价。 财务可行性。 技术可行性。由此可见，作为国家微电子产业配套材料的 键合引线，其经济效益和社会效益十分显著。本项目符合国家产业技 术政策，技术含量高，创新性强，可满足微电子封装行业发展需要， 不但能够为微电子行业提供高新技术产品，而且还能够替代同类进口 产品，提高我国微电子行业的国际竞争力，缩短与先进国家的技术差 距，具有十分明显的经济意义和社会意义。 研究范围本报告的研究范围是主要是 投资必要性。根据市场调会风险等风险因素进行评价，制 定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。 二项目区位基本情况 区域位置我县地处西部，为闽赣两省的边陲要冲，相邻 文化教育卫生设施完善。 三项目承办单位概况 中国大陆先生共同出资兴建，现已正式稳步生产。主要生产各 类二极管肖特基桥式镇流器等电子元器件，产品主要用于与三星 索尼松下等大公司产品配套。 风险因素及对策。本项目的市场风险技术风险财务风 险组织风险法律风险经济及社根据市场调查及预测的结果，以及有关的产 业政策等因素，论证项目投资建设的必要性。满足微电子封装行业发展需要， 不但能够为微电子行业提供高新技术产品，而且还能够替代同类进口 产品，提高我国微电子行业的国际竞争力，缩短与先进国家的技术差 距，具有十分明显的经济意义和社会意义。合引线，其经济效益和社会效益十分显著。子器件高端通用芯片和基 础软件，加大开发力度。由此可见，作为国家微电子产业配套材料的 键部分内容简介 和技术发展规划中，按照自主创新重点跨越支撑发展引领未来 的部分内容简介 和技术发展规划中，按照自主创新重点跨越支撑发展引领未来 的方针，加快建设国家创新体系，不断加强企业创新能力，全民提高 科技整体实力和产业技术水平，对核心电子器件高端通用芯片和基 础软件，加大开发力度。由此可见，作为国家微电子产业配套材料的 键合引线，其经济效益和社会效益十分显著。本项目符合国家产业技 术政策，技术含量高，创新性强，可满足微电子封装行业发展需要， 不但能够为微电子行业提供高新技术产品，而且还能够替代同类进口 产品，提高我国微电子行业的国际竞争力，缩短与先进国家的技术差 距，具有十分明显的经济意义和社会意义。 研究范围本报告的研究范围是主要是 投资必要性。根据市场调查及预测的结果，以及有关的产 业政策等因素，论证项目投资建设的必要性。 技术可行性。从本项目实施的技术角度，合理设计技术方 案，并进行比选和评价。 财务可行性。从本项目及投资者的角度，设计合理财务方 案，从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进 行投资决策。 组织可行性。制定合理的本项目实施进度计划设计合理 的组织机构选择经验丰富的管理人员建立良好的协作关系制定 合适的培训计划等，保证项目顺利执行。 经济可行性。从资源配置的角度衡量项目的价值，评价本 项目在实现区域经济发展目标有效配置经济资源增加供应创造 就业改善环境提高人民生活等方面的效益。 社会可行性。分析本项目对社会的影响，包括政治体制 方针政策经济结构法律道德宗教民族妇女儿童及社会稳定性 等。 风险因素及对策。本项目的市场风险技术风险财务风 险组织风险法律风险经济及社会风险等风险因素进行评价，制 定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。 二项目区位基本情况 区域位置我县地处西部，为闽赣两省的边陲要冲，相邻 文化教育卫生设施完善。 三项目承办单位概况 中国大陆先生共同出资兴建，现已正式稳步生产。主要生产各 类二极管肖特基桥式镇流器等电子元器件，产品主要用于与三星 索尼松下等大公司产品配套。 四项目建设背景 国家的改革开放，促进了国民经济的稳步发展。随着我国高 技术产业发展规划的不断推进，我公司依托高校的科研基础，研究和 开发了系列的工业化技术项目，部分项目技术已得到了充分的推广和 转化。单晶铜键合引线替代键合金丝新项目的又突破，更进步体 现了我公司研发项目的专业水准和技术实力。经过多年的探索和研 究，在技术工艺和工艺装备上都得到了初步的推广和完善。使单晶铜 键合引线走向实现引线框架全铜化，全面替代半导体分立器件集成 电路封装材料中键合金丝的关键产品同时单金铜丝在高保真音视 频传输线网络传输线缆方面也是最顶级的材料，目前单晶铜键合引 线正逐步向产业化推广和拓展。 集成电路时信息产品的发展基础，信息产品是集成电路的应用和 发展的动力。伴随着集成电路制造业和封装业的兴起，必然将带动相 关产业，特别是上游基础产业的蓬勃发展。