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(外文翻译)10Gbs的高性能PIN和APD光接收器(外文+译文) (外文翻译)10Gbs的高性能PIN和APD光接收器(外文+译文)

格式:RAR 上传:2022-06-25 05:33:20

《(外文翻译)10Gbs的高性能PIN和APD光接收器(外文+译文)》修改意见稿

1、以下这些语句存在若干问题,包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....ε.,.ε.,.,,.,.,,ε.,.ε.,方见图。使金属合金与扩散结连接,以便允许电跟结区端接通。在把衬底减薄到微米后,薄片背后金属是用来提供电气与端连接。背面金属上光圈允许光耦合到处在被光活跃几何区,在光圈中防反射涂层是来消除来自接口反射。设计时些关键设备造成冲突必须得到约束,并得到优化从而具有为良好高频性能......”

2、以下这些语句存在多处问题,具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....标准二极管有两个基本带宽限制有限渡越时间信号衰减。只有在增加单位面积电容和较低量子效率导致响应较低费用时,才可以通过缩短减少厚度活跃地区来减少光子传输到活跃地区时间。对减薄活性层而靠电容增加趋势,可以通过降低总交界处被来抵消,但是这将使实现高光耦合效率和可靠电气连接例如,焊线具有更大困难......”

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题,包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅,以及内容阐述不够详尽和全面——“.....并解决描述相互矛盾,只要使用直径微米设备就行了。在这种情况下,有源层宽度.产生平均运输时间约,这就意味最大带宽为。假定有负载,由此.电容形成带宽。请注意,接触电阻低是另个减少电路带宽限制必要设备。利用微波探头光电二极管直接测量可以确认大于设备带宽。最后,假设防反射涂层可减少表面反射到可以忽略不计水平......”

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵,包括语法错误、标点符号使用不规范,句子结构不够顺畅,以及信息传达不充分,需要综合性的修订与完善——“.....其中对于和波长为.微米光光吸收系数为.。雪崩光电探测器与二极管相比,雪崩光电二极管设计上传输速度达到是更困难,但有益于接器机灵敏度提高。提供了种规避二极管基本量子限制有效手段,这就决定每个光子只能产生个电子空穴对。结构被设计是用来创建个足够高电场区域以便给光生载流子加速,并通过与原子碰撞电离......”

5、以下这些语句存在多种问题,包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅,以及信息传达不够完整详尽——“.....新产生电子空穴对也同样加快,并使载流子引发雪崩效应,从而提供了内部能量导致其吸收光子,产生更多电子空穴对。所有采用个单独吸收和乘法结构见图,因为在雪崩效应发生前,吸收区高领域会引起大隧道电流。低掺杂吸收区和倍增区被型层分隔,用来维持低电场和高电场。倍增区被类似用于制造结扩散技术创造结终止......”

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进,具体而言:标点符号运用不当,句子结构条理性不足导致流畅度欠佳,存在语法误用情况,且在内容表述上缺乏完整性。——“.....从而使之具备发生雪崩种子。虽然在雪崩效应时内部有噪声由于每个光子产生电子空穴对随机波动,但只要这个雪崩噪声是没有比从其他组件在接收器噪声如放大器大,可以提高接收器上信噪比。在具有高频率时,放大器噪声是不可避免。图和结构图设计是复杂,由许多因素组成......”

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题,需改进——“.....平面扩散口几何包括在扩散口周边固有曲率。这曲率通常会导致局部电场增强,以及随之而来交界处边缘雪崩效应增强,而导致在整个设备上发生倍增不均匀。为了解决这个问题,我们已经使用了种新双扩散技术去塑造扩散轮廓边缘,使边缘领域减少。实现高带宽性能,同样涉及在二极管描述过传输时间和限制......”

8、以下文段存在较多缺陷,具体而言:语法误用情况较多,标点符号使用不规范,影响文本断句理解;句子结构与表达缺乏流畅性,阅读体验受影响——“.....雪崩过程本身固定增益带宽施加了个额外带宽约束。载流子加速和碰撞电离包括产生雪崩增益过程都要求“雪崩建立”时间比例增加,因此运行时间越长,器件带宽越低。需要注意是另种新带宽限制过程,那就是雪崩过程中在倍增区中产生所有电子都必须经过吸收区而达到型结区。当被使用倍增区变更薄,产品增益带宽变得更高。当倍增层厚度减少.微米......”

9、以下这些语句存在多方面瑕疵,具体表现在:语法结构错误频现,标点符号运用失当,句子表达欠流畅,以及信息阐述不够周全,影响了整体的可读性和准确性——“.....图千兆赫增益带宽曲线图我们设计有个非常有吸引力属性,那就是它更用于制造平面二极管有相同固定流程。可以预期是这会导致产品产量提高和设备可靠性提高。我们已经证实,我们.基础结构类似上述设备有可靠性能,媲美于二极管,而我们在初始寿命测试已提供了类似结果......”

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