硅合成过程中，除了生成三氯氢硅的主反应外，同时发生生成最高级的硅的氯化物聚氯硅烷合物的反应。聚氯硅烷合物是种易燃易爆的物质。这些化合物将会在三氯氢硅提纯工序的精馏塔底部被浓缩，这样将会大大提高它们的易燃性，故需定期从相关的精馏塔底部，排出定量的主要含有四氯化硅和聚氯硅烷合物的液体并送到本工序加以处理。另外，装置停车放净的氯硅烷液体也需送入本工序。需要处理的液体被送入残液收集槽。然后用氮气将液体压出，送进灌注有石灰水的残液处理槽的液下。通过不停地搅拌，废液中的氯硅烷与发生如下反应而被转化成无害的物质从槽顶逸出的气体，引入尾气处理塔。经过规定时间的处理，用泵从槽底抽出含的液体，送往全厂污水处理车间。多晶硅车间多晶硅车间分为两个部分多晶硅还原工序，四氯化硅氢化工序。分述如下多晶硅还原工序用作制取多晶硅的原料的精制三氯氢硅来自三个途径由三氯氢硅合成工序合成，从三氯氢硅提纯工序精馏出精制三氯氢硅，从三氯氢硅氢还原制取多晶硅反应后的氯硅烷经精馏分离出精制三氯氢硅，用三氯氢硅氢还原制取多晶硅反应后的氯硅烷中分离出的四氯化硅，经氢化反应生成三氯氢硅，再经精馏提纯得到的精制三氯氢硅。对来自三氯氢硅提纯工序的精制三氯氢硅，在完成必要的分析和达到规定要求之后，将其从三氯氢硅提纯工序进入到用热水加热的三氯氢硅汽化器，由汽气混合气分离系统分离出的循环氢气和补给的电解氢气同样也输往三氯氢硅汽化器。汽化器的输出气量为各台还原炉进气量之和。与此输出气量相适应，通过调节输入的三氯氢硅液体流量，维持汽化器和分离器内的液位通过调节加热水的流量，控制汽化器内的介质温度，获得稳定适宜的三氯氢硅蒸汽分压通过调节氢气的输入量，控制汽化器内的压力，获得稳定适宜的混合汽总压，从而得到所需的三氯氢硅蒸汽与氢气的配比。如此，三氯氢硅蒸汽和氢气的汽气混合气以规定的配比和由各还原炉进气量决定的总流量输出。出汽化器的汽气混合气，经各进气支管上的调节阀分配适宜的气量，分别送入还原反应炉。在炉内通电的高温硅芯硅棒的表面，三氯氢硅被氢气还原成晶体硅沉积于硅芯硅棒表面，使硅棒直径不断长大，直至达到规定的尺寸。主要反应式如下按程序控制汽气混合气供入每台还原反应炉的流量。汽气混合气的适宜流量取决于长大的硅棒的直径。定期开炉卸出多晶硅棒，安装硅芯。多晶硅棒送去破碎清洗包装。三氯氢硅还原反应后，含有氢气，三氯氢硅，四氯化硅，二氯二氢硅和氯化氢的汽气混合气出还原反应炉，送往汽气混合气分离系统，将氯硅烷氢气和氯化氢分离。氯硅烷送去三氯氢硅提纯工序氢气返回三氯氢硅汽化器，循环用于三氯氢硅的还原氯化氢送去三氯氢硅合成工序。向反应炉夹套通循环热水，移走辐射至炉壁的热量，以维持适宜的炉壁温度。进夹套的热水温度为。出夹套热水的温度为，该热水经冷却器用循环水冷却至，进入热水槽，然后用泵又循环至反应炉夹套。多晶硅还原系统设置台对棒还原反应炉。四氯化硅氢化工序为了提高原料的利用率，将从多晶硅制取后得到的氯硅烷冷凝液中精馏分离出的四氯化硅与氢气反应，生成三氯氢硅重新用于多晶硅的制取。四氯化硅氢化部分设置台氢化反应炉。