KY70单晶硅棒及太阳能板生产线项目投资立项建议书模板.doc文档

单晶硅按晶体生长方法不同，分为直拉法区熔法和外延法。

直拉法区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。

直拉法生长单晶硅主要用于半导体集成电路二极管外延片衬底太阳能电池。

目前晶体直径可控制在英寸。

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电电力机车整流变频机电体化节能灯电视机等系列产品。

目前晶体直径可控制在英寸。

外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能原因，直拉法单晶硅材料应用最广。

在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。

存储器电路通常使用抛光片，因成本较低。

逻辑电路般使用价格较高外延片，因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。

单晶硅制造技术，在保证半导体质量标准前提下，区供电及许多殊场合用电上率器件特性而成为应用最多种半导体材料，目前集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造。

单晶硅是比较活泼种非金属元素，它能和种稳定元素中种元素形成化合物。

硅主要用途是取决于它半导体性。

硅材料是当前最重要是地球上储藏最丰富材料之，从世纪科学家们发现了晶体硅半导体特性后，它几乎改变了切，甚至人类思维。

直到上世纪年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。

硅材料因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功了单晶硅生产。

单晶硅是由许多硅原子以金刚石晶格结构排列成晶核长成晶面取向相同晶粒并平行结合变成单晶硅。

超纯单晶硅是最早使用半导体材料，其纯度可高达，在这样纯单晶硅中，每万亿个原子中有个杂质原子。

硅硅含量仅次于氧，居第二位，占地壳总重量。

它主要以二氧化硅形式存在，岩石和砂土中都含有大量二氧化硅。

元素硅原子结构和化学性质与元素碳很相似，单质硅是重要合金和半导体原料。

本世纪年代，半导体应用发展，带动，自筹资金到位，投资风险较小。

因此，从总体上看，该项目是可行。

第三章产品属性和市场需求预测产品性质和功能分析产品属性和功能分析单晶硅。

在地壳中，顺利实施又保证。

来安县政府及有关部门来安经济开发区对该项高度重视，全力支持该项目上马建设。

该项目建设规模适中，技术方案可行，经济效益较好，建设条件落实条电子专用材料制造，是国家鼓励类项目。

符合滁州市和来安县国民经济和社会发展十五规划精神，符合安徽来安经济开发区入园企业条件。

地方政府大力支持是项目合国家产业政策要求国家发展和改革委员会第号令，发布了产业结构调整指导目录年本。

该项目建设符合第类鼓励类第十六项轻工第十三条高技术绿色电池产品制造太阳能电池，第二十四项第二十四结合之路，新上单晶硅和太阳能电池板项目，必将对我国硅材料加工技术提高起到积极作用，同时也对加快科技成果产业化具有重大意义。

三项目建设可行性该项目建设符口。

单晶硅产业发展对国外技术依赖性较高，技术风险和市场风险较大，甚至影响到国家经济安全。

安徽中科太阳能公司，依靠北京广电子研究所最新研究成果，走产学研研究不够，产业化进程缓慢，另方面由于中国半导体产业快速发展，拉动了对抛光硅片需求快速增长，国内生产远远无法满足市场需求，抛光硅片需要大量进口。

国内英寸生产线用硅片几乎全部进口，大部分英寸硅片也需要进单晶硅制造技术，在保证半导体质量标准前提下，区供电及许多殊场合用电上已起到引人注目作用。

但从总体应用技术水平和规模上看，与工业发达国家相比有很大差距。

方面表现在太阳电池应用技术晶硅材料应用最广。

在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。

存储器电路通常使用抛光片，因成本较低。

逻辑电路般使用价格较高外延片，因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。

结合之路，新上单晶硅和太阳能电池板项目，必将对我国硅材料加工技术提高起到积极作用，同时也对加快科技成果产业化具有重大意义。

三项目建设可行性该项目建设符口。

单晶硅产业发展对国外技术依赖性较高，技术风险和市场风险较大，甚至影响到国家经济安全。

安徽中科太阳能公司，依靠北京广电子研究所最新研究成果，走产学研机电体化节能灯电视机等系列产品。

目前晶体直径可控制在英寸。

外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能原因，直拉法单材料和技术要求也越高。

单晶硅按晶体生长方法不同，分为直拉法区熔法和外延法。

直拉法区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。

直拉法生长单晶硅主要用于半导体集成电路二极管外延片衬底太阳能电池。

目前晶体直径可控制在英寸。

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电电力机车整流变频机电体化节能灯电视机等系列产品。

目前晶体直径可控制在英寸。

外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能原因，直拉法单晶硅材料应用最广。

在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。

存储器电路通常使用抛光片，因成本较低。

逻辑电路般使用价格较高外延片，因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。

单晶硅制造技术，在保证半导体质量标准前提下，区供电及许多殊场合用电上率器件特性而成为应用最多种半导体材料，目前集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造。

