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单晶生长当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中,然后将籽晶快速向上提升,使长成的籽晶的直径缩小到定的大小,产生零位错的晶体,这样,长完细颈之后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增长到所要大小。
长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径误差维持在正负之间,这段直径固定的部分称为等径部分,单晶硅片取自于等径部分。
等径结束后,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成尖点,而与液面分开,长完的晶棒被升至上炉室冷却段时间后取出,即完成了单晶硅棒的生长过程。
拆炉待炉温冷却后,将炉内坩埚及余料取出。
断头尾目的是切除单晶硅棒的头部尾部及超出客户规格的部分,并将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度。
测试取样测试氧碳含量及电阻率等。
圆棒切方滚磨将硅圆棒切成准四方型把四角的圆弧滚磨光滑。
超声波清洗将方棒清洗干净。
晶棒粘接将准方形的单晶硅棒粘接在专用工作台上。
线锯切片将工作台装到多线切片机上,多线切片机进行切片,切片结束后,从多线切片机卸下工作台。
硅片脱胶取样从工作台通过脱胶取下硅片。
硅片清洗甩干清洗硅片并进行甩干。
样片测试测试合格,包装入库。
产品目标市场本项目产品全部内销。
主要设备选型主要设备仪器选择本项目的工艺设备选型原则在保证产品质量和生产能力以及研究发展的前提下,选择性价比高的工艺设备。
主要设备和仪器本项目共需购置工艺及辅助设备仪器台套,共计万。
其中进口设备仪器台套,进口费用万元国产设备仪器台套,费用万元。
详细设备清单如下表单晶硅片进口工艺设备仪器表序号设备名称数量制造厂家及型号单价万元总价万元开方机切片机切片机全自动硅片分选机非接触电阻率测试仪傅立叶红外光普仪红外探伤仪平面厚度仪合计表单晶硅片国产工艺设备仪器表序号设备名称数量制造厂家及型号单价万元总价万元打磨机硅料清槽泡料槽气相光普分析仪单晶炉单晶带锯截断机电阻率测试仪型号测试仪单晶少子寿命仪晶相显微镜倒角机单晶辊磨机废线切割机砂浆搅拌桶超声波清洗机硅块脱胶槽平板电炉全自动脱胶机全自动硅片清洗机全自动插片机型号测试仪平面厚度仪合计配套工程设计方案总平面布置本项目亩规划用地采用次规划,分期实施的原则建设。
本次期工程用地亩,位于规划用地的东侧,总建筑面积平方米。
在期工程用地内设置个出入口,分别位于用地的东侧淮南北路和西侧规划道路上,东侧入口为人员入口,西侧入口为货物入口,与二期用地衔接。
在厂房的四周设计的环形道路,供消防和物流使用。
变电站及动力设施位于期用地西北角,与市政供电线路和厂区负荷中心较近三个单晶厂房位于用地东北角,与洗料厂房相临,有利于物料传输切片厂房及仓库位于用地西南角,使用物料运输综合楼等相关生活设施位于用地西南角,与生产设施相对隔离废水处理区位于期用地西北侧的二期用地内,离主要废水排放点洗料厂房和切片厂房较近,便于废水就近排放和综合治理。
土建建筑洗晶车间栋洗晶车间为单层钢筋混凝土框架结构建筑,层高米。
长,宽。
单晶厂房栋单晶厂房均为二层钢筋砼框架结构,钢筋混凝土屋顶,层层高米,二层米建筑火灾危险类别为丁类层主要为单晶炉下半部分以及变压器泵等,建筑面积为主生产区层为单晶炉炉体放置区,二楼为单晶炉上半部分操作区。
除生产区外,还布置有生产管理更衣,以及生产配套的空调机房车间变配电等。
另外,车间还考虑有般物品库,包括暂存间物料入口等,以利于物料的传输暂存。
切片厂房及仓库栋切片厂房及仓库为单层钢结构厂房,层高米建筑火灾危险类别为戊类,建筑面积为主生产区放置开方切片清洗等生产设备。
除生产区外,还布置有生产管理更衣,以及生产配套的空调机房车间变配电等。
另外,车间还考虑有般物品库,包括暂存间物料入口等,以利于物料的传输暂存。
动力厂房动力厂房为单层钢筋砼框架结构,钢筋混凝土屋顶,层高米建筑火灾危险类别为戊类主要包括变电站冷冻机空压机等纯水站控制室和值班室等,建筑面积为。
办公综合楼办公综合楼为六层,总建筑面积。
其它其它辅助建筑如氩气罐高压变电站甲类库化学品库废水处理设施等。
建筑服务系统空调及采暖系统单晶厂房生产区硅料处理车间切片厂房综合楼各建筑的辅助办公室等区域设置空调,温湿度要求为,系统采用新风机组诱导风机使气流均匀。
通风排烟系统单晶厂房部分辅助房间硅料处理车间等设置全室通风,通风方式为机械进风变配电站泵房空压冷冻站设置全室通风,根据房间不同的风量设置相应的通风机各建筑的辅助办公室等设置卫生通风,满足卫生要求卫生间设房等高噪声房间室内采用隔声和吸声材料,同时设置隔声门窗,设置操作人员值班室,确保厂房的隔声量达到以上。
室外洗涤塔冷却塔选择低噪声设备,且设减振台座,并辅以消声设施,以减少噪声及振动。
减少对周围声环境的影响。
经厂房隔声和距离衰减,厂界噪声值可以达到工业企业厂界噪声标准Ⅲ类标准。
绿化施到位,对当地的自然环境生态环境将控制在国家许可的标准范围内。