在对来自三氯氢硅提纯工序的精制四氯化硅在完成必要的分析，达到规定要求之后，将其送入到用热水加热的四氯化硅汽化器，由汽气混合气分离系统分离出的循环氢气和补给的电解氢气同样也输往反应器。汽化器的输出气量为各台氢化反应炉进气量之和。与此输出气量相适应，通过调节输入的四氯化硅液体流量，维持汽化器和分离器内的液位通过调节加热水的流量，控制汽化器内的介质温度，获得稳定适宜的四氯化硅蒸汽分压通过调节氢气的输入量，控制汽化器内的压力，获得稳定适宜的混合汽总压，从而得到所需的四氯化硅蒸汽与氢气的配比。如此，四氯化硅蒸汽和氢气的汽气混合气以规定的配比和由各氢化炉进气量决定的总流量输出。出汽化器的汽气混合气，经各进气支管上的调节阀分配适宜的气量，分别送入氢化反应炉。在氢化反应炉中设置有П型碳碳复合材料加热装置，为四氯化硅氢化反应提供的反应温度，四氯化硅的氢化反应如下四氯化硅氢化反应后，含有三氯氢硅，氯化氢以及未反应的氢气和四氯化硅的汽气混合气出反应炉，送往汽气混合气分离系统，将氯硅烷氢气和氯化氢分离。氯硅烷送去三氯氢硅提纯工序氢气返回四氯化硅汽化器，循环用于四氯化硅的氢化氯化氢送去三氯氢硅合成工序。向反应炉夹套通循环热水，移走辐射至炉壁的热量，以维持适宜的炉壁温度。进夹套的热水温度为。出夹套热水经冷却器用循环水冷却至，进入热水槽，然后用泵又循环至反应炉夹套。高纯多晶硅后处理工序高纯多晶硅后处理工序工艺说明在还原炉中的多晶硅棒由平衡吊取出，直接装入加热箱内，用车将加热箱运输到加热工序。同时在此过程中按照国际标准和用户要求对每炉产品进行取样，分析多晶硅的电阻率施主受主杂质含量碳含量寿命及体内金属含量等指标。用升降装置把装有三对多晶硅棒的安装好的容器置入电加热炉内加热，加热到设定温度后，从炉中取出加热的容器，将其放入冷却槽，以便于在硅棒中产生裂纹，然后将容器移至个洁净的空间取出硅棒，通过敲击将多晶硅棒破碎。破碎了的硅块需要进行分选，将石墨头部分人工选出。石墨头进入头尾料处理程序，产品进行表面金属杂质含量分析，如达到国际标准，直接进入装袋称重封装工序如达不到要求，进入清洗工序。清洗分为混合酸腐蚀纯水冲洗浸泡超声清洗和烘干几个步骤。其中混合酸是硝酸和氢氟酸按定比例配制的。烘干后的多晶硅块采用人工装袋称重。包装袋采用双层塑料，内包装袋采用进口塑料袋，外包装袋采用国产塑料袋。产品包装好后，经热合机封口，并由手推车人工推至后处理工序内的产品仓库堆存。每袋公斤或公斤。然后按箱或箱规格，用电瓶叉车送入仓库堆放主要设备说明平衡吊移载系统该机包括气动平衡吊主机，其额定负载能力为供气压力下。形夹持式专用夹具，其可进行角度翻转，并可集成控制手柄。加热破碎装置加热破碎装置采用由俄罗斯设计的加热破碎装置，本装置主要有以下特点可同时加工原料多晶硅棒的尺寸为最大直径为毫米最大长度为毫米可同时加工根原料多晶硅棒加热的最高温度为④温度调节的准确性为电炉的功率约为冷却水采用蒸馏水容器材质为钛材为循环工作状态。清洗设备清洗设备由四大部分组成清洗机系统，隧道式干燥装置，自动供液配液及自动补酸系统，电气控制系统。清洗机系统由本体上料装置工艺槽阶梯式溢流水洗槽传动系统排风系统机械手运动装置组成。