TOP75九年级英语全册 Unit 2 I think that mooncakes are delicious Self Check课件 （新版）人教新目标版.ppt文档免费在线阅读

光的吸收系数与光波的波长有很大的关系，图示出了几种常用半导体材料光的吸收系数曲线。

下面定量讨论种光波长在硅中传播的平均深度，为设计和制造光电三极管和二极管，提供理论依据。

以表示硅片内距表面处的光强。

由于光的吸收作用，从到间光强减弱了，则吸收系数的定义为对上式积分可以得到光强在半导体内的分布为其中是硅片表面处入射光的强度。

可见光在进入硅片后按指数规律衰减，它的平均透入深度为由上式可知，欲求定波长的光在硅中传播的速度，只要从图中查出对应此波长的吸收系数，再取其倒数就可以了。

光传感器的特性表示方法灵敏度光电器件对辐射通量的反应称为灵敏度，也称为响应。

对可见光常用的有流明灵敏度光通量光电流和勒克灵敏度受光面照度光电流投射到传感器的光通量即使是相同的，如果光谱能量妥布不同时，灵敏度也不同。

因此，测量灵敏度的规定光源是色温是的标准钨丝灯。

对紫外线或红外波段的传感器，常用辐射灵敏度辐射通量光电流式中，辐射通量是单位时间内通过面积辐射的能量，，单位为。

目前对可见光波段的传感器也用辐射灵敏度表示。

光谱灵敏度与峰值波长按收器对不同波长光电磁辐射的反应程度称为光谱响应或光谱灵敏度。

为光电器件对单色辐射通量的反应与入射的单色辐射通量之比，即。

式中，为入射的单色辐射通量，为光电器件的反应。

波长在的狭窄范围内的辐射称为单色辐射，其通量称为单色辐射通量。

光电器件的随波长而变化，且在个波长处有最大值。

波长称为峰值波长，即光谱灵敏度最大时的波长。

相对光谱灵敏度光谱灵敏度与最大光谱灵敏度之比称为相对光谱灵敏度，即，其中，是无量纲函数，也称光谱特性。

光谱特性是指光谱相对光谱灵敏度与入射光波长之间的关系，不同敏感材料的光谱待性曲线如图所示。

从光谱曲线可以判断哪种辐射源与哪种光电器件配合使用可获得较高的灵敏度。

积分灵敏度光电器件对连续辐射通量的反应程度称为积分灵敏度。

定义为反应与入射到光电器件上的辐射通量之比，即当反映为光电流时，积分灵敏度即为辐射灵敏度。

通量阀在光电器件输出端产生的电信号与固有噪声电平相等的最小辐射通量称为通量阀。

若把对应于的光电器件的反应以等效噪声的均方根值代入式，则有光电器件的通量阀右以根据特定辐射源来测定，而且同积分灵敏度样，它和辐和辐射源的辐射特性有关。

单色通量阀由下式定义单色通量阀反映光电器件本身的固有特性，而通量阀不仅反映光电器件本身的固有特性，而且还反映辐射特性。

归化探测率由于通量阀与光电器件灵敏面的面积的平方根成正比，在窄带情况下通量阀与带宽的平方根成正比。

对光电器件性能进行比较，应当在灵敏面的尺寸和带宽定的条件下进行，因而引进个新的特性参数，即归化探测率。

归化探测率可由下式定义式中，为灵敏面积，为带宽。

其实质上就是光电器件在具有单位灵敏面积单位带宽及单位辐射通量时所获的信噪比转换特性和响应时间当入射辐射通量很小时，可以把光电器件看作线性系统，并用转换特性的时间常数来描述光电器件的动态特性。

转换特性是辐射通量为阶跃信号时光电器件的响应，如图示。

对线性传感器，其辐射通量与输出电压之间的关系可以用以下微分方程描述辐射通量为阶跃函数时，微分方程解为实际上转换过程要经过的时间才能结束。

因此，将光电器件输出端电压达到最大值倍时所对应的时间称为光电器件的响应时间。

它反映了光电器件响应时间的快慢，调制频率上限受响应时间的限制。

光敏电阻的响应时间般为，光电三极管为，光电二极管的比三极管的高个数量级，硅管比锗管的高个数量级。

光电器件的频率特性光电器件相对光谱灵敏度输出端电压电流的振幅随入射通量的调制频率的变化关系称为光电器件的频率特性。

由于光电器件有定的惰性，在定幅射的正弦调制光照下，当频率较低时，灵敏度与频率无关若频率增高，灵敏度就会逐渐降低。

多数光电器件灵敏度与调制频率的关系为式中，为调制频率时的灵敏度，为调制频率，为响应时间。

光照特性光照特性表示光电器件的积分或光谱灵敏度与其入射辐射通量的关系。

有时光电器件输出端的电压或电流与入射辐射通量间的关系也称为光照特性。

温度特性光电器件的灵敏度暗电流或光电流与温度的关系称为温度特性，通常由曲线表示或由温度系数给出。

温度系数表示在给定的温度区间，温度变化度时，光电流的相对平均增量或灵敏度的变化或光敏电阻值的平均变化。

温度变化不仅影响光电器件的灵敏度，同是对光谱特性也有较大影响。

由于光电器件的灵敏度随温度变化，在高精度检测时，要进行温度补偿或要求在恒温条件下工作。

是指外接负载电阻远小于光电池内阻时的电流从实验可知，负载越小，光电流与照度之间的线性关系越好，而且线性范围越宽负载在以下，线性还是比较好的，负载电阻太大，线性则变坏，的均方根值代入式，则有光电器件的通量阀右以根据特定辐射源来测定，而且同积分灵敏度样，它和辐和辐射源的辐射特性有关。