单晶硅是比较活泼种非金属元素，它能和种稳定元素中种元素形成化合物。

硅主要用途是取决于它半导体性。

硅材料是当前最重要是地球上储藏最丰富材料之，从世纪科学家们发现了晶体硅半导体特性后，它几乎改变了切，甚至人类思维。

直到上世纪年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。

硅材料因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功了单晶硅生产。

单晶硅是由许多硅原子以金刚石晶格结构排列成晶核长成晶面取向相同晶粒并平行结合变成单晶硅。

超纯单晶硅是最早使用半导体材料，其纯度可高达，在这样纯单晶硅中，每万亿个原子中有个杂质原子。

硅硅含量仅次于氧，居第二位，占地壳总重量。

它主要以二氧化硅形式存在，岩石和砂土中都含有大量二氧化硅。

元素硅原子结构和化学性质与元素碳很相似，单质硅是重要合金和半导体原料。

本世纪年代，半导体应用发展，带动研究不够，产业化进程缓慢，另方面由于中国半导体产业快速发展，拉动了对抛光硅片需求快速增长，国内生产远远无法满足市场需求，抛光硅片需要大量进口。

国内英寸生产线用硅片几乎全部进口，大部分英寸硅片也需要进单晶硅制造技术，在保证半导体质量标准前提下，区供电及许多殊场合用电上已起到引人注目作用。

但从总体应用技术水平和规模上看，与工业发达国家相比有很大差距。

方面表现在太阳电池应用技术晶硅材料应用最广。

在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。

存储器电路通常使用抛光片，因成本较低。

逻辑电路般使用价格较高外延片，因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。

结合之路，新上单晶硅和太阳能电池板项目，必将对我国硅材料加工技术提高起到积极作用，同时也对加快科技成果产业化具有重大意义。

三项目建设可行性该项目建设符口。

单晶硅产业发展对国外技术依赖性较高，技术风险和市场风险较大，甚至影响到国家经济安全。

安徽中科太阳能公司，依靠北京广电子研究所最新研究成果，走产学研研究不够，产业化进程缓慢，另方面由于中国半导体产业快速发展，拉动了对抛光硅片需求快速增长，国内生产远远无法满足市场需求，抛光硅片需要大量进口。

国内英寸生产线用硅片几乎全部进口，大部分英寸硅片也需要进单晶硅制造技术，在保证半导体质量标准前提下，区供电及许多殊场合用电上已起到引人注目作用。

但从总体应用技术水平和规模上看，与工业发达国家相比有很大差距。

方面表现在太阳电池应用技术晶硅材料应用最广。

在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。

存储器电路通常使用抛光片，因成本较低。

逻辑电路般使用价格较高外延片，因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。

机电体化节能灯电视机等系列产品。

目前晶体直径可控制在英寸。

外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能原因，直拉法单机电体化节能灯电视机等系列产品。

目前晶体直径可控制在英寸。

外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能原因，直拉法单太阳能电池。

目前晶体直径可控制在英寸。

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电电力机车整流变频法。

直拉法区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。

直拉法生长单晶硅主要用于半导体集成电路二极管外延片衬底及英寸毫米等。

直径越大圆片，所能刻制集成电路越多，芯片成本也就越低。

但大尺寸晶片对材料和技术要求也越高。

单晶硅按晶体生长方法不同，分为直拉法区熔法和外延法及英寸毫米等。

直径越大圆片，所能刻制集成电路越多，芯片成本也就越低。

但大尺寸晶片对材料和技术要求也越高。

单晶硅按晶体生长方法不同，分为直拉法区熔法和外延法。

直拉法区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。

直拉法生长单晶硅主要用于半导体集成电路二极管外延片衬底太阳能电池。

目前晶体直径可控制在英寸。

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电电力机车整流变频机电体化节能灯电视机等系列产品。

目前晶体直径可控制在英寸。

外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能原因，直拉法单晶硅材料应用最广。

在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。

存储器电路通常使用抛光片，因成本较低。

逻辑电路般使用价格较高外延片，因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。

单晶硅制造技术，在保证半导体质量标准前提下，区供电及许多殊场合用电上已起到引人注目作用。

但从总体应用技术水平和规模上看，与工业发达国家相比有很大差距。