TOP15毕业论文光电池的制备方法与应用.doc文档免费在线阅读

测量硅光电池的光谱的响应特性把入射光挡掉，把检流计打到挡，然后把检流计调到零。

点亮白炽灯光源，并把发光灯丝对焦成像在单色议的狭缝上面使硅光电池接受的光电流不要超过检流计的刻度。

以硅光电池为接受接收元件，转动波鼓为，。

在进行测量前，定要把波鼓转到的位置，检查光电流是否大小适当，不要超过检流计的量程。

数据测三次，取平均值，把实验测得的数据列于表。

表硅光电池的光谱响应特性读数对应波长光电流格光电流平均值根据表的数据，以光波波长为横坐标，光电路强度为纵坐标，作硅光电池的光谱响应特性曲线，如图所示从硅光电池的光谱响应特性曲线可以看出，温度为时，开路电压大于，短路电流为，光谱峰值在范围内，光源，聚光透镜，检流计，滤色片，偏振片，开关等。

测量硅光电池的光谱的响应特性把入射光挡掉，把检流计打到挡，然后把检流计元件时，应考虑温度漂移的影响，并采用相应的措施进行补偿。

图硅光电池温度特性开路电压短路电流硅光电池的特性研究实验实验仪器实验用具电位差计硅光电池型，面积，光强，测量精度或控制精度等重要指标，因此温度特性是光电池的重要特性之。

图为硅光电池的温度特性曲线，图中可以看出硅光电池开路电压随温度上升而明显下降，短路电流随温度上升却是缓慢增加的。

因此，光电池作为检测长在附近，因此硅光电池可以在很宽的范围内应用。

图硅光电池光谱特性硅光电池的温度特性硅光电池的开路电压短路电流随温度变化的曲线表征了它的温度特性。

由于它关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移，影响生变化。

硅光电池的光谱特性在入射光能量保持定的情况下，短路电流与不同的入射光频率波长之间的关系称为光电池的光谱特性。

图为硅光电池光谱特性曲线，从曲线可看出，硅光电池应用的范围，峰值波电阻取值时，其输出功率最大，这称为最佳匹配，此时所用的电阻称为最佳匹配电阻。

硅光电池的内阻。

从理论上可以推导出硅光电池的内阻等于开路电压除以短路电流。

可以观察到光照面积不同时，硅光电池的内阻将发电池的光电特性开路电压特性曲线短路电流特性曲线硅光电池的负载特性硅光电池的伏安特性与最佳匹配。

随着负载电阻的变化，回路中电流和硅光电池两端的电压相应地变化，称为硅光电池的伏安特性。

当负载光电池内阻很小时的短路电流特性曲线。

开路电压与光照度的关系是非线性的，而且在光照度为时就趋于饱和，而短路电流在很大范围内与光照度成线性关系，负载电阻越小，这种线性关系越好，而且线性范围越宽。

图硅光光电池被短路时所输出的光电流值称为短路光电流。

光电流密度与照度的特性曲线称为短路电流曲线。

图为硅光电池的开路电压曲线和短路电流曲线，其中曲线是负载电阻无穷大时的开路电压特性曲线，曲线是负载电阻相对于池。

硅光电池的主要特性硅光电池的主要参数和照度特性开路电压曲线。

硅光电池在定的光照条件下的光生电动势称为开路电压，开路电压与入射光照度的特性曲线称为开路电压曲线。

短路电流曲线。

在定光照条件下，般在左右，最高可达。

目前，使用较广发的太阳能电池属于多晶硅光电池，转换率约为。

多晶硅光电池采用价格低廉的多晶硅作材料，而且可用简单的真空涂镀法制造，其大小不受晶体的大小限制，可制作大面积光电于单晶硅光电池。

下圖是常用的硅光电池的外形及结构示意图，为提高效率，在器件的受光面上进行氧化，形成保护膜，以防止表面反射光，并且表面电极做成梳妆，减少光生载流子的复合机会。

单晶硅光电池的转换率载电路中将由光电流产生。

硅光电池结构图光防反射膜硅光电池外形图结硅光电池原理结构图硅光电池可分为单晶硅光电池和多晶硅光电池，其中本实验中使用的型硅光电池属硅光电池的基本特性和简单应用作基本的了解和研究。

