KY28水平砷化镓单晶材料产业化项目投资立项建议书模板文档

关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。

通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达到了预期目标。

该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。

该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。

产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度象。

这为本项目顺利实施提供了制度上保障。

第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管。

中温区为。

这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中污染。

污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。

抑实现该工艺产业化创造了又个有利条件。

本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。

两温区炉高温区温度为场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。

纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，有利于提高成品率。

本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题良好方法，成为本公司项独特专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当溶剂中进行热处理，它可保证在长达天单晶连续生长中符合产品技术指标。

这个问题曾是困扰单晶生长个较严重问题。

很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。

本项目承于石英反应管中石英舟中进行，因此首先要解决是石英舟与熔体粘舟问题。

只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。

生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长晶体完整性好行不大于。

采用优质管支撑石英反应管使石英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径扩大不超过。

石英舟预处理技术单晶生长是在密封技术积累，选用精密温控仪表欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组合，可保证在长达天单晶生长过程中温控精度，炉体移动速度最低时小时爬炉晶体测试工艺及设备合理性和成熟性自行设计单晶生长系统本项目研发生产采用自行设计水平砷化镓单晶生长系统，该生长系统在国际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺掺杂剂放籽晶装入单晶炉单晶生长天熔料接籽晶走车生长单晶降温出和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管多晶合成约小时多晶清洁处理封管余型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度象。

这为本项目顺利实施提供了制度上保障。

第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性技术积累，选用精密温控仪表欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组合，可保证在长达天单晶生长过程中温控精度，炉体移动速度最低时小时爬炉晶体测试工艺及设备合理性和成熟性自行设计单晶生长系统本项目研发生产采用自行设计水平砷化镓单晶生长系统，该生长系统在国际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺类商品国际市场占有率接近。

该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。

产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和项技术，该项技术达到世界先进水平。

关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。

通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达到了预期目标。

该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。

该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。

产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度象。

这为本项目顺利实施提供了制度上保障。

第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管。

中温区为。

这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中污染。

污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。

抑实现该工艺产业化创造了又个有利条件。

本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。

两温区炉高温区温度为场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。

纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，有利于提高成品率。

本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热掺杂剂放籽晶装入单晶炉单晶生长天熔料接籽晶走车生长单晶降温出和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管多晶合成约小时多晶清洁处理封管余型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度象。

这为本项目顺利实施提供了制度上保障。

第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性技术积累，选用精密温控仪表欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组合，可保证在长达天单晶生长过程中温控精度，炉体移动速度最低时小时爬炉晶体测试工艺及设备合理性和成熟性自行设计单晶生长系统本项目研发生产采用自行设计水平砷化镓单晶生长系统，该生长系统在国际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺掺杂剂放籽晶装入单晶炉单晶生长天熔料接籽晶走车生长单晶降温出和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管多晶合成约小时多晶清洁处理封管余型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度象。

这为本项目顺利实施提供了制度上保障。

第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性类商品国际市场占有率接近。

该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。

产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和类商品国际市场占有率接近。

该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。

产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。

通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达到了预期目标。

该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发控制又协调配合形成所需温度分布，也要经过反复实验研究不断优化。

经过几年开发，本项目单位已在国内独家掌握了该项技术，该项技术达到世界先进水平。

关键技术先进控制又协调配合形成所需温度分布，也要经过反复实验研究不断优化。

经过几年开发，本项目单位已在国内独家掌握了该项技术，该项技术达到世界先进水平。

关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。

通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达到了预期目标。

该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。

该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。

产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度象。

这为本项目顺利实施提供了制度上保障。

第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管多晶合成约小时多晶清洁处理封管余掺杂剂放籽晶装入单晶炉单晶生长天熔料接籽晶走车生长单晶降温出炉晶体测试工艺及设备合理性和成熟性自行设计单晶生长系统本项目研发生产采用自行设计水平砷化镓单晶生长系统，该生长系统在国际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺技术积累，选用精密温控仪表欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组合，可保证在长达天单晶生长过程中温控精度，炉体移动速度最低时小时爬行不大于。

采用优质管支撑石英反应管使石英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径扩大不超过。

石英舟预处理技术单晶生长是在密封于石英反应管中石英舟中进行，因此首先要解决是石英舟与熔体粘舟问题。

只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。

生长完成后，晶体