作为半导体封装的四大基 础材料之的键合金丝，多年来虽然是芯片与框架之间的内引线，是 集成电路封装的专用材料，但是随着微电子工业的蓬勃发展，集成电 路电子封装业正快速的向体积小，高性能，高密集，多芯片方向推进， 从而对集成电路封装引线材料的要求特细，而超细的键 合金丝在键合工艺中已不能胜任窄间距长距离键合技术指标的要 求。在超细间距球形键合工艺中，由于封装引脚数的增多，引脚间距 的减小，超细的键合金丝在键合过程中常常造成键合引线的摆动键 合断裂和踏丝现象对器件包封密度的强度也越来越差成弧能力的 稳定性也随之下降，从而加大了操作难度。另外，近几年来，黄金市 值路飚升，十年时间黄金价格增长了多，给使用键合金丝的 厂家，增加了沉重的原材料成本，同事也加大了生产及流动成本，生 产厂商的毛利润由降到了，从而导致了资金周转缓慢，制约了 整个行业的技术提升及规模发展。由此表明，传统的键合金丝根据自 身的特点已经达到了其能力极限，再也不能满足细线径高强度低 弧度长弧形并保持良好导电性的要求。因此，随着半导体集成电 路和分立器件产业的发展，键合金丝无论从质量上数量上和成本上 都不能满足国内市场的发展要求。特别是低弧度超细金丝，大部份主 要依赖于进口，占总进口量的以上。所以国家在新的五年计划期 间，提出把提高新型电子器件创新技术和工艺研发水平纳入国家专项 实施重点规划项目来抓，大力开发高科技高尖端节能降耗绿色 环保型半导体集成电路封装新材料。 随着电子信息时代的飞速发展，其应用基础与核心的大规模集成 电路超大集成电路和甚大规模集成电路的特征间距尺寸已走过了 的路程，直至当今的生产水平。其 集成度也达到数千万只晶体管至数亿只晶体管，布线层数由几层发展 至层，布线总长度可高达。这样来，硅芯片上原由铝布 线实现多层互连，由于铝的高电阻率制约，显然难以得到发挥。所以 在芯片特征间距尺寸达到或更小时，根据研究我们采用了电 阻率低电气性能和机械性能俱佳，以及价格低廉的单晶铜丝进行了 多次的键合试验景 单晶铜丝用于键合引线有以下优势 其特性 ⅰ单晶粒相对目前的普通铜材多晶粒，而单晶铜丝只有 个晶粒，内部无晶界。而单晶铜杆有致密的定向凝固组织，消除了横 向晶界，很少有缩孔气孔等铸造缺陷且结晶方向拉丝方向相同， 能承受更大的塑性变形能力。此外，单晶铜丝没有阻碍位错滑移的晶 界，变形冷作硬化回复快，所以是拉制键合引线 的理想材料。 ⅱ高纯度目前，在我国的单晶铜丝原材料可以做到 或的纯度 ⅲ机械性能好与同纯度的金丝相比具有良好的拉伸剪切强度 和延展性。单晶铜丝因其优异的机械电气性能和加工性能，可满足封 装新技术工艺，将其加工至的单晶铜超细丝代替金丝， 从而使引线键合的间距更小更稳定。 导电性导热性好单晶铜丝的导电率导热率比金丝提高 ，因此在和金丝径相同的条件下可以承载更大的电流，键合金丝 直径小于时，其阻抗或电阻特性很难满足封装要求。 低成本单晶铜丝成本只有金丝的，可节约键合封 装材料成本比重是金丝的，吨单晶铜丝可替代吨金丝 当今半导体行业的些显著变化直接影响到了互连技术，其 中成本因素也是推动互连技术发展的主要因素。目前金丝键合长度超 过，引线数达到以上，其封装成本超过美元。而采用单 晶铜丝键合不但能降低器件制造成本，提高竞争优势。对于密耳焊 线，成本最高可降低，密耳可达。 单晶铜键合引生产技术成熟随着电子封装技术的发展，封 装引脚数越来越多，布线间距越来越小，封装厚度越来越薄，封 装体在基板上所占的面积越来越小，这使得低介电常数高导热的 材料越来越必需，这些更高的要求迫使芯片封装技术不断突破，不 断创造新的技术极限。现在封装的技术指标将进入个新平台。 年芯片封装的技术指标水平如下 特征线宽芯片间距 焊球直径④倒装芯片数个 银线键合速度线定位精度 键合时间 单晶铜键合丝成分分析 成 分 铜 含 量 单晶铜与多晶铜的力学性能对比 试样抗拉强度屈服强度伸长率维氏硬度断面收缩率 单晶铜 多晶铜 铜纯度 直径公差 断裂延长率 抗张强度 密度 电阻率 铜线键合所面临的挑战 铜易于氧化 铜线的表面很容易产生过多的氧化层，这将影响到圆金属焊球 的成形。而这步往往是形成良好键合的关键。铜的氧化还可能会导 致腐蚀裂缝。铜的焊接性能也比较差，这是由于焊接中铜的氧化与 铜线表面的污染造成的。铜线表面还会被有机物污染，对于这种污 染般采用离子清洗法对其表面进行清洗来去除。而铜的氧化， 种是在室温下由于其外表面长期与空气接触而产生的氧化现象，其 成分为另种是在焊接加工过程中高温作用下铜与氧气发生 的反应，其成分为。铜线在焊接过程中存在这两种氧化物，正