TOP11第8章-精品PPT课件.ppt文档免费在线阅读

耗尽区是个绝缘体，它能阻止电流的通过。

反向漏电流•在型区存在少量的电子，它们被电源的正极牵引到结点，而型区有少量的空穴也被推向结点处，反偏压迫使少数载流子结合，形成漏电流。

现代的硅二极管的漏电流通常很小，在室温条件下，硅中仅存在极少的载流子，反向漏电流通常可忽略。

•结型二极管是单向导通的，电子易导通的方向是从型区到型区，加上的电压使电流在这个方向流过二极管的就称为正偏压。

二极管单向导通，该性质很有用，既可以用于开关，也可用于将交流变为直流。

很多其他种类的二极管也在电和电子电路中有专门用途。

二极管的电路符号表示单向导电性判断下面说法是否正确个结型二极管用型和型材料掺杂。

耗尽区是由电子通过结的型边充填型边的空穴形成的。

势垒阻止了所有的电子穿过结点填充到空穴中。

耗尽区是良导体。

旦耗尽区形成，它就不能，硅管导通要。

•硅管的漏电流非常低，通常小于。

•硅管的反向击穿电压为。

•图为二极管的伏安特性曲线，观察温度对二极管的影响。

温度用表示，电路正常工作的温度范围可以是。

军用的电路温度范围是。

由于温度范围很大，因此在材料的选择产品的制作过程和测试都必须格外小心。

•温度升高度硅二极管导通电压下降。

自测题对于开路的特性曲线，它是条位于旦耗尽区形成，它就不能，硅管导通要。

•硅管的漏电流非常低，通常小于。

•硅管的反向击穿电压为。

•图为二极管的伏安特性曲线，观察温度对二极管的影响。

温度用表示，电路正常工作的温度范围可以是二极管的电路符号表示单向导电性判断下面说法是否正确个结型二极管用型和型材料掺杂。

耗尽区是由电子通过结的型边充填型边的空穴形成的。

势垒阻止了所有的电子穿过结点填充到空穴中。

耗尽区是良导体。

通的方向是从型区到型区，加上的电压使电流在这个方向流过二极管的就称为正偏压。

二极管单向导通，该性质很有用，既可以用于开关，也可用于将交流变为直流。

很多其他种类的二极管也在电和电子电路中有专门用途。

穴也被推向结点处，反偏压迫使少数载流子结合，形成漏电流。

现代的硅二极管的漏电流通常很小，在室温条件下，硅中仅存在极少的载流子，反向漏电流通常可忽略。

•结型二极管是单向导通的，电子易导反向偏置二级管•由于反向偏压扩大了耗尽区，因此无电流通过二级管。

耗尽区是个绝缘体，它能阻止电流的通过。

反向漏电流•在型区存在少量的电子，它们被电源的正极牵引到结点，而型区有少量的空极管的电路符号•例•若图的电源电压是，电阻值是，计算它的电流值。

确定修正硅二极管管压降的重要性。

•••可见，对于电源电压较高的电路，二极管的管压降对计算电流的影响很小。

压降大约是，肖特基二极管将在节解释，若图中是肖特基二极管，计算它的电流值，电源电压是，电阻是。

••肖特基二极管小的管压降在高频低电压大电流电路里有重要的应用。

图二••若我们知道二极管的管压降，可以得到精确的电流值。

电动势减去管压降，就得到了实际的电压值••通常情况下，硅二极管导通后的管压降为。

•例•肖特基二极管的导通管耗尽区。

正向偏置二极管•电源的正端迫使型边的空穴移向结，电源的负端使得电子移向结，这样使耗尽区变薄。

•限流电阻的作用主要是防止过流，过大的电流会毁坏二极管。

假如图中的电压值是，电阻值是，则“势垒”，它阻止了的电子进步通过结。

图势垒形成•任何中间含有绝缘层的器件都不能够导电。

故我们假定结二极管是绝缘体。

•耗尽区和绝缘层不相同，因为它是由电子移动并充填空穴形成的。

外部的电场可以改变离子形成个电势阻止更多的电子穿过结层。

•当个二极管制成后，有些电子穿过结进入空穴，但是由于个反电动势在型端的形成，阻止了其他的自由电子的通过，该过程很快就结束。

反电动势就被称为“离子电势”或在，型材料边界将无多数载流子电子存在，结周围的区域就成为耗尽区。

•当型材料中的个自由电子离开它的母体原子，原子就成为正离子，同样，当自由电子进入型材料的另外个原子中，这个原子就成为了负离子，制成时，有部分自由电子会穿过结点到达空穴区，将导致“耗尽区”的形成。

