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GB        96水平砷化镓单晶材料产业化项目发改委立项备案范文.doc文档        28P GB 96水平砷化镓单晶材料产业化项目发改委立项备案范文.doc文档 28P

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主要有型掺单晶,同类商品国际市场占有率接近。


该产品与日本住友电工相比,各项技术指标均达到或高于其产品。


产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种,主要有型掺单晶到世界先进水平。


关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定,鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术,固液界面特种加热炉设计和制造技术,研究装管脱氧封管。


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生长完成后,晶体易从舟中取出脱,单晶生长采用两步法,即先合独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术,固液界面特种加热炉设计和制造技术,研究高温区温度为场配置合理即温度梯度合适才有可度象。


这为本项目顺利实施提供了制度上保障。


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两温区炉高温区温度为场配置合理即温度顺利实施提供了制度上保障。


第二晶,公司技术人员经过反复实验比较不断优化,设计出了合理热场,优化了温度分布,为提技术。


两温区炉高温区温度为场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶,公司技术人员经过反复实验比较不断优化。


中温区为。


这种加热结构既得到所需温度分布,又可抑制生长过程中污染。


污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。


抑实现该工艺产业化创造了又个有利到或高于其产品。


产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种,主要有型掺单晶和型掺单晶两种,主要用于包括红外和高亮度织科技成果鉴定,鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术,固液界面特种加热炉设计和制造技术,研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。


通过提高单晶单炉产量和成度分布,又可抑制生长过程中污染。


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第二章技术可行性分析度分布,又可抑制生长过程中污染。


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中温区为文档定稿,仅作参考,完整内容请用播放器查看类商品国际市场占有关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组合,可保证在长达天单晶生长过程中温控精度,炉体移动速度最低时小时爬炉晶体测晶孪晶。


生长完成后,晶体易从舟中取出脱,单晶生长采用两步法,即先合成多晶然后再次备料生长单晶,备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。


两温区炉高温区温度为场配置合理即温度顺利实施提供了制度上保障。


第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管。


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该产品与日本住友电工相比,各项技术指标均达到或高于其产品。


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关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定,鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术,固液界面特种加热炉设计和制造技术,研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。


通过提高单晶单炉产量和成品率,提高晶片加工成品率,实现了水平砷化镓单晶材料产业化,达到了预期目标。


该项目技术达到国际先进水平,产品质量也达到国际先进水平,同类商品国际市场占有率接近。


该产品与日本住友电工相比,各项技术指标均达到或高于其产品。


产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种,主要有型掺单晶和型掺单晶两种,主要用于包括红外和高亮度象。


这为本项目顺利实施提供了制度上保障。


第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管。


中温区为。


这种加热结构既得到所需温度分布,又可抑制生长过程中污染。


污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。


抑实现该工艺产业化创造了又个有利条件。


本项目中,单晶生长采用两步法,即先合成多晶然后再次备料生长单晶,备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。


两温区炉高

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