项目对风景名胜古迹和人类文化遗产的影响及保护措施本项目选址符合当地的区域规划,附近无重要风景名胜古迹和人类文化遗产,不存在对风景名胜古迹和人类文化遗产的影响问题。
第七章社会和经济影响分析有利于改善我国城市的投资环境,促进参与世界经济分工的国际性城市的形成目前经济全球化和区域经济体化趋势日益增强,技术人才资本等要素在全球加速流动,新轮产业结构调整和产业转移正在国际间兴起。
目前我国太阳能电池工业处在高速发展阶段,我国光伏组件产能逐年增加,成本不断降低,市场不断扩大,装机容量逐年增加。
我国政府于年月在德国柏林召开的全球可再生能源发展会议上对外承诺,至年中国可再生能源将占能源消费总量的,其中光伏系统为截至年,我国光伏累计安装容量为。
至年中国可再生能源将达到能源消费总量的,以此推算,光伏系统的发电成本在年估计与常,还布置有生产管理更衣,以及生产配套的空调机房车间变配电等。
另外,车间还考虑有般物品库,包括暂存间物料入口等,以利于物料的传输暂存。
动力厂房动力厂房为单层钢筋砼框架结构,钢筋混凝土屋顶,层高暂存间物料入口等,以利于物料的传输暂存。
切片厂房及仓库栋切片厂房及仓库为单层钢结构厂房,层高米建筑火灾危险类别为戊类,建筑面积为主生产区放置开方切片清洗等生产设备。
除生产区外泵等,建筑面积为主生产区层为单晶炉炉体放置区,二楼为单晶炉上半部分操作区。
除生产区外,还布置有生产管理更衣,以及生产配套的空调机房车间变配电等。
另外,车间还考虑有般物品库,包括洗晶车间为单层钢筋混凝土框架结构建筑,层高米。
长,宽。
单晶厂房栋单晶厂房均为二层钢筋砼框架结构,钢筋混凝土屋顶,层层高米,二层米建筑火灾危险类别为丁类层主要为单晶炉下半部分以及变压器输综合楼等相关生活设施位于用地西南角,与生产设施相对隔离废水处理区位于期用地西北侧的二期用地内,离主要废水排放点洗料厂房和切片厂房较近,便于废水就近排放和综合治理。
土建建筑洗晶车间栋的环形道路,供消防和物流使用。
变电站及动力设施位于期用地西北角,与市政供电线路和厂区负荷中心较近三个单晶厂房位于用地东北角,与洗料厂房相临,有利于物料传输切片厂房及仓库位于用地西南角,使用物料运工程用地亩,位于规划用地的东侧,总建筑面积平方米。
在期工程用地内设置个出入口,分别位于用地的东侧淮南北路和西侧规划道路上,东侧入口为人员入口,西侧入口为货物入口,与二期用地衔接。
在厂房的四周设计机废线切割机砂浆搅拌桶超声波清洗机硅块脱胶槽平板电炉全自动脱胶机全自动硅片清洗机全自动插片机型号测试仪平面厚度仪合计配套工程设计方案总平面布置本项目亩规划用地采用次规划,分期实施的原则建设。
本次期计表单晶硅片国产工艺设备仪器表序号设备名称数量制造厂家及型号单价万元总价万元打磨机硅料清槽泡料槽气相光普分析仪单晶炉单晶带锯截断机电阻率测试仪型号测试仪单晶少子寿命仪晶相显微镜倒角机单晶辊磨晶硅片进口工艺设备仪器表序号设备名称数量制造厂家及型号单价万元总价万元开方机切片机切片机全自动硅片分选机非接触电阻率测试仪傅立叶红外光普仪红外探伤仪平面厚度仪合展的前提下,选择性价比高的工艺设备。
主要设备和仪器本项目共需购置工艺及辅助设备仪器台套,共计万。
其中进口设备仪器台套,进口费用万元国产设备仪器台套,费用万元。
详细设备清单如下表单下硅片。
硅片清洗甩干清洗硅片并进行甩干。
样片测试测试合格,包装入库。
产品目标市场本项目产品全部内销。
主要设备选型主要设备仪器选择本项目的工艺设备选型原则在保证产品质量和生产能力以及研究发洗将方棒清洗干净。
晶棒粘接将准方形的单晶硅棒粘接在专用工作台上。
线锯切片将工作台装到多线切片机上,多线切片机进行切片,切片结束后,从多线切片机卸下工作台。
硅片脱胶取样从工作台通过脱胶取的是切除单晶硅棒的头部尾部及超出客户规格的部分,并将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度。
测试取样测试氧碳含量及电阻率等。
圆棒切方滚磨将硅圆棒切成准四方型把四角的圆弧滚磨光滑。
超声波清径部分。
等径结束后,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成尖点,而与液面分开,长完的晶棒被升至上炉室冷却段时间后取出,即完成了单晶硅棒的生长过程。
拆炉待炉温冷却后,将炉内坩埚及余料取出。
断头尾目这样,长完细颈之后,降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增长到所要大小。
长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径误差维持在正负之间,这段直径固定的部分称为等径部分,单晶硅片取自于等抽真空和充氩气。
拉晶加温将原料溶化,按控制程序拉制单晶。
单晶生长当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中,然后将籽晶快速向上提升,使长成的籽晶的直径缩小到定的大小,产生零位错的晶体,这抽真空和充氩气。
拉晶加温将原少构建社会秩序的稳定性中国儒家思想形成文化认同,有包容性,形成较强的凝聚力。
分分海陆分布地形地势。
分香山分临近北京,地理位置优越经济发达,客源市场广阔知名度高交通便利。
分分分均位于堰塞体上