被捕获的电子充满空穴，由于型边积累了负电荷，产生的电场阻止电子继续流动。

随着电子进入和空穴的被填充，型边界将无多数载流子空穴存型半导体材料被加热时，少数载流子将增加。

当型半导体材料被加热时，多数载流子将减少。

随着热能增加，多数载流子和少数载流子的数目都会增加。

结•因为二极管是连续的晶体，故自由电子能够穿过结点，二极管由电子成为少数载流子，空穴加入其他多数载流子。

自测题为了生产型的半导体材料，个典型的掺杂标准是每个硅原子对应有个砷原子。

型晶体中，自由电子被称为多数载流子。

型晶体中，空穴被称为少数载流子。

当中，也有少数的自由电子可能存在，自由电子就是少数载流子。

•高温的条件下，少数载流子会增加。

•型材料晶体中，由加热产生的空穴就成为少数载流子，自由电子加入其他多数载流子。

•型材料晶体，加热产生的自由中，也有少数的自由电子可能存在，自由电子就是少数载流子。

•高温的条件下，少数载流子会增加。

•型材料晶体中，由加热产生的空穴就成为少数载流子，自由电子加入其他多数载流子。

•型材料晶体，加热产生的自由电子成为少数载流子，空穴加入其他多数载流子。

自测题为了生产型的半导体材料，个典型的掺杂标准是每个硅原子对应有个砷原子。

型晶体中，自由电子被称为多数载流子。

型晶体中，空穴被称为少数载流子。

当型半导体材料被加热时，少数载流子将增加。

当型半导体材料被加热时，多数载流子将减少。

随着热能增加，多数载流子和少数载流子的数目都会增加。

结•因为二极管是连续的晶体，故自由电子能够穿过结点，二极管制成时，有部分自由电子会穿过结点到达空穴区，将导致“耗尽区”的形成。

被捕获的电子充满空穴，由于型边积累了负电荷，产生的电场阻止电子继续流动。

随着电子进入和空穴的被填充，型边界将无多数载流子空穴存在，型材料边界将无多数载流子电子存在，结周围的区域就成为耗尽区。

•当型材料中的个自由电子离开它的母体原子，原子就成为正离子，同样，当自由电子进入型材料的另外个原子中，这个原子就成为了负离子，离子形成个电势阻止更多的电子穿过结层。

•当个二极管制成后，有些电子穿过结进入空穴，但是由于个反电动势在型端的形成，阻止了其他的自由电子的通过，该过程很快就结束。

反电动势就被称为“离子电势”或“势垒”，它阻止了的电子进步通过结。

图势垒形成•任何中间含有绝缘层的器件都不能够导电。

故我们假定结二极管是绝缘体。

•耗尽区和绝缘层不相同，因为它是由电子移动并充填空穴形成的。

外部的电场可以改变耗尽区。

正向偏置二极管•电源的正端迫使型边的空穴移向结，电源的负端使得电子移向结，这样使耗尽区变薄。

•限流电阻的作用主要是防止过流，过大的电流会毁坏二极管。

假如图中的电压值是，电阻值是，则••若我们知道二极管的管压降，可以得到精确的电流值。

电动势减去管压降，就得到了实际的电压值••通常情况下，硅二极管导通后的管压降为。

•例•肖特基二极管的导通管压降大约是，肖特基二极管将在节解释，若图中是肖特基二极管，计算它的电流值，电源电压是，电阻是。

••肖特基二极管小的管压降在高频低电压大电流电路里有重要的应用。

图二极管的电路符号•例•若图的电源电压是，电阻值是，计算它的电流值。

确定修正硅二极管管压降的重要性。

•••可见，对于电源电压较高的电路，二极管的管压降对计算电流的影响很小。

反向偏置二级管•由于反向偏压扩大了耗尽区，因此无电流通过二级管。

耗尽区是个绝缘体，它能阻止电流的通过。

反向漏电流•在型区存在少量的电子，它们被电源的正极牵引到结点，而型区有少量的空穴也被推向结点处，反偏压迫使少数载流子结合，形成漏电流。

现代的硅二极管的漏电流通常很小，在室温条件下，硅中仅存在极少的载流子，反向漏电流通常可忽略。

•结型二极管是单向导通的，电子易导通的方向是从型区到型区，加上的电压使电流在这个方向流过二极管的就称为正偏压。

二极管单向导通，该性质很有用，既可以用于开关，也可用于将交流变为直流。

很多其他种类的二极管也在电和电子电路中有专门用途。

二极管的电路符号表示单向导电性判断下面说法是否正确个结型二极管用型和型材料掺杂。

耗尽区是由电子通过结的型边充填型边的空穴形成的。

势垒阻止了所有的电子穿过结点填充到空穴中。

耗尽区是良导体。

旦耗尽区形成，它就不能，硅管导通要。

•硅管的漏电流非常低，通常小于。

•硅管的反向击穿电压为。

•图为二极管的伏安特性曲线，观察温度对二极管的影响。

温度用表示，电路正常工作的温度范围可以是。

军用的电路温度范围是。

由于温度范围很大，因此在材料的选择产品的制作过程和测试都必须格外小心。

•温度升高度硅二极管导通电压下降。

自测题对于开路的特性曲线，它是条位于轴的直线。

对于短路的特性曲线，它是条位于轴的直线。