击穿击穿电压不储存时间，使等效，从而加快关断速度减小饱和深度会使间的饱和压降增加，增大通态损耗的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和都短很多电力电子技术三的极限运行参数前已述承受能力强。

电力电子技术二的开关特性开通过程与普通晶闸管类似，需经过延迟时间和上升时间电力电子技术关断过程与普通晶闸管有所不同抽取饱和导通时储存的大量载流子极抽出电流，则减小，使和减小，的减小又使和减小，又进步减小的基极电流。

当和的减小使时，器件退出饱和而关断。

多元集成结构还使比普通晶闸管开通过程快，使元阴极面积很小，门阴极间距大为缩短，使得基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流电力电子技术导通过程与普通晶闸管样，只是导通时饱和程度较浅关断过程强烈正反馈门极加负脉冲即从门有如下区别设计较大，使晶体管控制灵敏，易于关断导通时更接近，普通晶闸管导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大多元集成结构使有如下区别设计较大，使晶体管控制灵敏，易于关断导通时更接近，普通晶闸管导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大多元集成结构使元阴极面积很小，门阴极间距大为缩短，使得基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流电力电子技术导通过程与普通晶闸管样，只是导通时饱和程度较浅关断过程强烈正反馈门极加负脉冲即从门极抽出电流，则减小，使和减小，的减小又使和减小，又进步减小的基极电流。

当和的减小使时，器件退出饱和而关断。

多元集成结构还使比普通晶闸管开通过程快，承受能力强。

电力电子技术二的开关特性开通过程与普通晶闸管类似，需经过延迟时间和上升时间电力电子技术关断过程与普通晶闸管有所不同抽取饱和导通时储存的大量载流子储存时间，使等效，从而加快关断速度减小饱和深度会使间的饱和压降增加，增大通态损耗的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和都短很多电力电子技术三的极限运行参数前已述及电流放大倍数直流电流增益集射极间漏电流集射极间饱和压降开通时间和关断时间此外还有最高工作电压上电压超过规定值时会发生击穿击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比低得多开路时，间的反向击穿电压反偏时，间的反向击穿电压短路时，间的反向击穿电压间接电阻时，间的反向击穿电压开路时，间的反向击穿电压电力电子技术集电极最大允许电流通常规定为下降到规定值的时所对应的实际使用时要留有裕量，只能用到的半或稍多点集电极最大耗散功率最高工作温度下允许的耗散功率产品说明书中给时同时给出壳温，间接表示了最高工作温度电力电子技术四的二次击穿现象与安全工作区次击穿集电极电压升高至击穿电压时，迅速增大，出现雪崩击穿只要不超过限度，般不会损坏，工作特性也不变电力电子技术二次击穿次击穿发生时增大到个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变电力电子技术安全工作区由最高电压集电极最大电流最大耗散功率二次击穿临界线限定电力电子技术二重达林顿复合管三重达林顿复合管电力晶体管模块分流电阻，用来减小的影响。

提供反向的通路，加快关断速度。

起逆导作用。

电力电子技术可关断晶闸管门极可关断晶闸管晶闸管的种派生器件可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断的电压电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用典型全控型器件电力电子技术的结构和工作原理结构与普通晶闸管的相同点四层半导体结构，外部引出阳极阴极和门极和普通晶闸管的不同是种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小元，这些元的阴极和门极则在器件内部并联在起各单元的阴极门极间隔排列的图形并联单元结构断面示意图符号电力电子技术工作原理与普通晶闸管样，可以用图示的双晶体管模型来分析是器件临界导通的条件。

当时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通当时，不能维持饱和导通而关断电力电子技术能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别设计较大，使晶体管控制灵敏，易于关断导通时更接近，普通晶闸管导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大多元集成结构使元阴极面积很小，门阴极间距大为缩短，使得基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流电力电子技术导通过程与普通晶闸管样，只是导通时饱和程度较浅关断过程强烈正反馈门极加负脉冲即从门极抽出电流，则减小，使和减小，的减小又使和减小，又进步减小的基极电流。

当和的减小使时，器件退出饱和而关断。

多元集成结构还使比普通晶闸管开通过程快，承受能力强。

电力电子技术二的开关特性开通过程与普通晶闸管类似，需经过延迟时间和上升时间电力电子技术关断过程与普通晶闸管有所不同抽取饱和导通时储存的大量载流子储使元阴极面积很小，门阴极间距大为缩短，使得基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流电力电子技术导通过程与普通晶闸管样，只是导通时饱和程度较浅关断过程强烈正反馈门极加负脉冲即从门承受能力强。

电力电子技术二的开关特性开通过程与普通晶闸管类似，需经过延迟时间和上升时间电力电子技术关断过程与普通晶闸管有所不同抽取饱和导通时储存的大量载流子及电流放大倍数直流电流增益集射极间漏电流集射极间饱和压降开通时间和关断时间此外还有最高工作电压上电压超过规定值时会发生击穿击穿电压不穿电压反偏时，间的反向击穿电压短路时，间的反向击穿电压间接电阻时，间的反向击穿电压开路时，间的反向击穿电压电力电子技术集电极最大允许电流通常规定为下工作温度电力电子技术四的二次击穿现象与安全工作区次击穿集电极电压升高至击穿电压时，迅速增大，出现雪崩击穿只要不超过限度，般不会损坏，工作特性也不变电力电子技术二由最高电压集电极最大电流最大耗散功率二次击穿临界线限定电力电子技术二重达林顿复合管三重达林顿复合管电力晶体管模块分流电阻，用来减小的影响。

提供反向管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用典型全控型器件电力电子技术的结构和工作原理结构与普通晶闸管的相同点四层半导体结构，外部引出阳极阴极和门极和普通晶闸管的不电力电子技术工作原理与普通晶闸管样，可以用图示的双晶体管模型来分析是器件临界导通的条件。

当时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通当时，不能维持饱和导通而关断