1、“.....能熟练运用英语进行读写听说。具备主持国家重点科研项目全过程能力。年以来先后主持国家高技术研究项目两项，九五国家科技攻关项目项，国防科工委重大军工项目两项，国家工程研究中心项目项，国家高技术产业化示范工程水平砷化镓单晶片产业化项等，获部级成果四项。所述示范工程项目已被评为年度有色金属工业科技进步等奖，已申报国家科技进步奖。历年来，在国内外学术刊物发表论文余篇，出版专著半导体材料，化学工业出版社，部，为相关工具书撰写词条译著等约万字。郑总具有多年经营管理经验，对企业发展和市场把握有着敏锐眼光和长远战略，公司在他带领下，通过质量管理体系认证，企业获得河北省高新技术企业证书，产品获得高新技术产品证书，国瑞公司近几年销售收入总资产出口创汇呈现迅猛增长，年公司出口创汇万美元，占公司销售收入多。企业新产品研发能力及内部管理体系研发能力强是本单位固有优势，企业增大，从而降低成品率......”。

2、“.....多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺杂剂分凝是以固液界面为界线，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数......”。

3、“.....这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度是另个重要技术参数因为熔体结晶快慢与结晶潜热产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。我们对多段炉设计，各段炉温单独控制及其协调配合控制也进行了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑液固气相。反应使进入，反应使部分与反应生成气相逸出，二者差值，造成中并入。高温区气相扩散到中温区发生如下反应中，高温区发生熔体中与石英反应分别表示为。中温区为。这种加热结构既得到所需温度分布......”。

4、“.....污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。抑制污染机理是在合成和晶体生长晶生长成品率实现该工艺产业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两温区炉高温区温度有利于提高成品率。本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当溶剂中进行热处理，它可保证在长达天单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废......”。

5、“.....成为本公司项独特专有技术只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长晶体完整性好符合产品技术指标。这个问题曾是困扰单晶生长个较严重问题。很多单位曾石英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径扩大不超过。石英舟预处理技术单晶生长是在密封于石英反应管中石英舟中进行，因此首先要解决是石英舟与熔体粘舟问题。只石英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径扩大不超过。石英舟预处理技术单晶生长是在密封于石英反应管中石英舟中进行，因此首先要解决是石英舟与熔体粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长晶体完整性好符合产品技术指标。这个问题曾是困扰单晶生长个较严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题......”。

6、“.....从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题良好方法，成为本公司项独特专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当溶剂中进行热处理，它可保证在长达天单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，有利于提高成品率。本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺产业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中污染......”。

7、“.....抑制污染机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中与石英反应分别表示液固气相。反应使进入，反应使部分与反应生成气相逸出，二者差值，造成中并入。高温区气相扩散到中温区发生如下反应反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。我们对多段炉设计，各段炉温单独控制及其协调配合控制也进行了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度是另个重要技术参数因为熔体结晶快慢与结晶潜热产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数......”。

8、“.....这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺杂剂分凝是以固液界面为界线，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角......”。

9、“.....还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定，无法变动，加上热辐射和固液界面结晶潜热难以导出，使熔体边缘温度低于中心处温度，往往使固液界面凹向熔体。这种界面非常容易出孪晶，或使晶体增大，降低成品率。在单晶生长理论中，理想固液界面形状应为平坦或略为凸向熔体，做到这点，加热体设计和制造非常关键。加热体是单晶生长核心，对单晶生长影响非常大，是决定单晶生长成功与否关键因素之。该产品设计和制造是本公司多年科研结晶。本公司在炉体结构设计保温层设置和配置加热区段设置加热区域设置等方面均取得了很大进步。目前制作加热体，截面区固液交界面区有特殊加热结构。高温区各加热段设计合理，中温区有后加热体设置，其余各区设置合适在产品试制过程中表明，该加热体非常适合水平砷化镓单晶生长。采用这种加热体......”。