单色通量阀由下式定义单色通量阀反映光电器件本身的固有特性，而通量阀不仅反映光电器件本身的固有特性，而且还反映辐射特性。

归化探测率由于通量阀与光电器件灵敏面的面积的平方根成正比，在窄带情况下通量阀与带宽的平方根成正比。

对光电器件性能进行比较，应当在灵敏面的尺寸和带宽定的条件下进行，因而引进个新的特性参数，即归化探测率。

归化探测率可由下式定义式中，为灵敏面积，为带宽。

其实质上就是光电器件在具有单位灵敏面积单位带宽及单位辐射通量时所获的信噪比转换特性和响应时间当入射辐射通量很小时，可以把光电器件看作线性系统，并用转换特性的时间常数来描述光电器件的动态特性。

转换特性是辐射通量为阶跃信号时光电器件的响应，如图示。

对线性传感器，其辐射通量与输出电压之间的关系可以用以下微分方程描述辐射通量为阶跃函数时，微分方程解为实在具有单位灵敏面积单位带宽及单位辐射通量时所获的信噪比转换特性和响应时间当入射辐射通量很小时，可以把光电器件看作线性系统，并用转换特性的时间常数来描述光电器件的动态特性。

转换特性是辐射通量较，应当在灵敏面的尺寸和带宽定的条件下进行，因而引进个新的特性参数，即归化探测率。

归化探测率可由下式定义式中，为灵敏面积，为带宽。

其实质上就是光电器件器件本身的固有特性，而通量阀不仅反映光电器件本身的固有特性，而且还反映辐射特性。

归化探测率由于通量阀与光电器件灵敏面的面积的平方根成正比，在窄带情况下通量阀与带宽的平方根成正比。

对光电器件性能进行比等效噪声的均方根值代入式，则有光电器件的通量阀右以根据特定辐射源来测定，而且同积分灵敏度样，它和辐和辐射源的辐射特性有关。

单色通量阀由下式定义单色通量阀反映光电到光电器件上的辐射通量之比，即当反映为光电流时，积分灵敏度即为辐射灵敏度。

通量阀在光电器件输出端产生的电信号与固有噪声电平相等的最小辐射通量称为通量阀。

若把对应于的光电器件的反应以波长之间的关系，不同敏感材料的光谱待性曲线如图所示。

从光谱曲线可以判断哪种辐射源与哪种光电器件配合使用可获得较高的灵敏度。

积分灵敏度光电器件对连续辐射通量的反应程度称为积分灵敏度。

定义为反应与入射度最大时的波长。

相对光谱灵敏度光谱灵敏度与最大光谱灵敏度之比称为相对光谱灵敏度，即，其中，是无量纲函数，也称光谱特性。

光谱特性是指光谱相对光谱灵敏度与入射光通量，为光电器件的反应。

波长在的狭窄范围内的辐射称为单色辐射，其通量称为单色辐射通量。

光电器件的随波长而变化，且在个波长处有最大值。

波长称为峰值波长，即光谱灵敏与峰值波长按收器对不同波长光电磁辐射的反应程度称为光谱响应或光谱灵敏度。

为光电器件对单色辐射通量的反应与入射的单色辐射通量之比，即。

式中，为入射的单色辐射红外波段的传感器，常用辐射灵敏度辐射通量光电流式中，辐射通量是单位时间内通过面积辐射的能量，，单位为。

目前对可见光波段的传感器也用辐射灵敏度表示。

光谱灵敏度量光电流和勒克灵敏度受光面照度光电流投射到传感器的光通量即使是相同的，如果光谱能量妥布不同时，灵敏度也不同。

因此，测量灵敏度的规定光源是色温是的标准钨丝灯。

对紫外线或光在硅中传播的速度，只要从图中查出对应此波长的吸收系数，再取其倒数就可以了。

光传感器的特性表示方法灵敏度光电器件对辐射通量的反应称为灵敏度，也称为响应。

对可见光常用的有流明灵敏度光通分可以得到光强在半导体内的分布为其中是硅片表面处入射光的强度。

可见光在进入硅片后按指数规律衰减，它的平均透入深度为由上式可知，欲求定波长的在硅中传播的平均深度，为设计和制造光电三极管和二极管，提供理论依据。

以表示硅片内距表面处的光强。

由于光的吸收作用，从到间光强减弱了，则吸收系数的定义为对上式积会产生衰减，即产生吸收。

半导体材料通常能强烈地吸收光能，对光的吸收作用常用吸收系数来描述。

光的吸收系数与光波的波长有很大的关系，图示出了几种常用半导体材料光的吸收系数曲线。

下面定量讨论种光波长温度对时间的变化率。

由此看出，与温度的变化成正比，而温度的变化速度又与红外线的强度变化有关。

利用热释电效应可制成红外探测器温度传感器热成像器件等。

光的吸收系数光在半导体材料中传播时会温度对时间的变化率。

由此看出，与温度的变化成正比，而温度的变化速度又与红外线的强度变化有关。

利用热释电效应可制成红外探测器温度传感器热成像器件等。

光的吸收系数光在半导体材料中传播时会产生衰减，即产生吸收。

半导体材料通常能强烈地吸收光能，对光的吸收作用常用吸收系数来描以此作为保证竖向施工精度控制的首要条件。

水准点的埋设应选取在土质坚硬，便于长期保存和使用方便的地方，将推算的相当于绝对标高的标高线标定在附近的建筑物墙边，以后作为施工的依据，并将的标高引测在以施