电气与端连接。背面金属上光圈允许光耦合到处在被光活跃几何区，在光圈中防反射涂层是来消除来自接口反射。设计时些关键设备造成冲突必须得到约束，并得到优化从而具有为良好高频性能。最重要是能够实现足够带宽。标准二极管有两个基本带宽限制有限渡越时间信号衰减。只有在增加单位面积电容和较低量子效率导致响应较低费用时，才可以通过缩短减少厚度活跃地区来减少光子传输到活跃地区时间。对减薄活性层而靠电容增加趋势，可以通过降低总交界处被来抵消，但是这将使实现高光耦合效率和可靠电气连接例如，焊线具有更大困难。为实现性能，并解决描述相互矛盾，只要使用直径微米设备就行了。在这种情况下，有源层宽度产生平均运输时间约，这就意味最大带宽为。假定有负载，由此电容形成带宽。请注意，接触电阻低是另个减少电路带宽限制必要设备。利用微波探头光电二极管直接测量可以确认大于设备带宽。最后，假设防反射涂层可减少表面反射到可以忽略不计水平，这种装置量子效率η仍然是相当高η，其中对于和波长为微米光光吸收系数为。雪崩光电探测器与二极管相比，雪崩光电二极管设计上传输速度达到是更困难，但有益于接器机灵敏度提高。提供了种规避二极管基本量子限制有效手段，这就决定每个光子只能产生个电子空穴对。结构被设计是用来创建个足够高电场区域以便给光生载流子加速，并通过与原子碰撞电离，产生电子空穴对。新产生电子空穴对也同样加快，并使载流子引发雪崩效应，从而提供了内部能量导致其吸收光子，产生更多电子空穴对。所有采用个单独吸收和乘法结构见图，因为在雪崩效应发生前，吸收区高领域会引起大隧道电流。低掺杂吸收区和倍增区被型层分隔，用来维持低电场和高电场。倍增区被类似用于制造结扩散技术创造结终止。设备极性取决于空穴产生比碰撞电离电子有更高概率因此设计结构易于光生空穴从注入到倍增区，从而使之具备发生雪崩种子。虽然在雪崩效应时内部有噪声由于每个光子产生电子空穴对随机波动，但只要这个雪崩噪声是没有比从其他组件在接收器噪声如放大器大，可以提高接收器上信噪比。在具有高频率时，放大器噪声是不可避免。图和结构图设计是复杂，由许多因素组成。其中最重要是要控制设备边缘过早雪崩击穿。平面扩散口几何包括在扩散口周边固有曲率。这曲率通常会导致局部电场增强，以及随之而来交界处边缘雪崩效应增强，而导致在整个设备上发生倍增不均匀。为了解决这个问题，我们已经使用了种新双扩散技术去塑造扩散轮廓边缘，使边缘领域减少。实现高带宽性能，同样涉及在二极管描述过传输时间和限制。然而，雪崩过程本身固定增益带宽施加了个额外带宽约束。载流子加速和碰撞电离包括产生雪崩增益过程都要求雪崩建立时间比例增加，因此运行时间越长，器件带宽越低。需要注意是另种新带宽限制过程，那就是雪崩过程中在倍增区中产生所有电子都必须经过吸收区而达到型结区。当被使用倍增区变更薄，产品增益带宽变得更高。当倍增层厚度减少微米，我们就可取得了约千兆赫增益带宽产品见图。图千兆赫增益带宽曲线图我们设计有个非常有吸引力属性，那就是它更用于制造平面二极管有相同固定流程。可以预期是这会导致产品产量提高和设备可靠性提高。我们已经证实，我们基础结构类似上述设备有可靠性能，媲美于二极管，而我们在初始寿命测试已提供了类似结果。总结现在设计制造光接收模块得传输速度都已经可到达。根据灵敏度要求，或探测器都可以采用。随着光模块物理描述，平面探测器设计和制造也被相应提出。随着对受微波性能影响关键电路元件识别效果重视，提出了基于微波仿真详细电气分析。最后，对和接收器测试结果模拟结果进行了比较，呈现出比较强相关性。作者，国籍美国出处电子元器件及技术会议，，，，，，，，，，