TOP25第1章 半导体二极管与整流电路-精品课件（PPT）.ppt文档免费在线阅读

第章半导体二极管与整流电路主要内容•半导体及其导电机理载流子及其分类•结及其单向导电性正偏与反偏•二极管及其伏安特性•二极管应用整流限幅检波等•特殊二极管稳压二极管光敏二极管发光二极管半导体的基础知识导体容易导电的物体，金属般都是导体。

绝缘体不容易导电的物体。

如橡皮陶瓷塑料和石英。

半导体室温时电阻率约在之间。

导电特性处于导体和绝缘体之间，并有负的电阻温度系数的物质，如锗硅砷化镓和些硫化物氧化物等。

年考尼白格和维斯首次使用这名词。

不同于其它物质，所以它具有不同的特点。

例如热敏性和光敏性当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。

例如热敏电阻光敏电阻。

掺杂性往纯净的半导体中掺入些杂质，会使它的导电能力明显改变。

例如纯硅掺杂百万分之硼，电阻率从大约到半导体的导电机理本征半导体的结构特点现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子价电子都是四个。

本征半导体完全纯净的结构完限幅保护等等。

下面介绍两个交流参数。

二极管应用举例二极管半波整流整流电路是把交流电压转变为直流脉动的电压。

常见的小功率整流电路，有单相半波全波桥式整流等。

二极管死区电征激发决定的少子浓度是定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流值工作电压时的反向电流。

反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。

反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。

硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。

反向饱和电流本而烧坏。

手册上给出的最高反向工作电压般是的半。

隧道击穿也叫齐纳击穿击穿电压小于，有负的温度系数雪崩击穿，击穿电压大于，有正的温度系数。

主要参数反向电流指二极管加反向峰通二极管工作范围是哪段曲线最大整流电流二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。

反向击穿电压二极管反向击穿时的电压值。

击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热压降反向电阻无穷大，反向电流为零。

实际伏安特性导通压降硅管，锗管导通压降硅管，锗管结合伏安特性，如何理解“正偏导通，反偏截止”正向特性反向特性伏安特性上，普型半导体硅管，锗管。

反向击穿电压伏安特性理想伏安特性•正向导通时正向压降为零，正向电阻为零，正向电流•反向截止时反向自由电子少数载流子少子空穴型半导体中多数载流子空穴少数载流子电子型半导体中的载流子是什么二型半导体型半导体中的载流子是什么由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。

本征半导体中成对产生的自由电子和空穴。

掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。

多数载流子多子原子形成共价键时，产生个空穴。

这个空穴可能吸引束缚电子价电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。

多余电子磷原子型半导体空穴硼原子型半导体指。

在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼或铟，晶体点阵中的些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。

例如，纯硅约有自由电子或空穴个，掺杂为型半导体后自由电子数增加几十万倍，空穴数减少为个二指。

在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体中的些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出个电子，这度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体。

型半导体自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体。

杂质半导体型半导体能力越强，温度是影响半导体性能的重要外部因素，这是半导体的大特点。

在本征半导体中掺入些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。

其原因是掺杂半导体的种载流子浓度大大增加。

型半导体空穴浓理本征半导体中电流由两部分组成电子电流自由电子移动产生的电流。

空穴电流空穴移动价电子递补空穴产生的电流。

本征半导体导电能力取决于载流子的浓度。

温度越高，载流子的浓度越高。

因此本征半导体的导电的作用下，空穴吸引附近的价电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。

本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。

本征半导体的导电机理的作用下，空穴吸引附近的价电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。

本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。

本征半导体的导电机理本征半导体中电流由两部分组成电子电流自由电子移动产生的电流。

空穴电流空穴移动价电子递补空穴产生的电流。

本征半导体导电能力取决于载流子的浓度。

温度越高，载流子的浓度越高。

因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的重要外部因素，这是半导体的大特点。

在本征半导体中掺入些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。

其原因是掺杂半导体的种载流子浓度大大增加。

型半导体空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体。

型半导体自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体。

杂质半导体型半导体指。

在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体中的些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。

例如，纯硅约有自由电子或空穴个，掺杂为型半导体后自由电子数增加几十万倍，空穴数减少为个二型半导体指。

在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼或铟，晶体点阵中的些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生个空穴。

这个空穴可能吸引束缚电子价电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。

多余电子磷原子型半导体空穴硼原子型半导体中的载流子是什么由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。

本征半导体中成对产生的自由电子和空穴。

掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。

多数载流子多子自由电子少数载流子少子空穴型半导体中多数载流子空穴少数载流子电子型半导体中的载流子是什么二型半导体型半导体硅管，锗管。

反向击穿电压伏安特性理想伏安特性•正向导通时正向压降为零，正向电阻为零，正向电流•反向截止时反向压降反向电阻无穷大，反向电流为零。

实际伏安特性导通压降硅管，锗管导通压降硅管，锗管结合伏安特性，如何理解“正偏导通，反偏截止”正向特性反向特性伏安特性上，普通二极管工作范围是哪段曲线最大整流电流二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。

反向击穿电压二极管反向击穿时的电压值。

击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。

手册上给出的最高反向工作电压般是的半。

隧道击穿也叫齐纳击穿击穿电压小于，有负的温度系数雪崩击穿，击穿电压大于，有正的温度系数。

主要参数反向电流指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。

反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。

反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。

硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。

反向饱和电流本征激发决定的少子浓度是定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流限幅保护等等。

下面介绍两个交流参数。

二极管应用举例二极管半波整流整流电路是把交流电压转变为直流脉动的电压。

常见的小功率整流电路，有单相半波全波桥式整流等。

二极管死区电压，正向压降硅二极管。

为分析简单起见，我们把二极管当作理想元件处理，理想二极管，即二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。

即，死区电压，正向压降半导体二极管的简单应用整流限幅钳位检波保护电路开关元件二极管整流电路•电源变压器将交流电网电压变为合适的交流电压。

整流电路滤波电路稳压电路整流电路滤波电路稳压电路•整流电路将交流电压变为脉动的直流电压。

•滤波电路将脉动直流电压转变为平滑的直流电压。

•稳压电路清除电网波动及负载变化的影响，保持输出电压的稳定。

直流稳压电源的组成和功能时，二极管导通。

，单相半波整流电路的工作原理时，二极管截止。

，输出电压平均值二极管上的平均电流二极管上承受的最高电压时，导通，截止电流通路由经时，导通，截止电流通路由经输出是脉动的直流电压！桥式整流电路输出波形及二极管上电压波形单相桥式整流电路的工作原理负载电压的平均值负载上的平均电流整流二极管平均电流二极管截止时两端承受的最大反向电压每个二极管只有半周导通。

流过每只整流二极管的平均电流是负载平均电流的半。

平均值输出电压波形二极管上承受的最高电压二极管上的平均电流平均值单相全波整流电路的工作原理只给出分析结果，请自行分析。

第章半导体二极管与整流电路主要内容•半导体及其导电机理载流子及其分类•结及其单向导电性正偏与反偏•二极管及其伏安特性•二极管应用整流限幅检波等•特殊二极管稳压二极管光敏二极管发光二极管半导体的基础知识导体容易导电的物体，金属般都是导体。

绝缘体不容易导电的物体。