【21页】嵌入式最小系统设计.doc文档全文免费阅读

两片并联构建位的存储器系统，其中片为高位，另片为低位， 可将两片作为个整体配置到的任位置，般 配置到，即将的接至两片的端。

两片的端接的端 两片的端接的端 两片的端分别接的端端 端 两片的接的地址总线 两片的接的地址总线 高位片的接的数据总线的高位低位片的 接的数据总线的低位 高位片的分别接的低位片的分 别接的。

存储器应用示例 以下将以为例，介绍存储器的编程应用。

存储器的操作包括对的擦除和 烧写，根据存储器的工作原理可知，对存储器的编程与擦除是与具体的器件型号紧密相 关的。

由于不同厂商的存储器在操作命令上可能会有些细微的差别，存储器的烧写 擦除程序般不具有通用性，针对不同厂商不同型号的存储器，程序应作相应的修改。

以上文所提到的存储器为例，详细说明其操作命令及相关的编程方法，其他厂 商或型号的存储器的编程方法与之类似。

是公司生产的存储器，其主要特点有单电源供电，可使内部产生 高电压进行编程和擦除操作支持单电源存储器标准和 特性只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程擦除操作由内部嵌入的 算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成可以对任扇区进行读写或擦 除操作，而不影响其它部分的数据。

存储器的操作命令 向存储器的特定寄存器写入地址和数据命令，就可对存储器进行烧写擦除等操作， 但操作必须按照定的顺序，否则就会导致存储器复位而使操作命令无法完成。

编程指令只能 使变为，而擦除命令可使变为，因此正确的操作顺序是先擦除，后编程。

当 存储器被擦除以后，读出的内容应全为。

下面介绍编程命令整片擦除命令以及对应 的程序设计。

正常编程命令 表正常编程命令 第步第二步第三步第四步 地址数据地址数据地址数据地址数据 正常 编程 字待编程待编程 字节的地址的数据 如上表所示，向的指定地址中写入数据，可按字位或字节位操作，共需 要四个总线周期，分四步完成，前两个周期是解锁周期，第三个周期是建立编程命令，最后个周期 完成向待编程地址写入特定的数据。

整片擦除命令 表整片擦除命令 第步第二步第三步第四步 地址数据地址数据地址数据地址数据 整片 擦除 字 字节 第五步第六步 地址数据地址数据 整片 擦除 字 字节 如上表所示，将整片擦除，也可按字位或字节操作，共需要六个总线周期，分 六步完成，前两个周期是解锁周期，第三个周期是建立编程命令，第四第五个周期是解锁周期，最 后个周期是整片擦除周期。

存储器的操作检测 当按照规定的命令序列向存储器发出命令时，其内部的编程或擦除算法就可自动完成编程 或擦除操作，但无论是编程或擦除都需要定的操作时间，同时用户还应了解其内部的操作检测机制， 以便知道操作是否完成或操作是否正确。

常用于检测的状态位有跳变位超时标志位 数据查询位和引脚。

常用的检测方法有三种第种是判断引脚的状态，在编程或擦除操作过程中， 引脚直为低电平，操作完成后变为高电平。

第二种是检测跳变位，在编程或擦除时对任何地址 进行连续的读操作均引起连续跳变，直至操作结束才停止跳变。

第三种方法是使用数据线的 和位，位在编程或擦除过程中输出的数是写入该位数据的反码，当操作完成时输出才变为写 入该位的数据的状态为时表示操作超时，此时应再读次的状态，若输出仍不是 写入的数据，则操作失败，复位存储器。

对于第种方法，需要占用系统的口以判断引脚的状态，故较少使用，而第二种方 法对的连续跳变检测相对较困难，因此，常用第三种方法检测存储器的工作状态。

本例采用第三种方法编程检测存储器的工作状态，程序流程如图。

检测开始 读和 重读和 操作操作成功 图检测存储器状态的流程图 存储器的整片擦除示例 打开或，新建个项目，并新 建个文件，名为，具体内容如下 ， ，配置，片内， ， ，指向的尾地址，堆栈向下生成 该段代码完成的功能为 配置特殊功能寄存器，将片内的体化的配置为 并将用户堆栈设置在片内的中。

的地址为，由于的堆栈由高地址向低地址生成， 将初始化为，。

完成上述操作后，程序跳转到函数执行。

保存，并添加到新建的项目。

再新建个文件，名为，具体内容如下 嵌入式最小系统设计 电源晶振及复位电路，