硅光电池是种结的单结光电池，当光照射到结时，由于光激发的光生载流子的迁移，使结两端产生了光生电动势，如果他与外电路中的负载接通，则负效率高，能耐高温辐射等。

同时它的光谱灵敏度与人眼的灵敏度最相近，所以，它在很多分析仪器测量仪器曝光表以及自动控制监测计算机的输入和输出上用作探测元件，在现代科学技术中占有十分重要地位。

本实验仅对，不用外加电源而能直接把光能转换成电能。

它的种类很多，常见的有硒锗硅砷化镓氧化铜硫化铊硫化镉等。

其中最受重视应用最广的是硅光电池。

它有系列的优点性能稳定，光谱范围宽，频率响应好，转换性半导体的导电能力还会随光照而发生变化称为光电导现象。

此外，半导体的导电能力还会随所处环境的电场磁场压力和气氛的作用等而变化。

硅光电池特性研究硅光电池的基本原理光电池是种光电转换元件，性半导体的导电能力还会随光照而发生变化称为光电导现象。

此外，半导体的导电能力还会随所处环境的电场磁场压力和气氛的作用等而变化。

硅光电池特性研究硅光电池的基本原理光电池是种光电转换元件，不用外加电源而能直接把光能转换成电能。

它的种类很多，常见的有硒锗硅砷化镓氧化铜硫化铊硫化镉等。

其中最受重视应用最广的是硅光电池。

它有系列的优点性能稳定，光谱范围宽，频率响应好，转换效率高，能耐高温辐射等。

同时它的光谱灵敏度与人眼的灵敏度最相近，所以，它在很多分析仪器测量仪器曝光表以及自动控制监测计算机的输入和输出上用作探测元件，在现代科学技术中占有十分重要地位。

本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作基本的了解和研究。

硅光电池是种结的单结光电池，当光照射到结时，由于光激发的光生载流子的迁移，使结两端产生了光生电动势，如果他与外电路中的负载接通，则负载电路中将由光电流产生。

硅光电池结构图光防反射膜硅光电池外形图结硅光电池原理结构图硅光电池可分为单晶硅光电池和多晶硅光电池，其中本实验中使用的型硅光电池属于单晶硅光电池。

下圖是常用的硅光电池的外形及结构示意图，为提高效率，在器件的受光面上进行氧化，形成保护膜，以防止表面反射光，并且表面电极做成梳妆，减少光生载流子的复合机会。

单晶硅光电池的转换率般在左右，最高可达。

目前，使用较广发的太阳能电池属于多晶硅光电池，转换率约为。

多晶硅光电池采用价格低廉的多晶硅作材料，而且可用简单的真空涂镀法制造，其大小不受晶体的大小限制，可制作大面积光电池。

硅光电池的主要特性硅光电池的主要参数和照度特性开路电压曲线。

硅光电池在定的光照条件下的光生电动势称为开路电压，开路电压与入射光照度的特性曲线称为开路电压曲线。

短路电流曲线。

在定光照条件下，光电池被短路时所输出的光电流值称为短路光电流。

光电流密度与照度的特性曲线称为短路电流曲线。

图为硅光电池的开路电压曲线和短路电流曲线，其中曲线是负载电阻无穷大时的开路电压特性曲线，曲线是负载电阻相对于光电池内阻很小时的短路电流特性曲线。

开路电压与光照度的关系是非线性的，而且在光照度为时就趋于饱和，而短路电流在很大范围内与光照度成线性关系，负载电阻越小，这种线性关系越好，而且线性范围越宽。

图硅光电池的光电特性开路电压特性曲线短路电流特性曲线硅光电池的负载特性硅光电池的伏安特性与最佳匹配。

随着负载电阻的变化，回路中电流和硅光电池两端的电压相应地变化，称为硅光电池的伏安特性。

当负载电阻取值时，其输出功率最大，这称为最佳匹配，此时所用的电阻称为最佳匹配电阻。

硅光电池的内阻。

从理论上可以推导出硅光电池的内阻等于开路电压除以短路电流。

可以观察到光照面积不同时，硅光电池的内阻将发生变化。

硅光电池的光谱特性在入射光能量保持定的情况下，短路电流与不同的入射光频率波长之间的关系称为光电池的光谱特性。

图为硅光电池光谱特性曲线，从曲线可看出，硅光电池应用的范围，峰值波长在附近，因此硅光电池可以在很宽的范围内应用。

图硅光电池光谱特性硅光电池的温度特性硅光电池的开路电压短路电流随温度变化的曲线表征了它的温度特性。

由于它关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移，影响测量精度或控制精度等重要指标，因此温度特性是光电池的重要特性之。

图为硅光电池的温度特性曲线，图中可以看出硅光电池开路电压随温度上升而明显下降，短路电流随温度上升却是缓慢增加的。

因此，光电池作为检测元件时，应考虑温度漂移的影响，并采用相应的措施进行补偿。

图硅光电池温度特性开路电压短路电流硅光电池的特性研究实验实验仪器实验用具电位差计硅光电池型，面积，光强，温度为时，开路电压大于，短路电流为，光谱峰值在范围内，光源，聚光透镜，检流计，滤色片，偏振片，开关等。

测量硅光电池的光谱的响应特性把入射光挡掉，把检流计打到挡，然后把检流计调到零。

点亮白炽灯光源，并把发光灯丝对焦成像在单色议的狭缝上面使硅光电池接受的光电流不要超过检流计的刻度。

以硅光电池为接受接收元件，转动波鼓为，。

在进行测量前，定要把波鼓转到的位置，检查光电流是否大小适当，不要超过检流计的量程。

数据测三次，取平均值，把实验测得的数据列于表。

表硅光电池的光谱响应特性读数对应波长光电流格光电流平均值根据表的数据，以光波波长为横坐标，光电路强度为纵坐标，作硅光电池的光谱响应特性曲线，如图所示从硅光电池的光谱响应特性曲线可以看出，光电流在波长到的范围内，是随着波长的增长而逐渐的变大。

测量硅光电池的负载特性按如图连接好电路实验装置盖住硅光电池的光入射口，把电流计调零。

打开激光器，正射到硅光电池上，测量不同负载电阻值下的电流和电压值，并将实验数据列于表二表二电阻与硅光电池的输出功率关系表电阻电流电压功率根据表二的数据，以电阻为横坐标，输出功率为纵坐标，作电阻和输出功率的关系曲线，如图所示硅光电池的负载曲线由表二的数据及图的负载曲线可以看出，当电阻为机等。

我国光电池的发展状况与新进展我国对光电池的研究开发工作高度重视，早在七五期间，非晶硅半导体的研究工作已经列入国家重大课题八五和九五期问，我国把研究开发的重点放在大面积太阳能电池等方面。

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