隧道式干燥装置由干燥烘箱传送带及下料工位组成。自动供液配液及自动补酸系统该系统用于将原液按照工艺要求的比例配制好，提供给清洗机并能按照工艺要求进行自动补酸。电气控制系统由和模块控制设备对待处理工件按所设定工艺进行自动清洗，并通过控制传送带的速度以及干燥烘箱的温度，使工件烘干。由清洗机本体发出配液补液信号，通过控制实现自动配液和自动补酸。硅芯制备工序硅芯制备采用德国进口先进的硅芯炉拉制。拉制成的细圆条，然后用氢氧焰将细方条焊接为生产要求的形，经清洗处理后待用。本工序配备的主要设备为硅芯焊接的专用氢氧焰焊接机专切丫口的小型金刚石砂轮切磨机硅芯炉高频电源发生器高压变压器，高频振荡器专用塑料风橱配有塑料排风机不锈钢专用真空干燥箱和不锈钢红外干燥箱。氢气制备及净化车间在电解槽内电解水，分别制得氢气和氧气。出电解槽的氢气和氧气分别用氢气碱液冷却器和氧气碱液冷却器冷却后，气体分别通入到各自的气体分离器，分离出夹带的电解液。用碱液泵从两种气体分离器抽出分离下来的液体，送回电解槽使用。出氢分离器的氢气，送入除氧器。在催化剂的作用下，杂质氧气与氢气反应生成水，从而被除去。氢气氧气分别输往氢冷却器和氧冷却器进步冷却，再经气水分离器分离水后，分别输往氢气氧气干燥单元，用吸附法进行干燥。燥后的氢气，进入氢气贮罐，然后被分别送往多晶硅装置的氯化氢合成多晶硅制取四氯化硅氢化等工序。干燥后的氧气，进入氧气贮罐，然后送去装瓶外售。在碱液配制槽内，用蒸汽冷凝水和高浓度的或配制电解液，然后用泵送入电解槽。电解槽中的废电解液每两年抽出来中和次。工艺废料处理车间废料来源本车间主要处理从多晶硅制取车间三氯氢硅合成车间三氯氢硅提纯车间以及质量控制化验室出来的污水和固体废硅渣。本车间有三个工序Ⅰ类废水处理工序Ⅱ类废水处理工序废硅渣处理工序污水和晶硅废物量及成分污水根据其化学成分可分为两类类污水有两种类型的类工艺废水将进行净化三氯氢硅提纯车间尾气净化过程中产生的酸性废水，及三氯氢硅合成车间废气净化过程中产生的碱性废水三氯氢硅提纯车间冲洗精馏塔及晶硅固体废渣处理过程中产生的酸性废水。Ⅱ类污水主要是来自多晶硅制取车间和质量控制化验室的含氟污水，其组分中有氢氟酸硝酸硫酸苛性钾等。产品产量和原材料辅助材料及公用工程消耗定额及消耗量产品产量产品产量表名称产品产量单位主产品电子级多晶硅吨年原材料辅助材料及公用工程消耗定额及消耗量原材料辅助材料及公用工程消耗定额及消耗量表序号名称规格单位消耗定额每吨多晶硅产品平均消耗量每小时最大消耗量每小时年消耗量备注原料及辅助原料硅粉纯度吨液氯纯度优级品吨氢氟酸纯氢氟酸公斤硝酸无水硝酸公斤氢氧化钠溶液吨生石灰以计吨氢气纯度二公用工程序号名称规格单位消耗定额每吨多晶硅产品平均消耗量每小时最大消耗量每小时年消耗量备注蒸气吨循环水工业水脱盐水电阻率超纯水电阻率冷冻乙二醇仪表用压缩空气，露点氮气电主要原辅料消耗详见附图四多晶硅装置总物料平衡图。自控技术方案简述本项目主要工艺装置由氯氢化合成三氯氢硅精馏多晶硅还原等装置组成。各个工艺装置的主要的工艺参数均送到中央控制室进行集中显示监控操作。对于重要的工艺