1、“.....配备相适应灭火器。重要物品及药具储藏用具应用不燃材料制成。在电气系统设计中，确保用电设备及电气接地系统可靠性，要设置完备防雷装置。加强管理，明确消防责任，提高消防意识，确保消防安全。劳动安全卫生清洁卫生每天对机械设备场地进行清扫清洗，消杀灭菌，保证表面清洁，没有附着污垢和渗滤液。定期对站内外打药消灭蚊蝇和长年放置诱捕器。人员管制工作人员严格按垃圾转运操作规范操作。工作人员工作时必须穿戴工作服口罩手套。定期健康检查。第十章组织机构与定员组织机构建立垃圾中转工作机构，实行站长负责制。劳动定员每站劳动定员人，其中管理人员人。共计人，其中管理人员人。人员由原环卫人员选调，不足部分从社会上招聘。人员培训为更好做好垃圾转运工作，提高中转站服务水平，本项目建成后，应对上岗人员进行岗前培训......”。

2、“.....把“严格要求严密组织严谨态度”落实到各项工作中。第十章项目实施进度安排项目管理本项目承办单位为孙店镇人民政府。成立项目建设领导小组，由乡镇主管领导任组长，强化项目管理，以确保项目高质量高标准按进度计划安排工期完成。项目实施要严格按照“项目法人制施工招标制和质量管理责任制”原则进行管理。实行工程质量终身负责制。对项目建设工程质量负主要责任领导参建单位领导人和直接责任人，实行工程质量终身追究制度。实行工程监理制。项目建设过程中，聘请有资格监理单位和人员，对项目建设进行监理，抓好工程进度，提高工程质量，降低成本。严格按照基本建设程序办事。建设过程中，接受发改审计等部门和社会舆论监督，建成后按照有关规定进行严格竣工验收。加强项目资金管理。对项目资金实行专帐管理专款专用，严禁挪用和挤占。实施进度安排本项目建设应在可行性研究报告批准后实施......”。

3、“.....为加强建设周期，各阶段应尽量提前完成。并允许有定交叉。项目建设周期个月。项目实施进度计划表项目月份可研编制及报批设计施工准备土建施工交工验收第十二章项目招投标方案为确保项目建设工程质量，缩短工程建设期，防范和化解工程建设中违规行为，保护国家利益社会公共利益和招标投标活动当事人合法权益，按照中华人民共和国招标投标法，编制了本项目招投标方案。招标范围及招标组织形式本项目招标很明显。这使得应力作用不可能形成层错。不过，可以想到，低于射线技术的检测限的应变可以使层错扩张，后来我们将试图消除这种可能性。在量子阱模式情况下，剪切方向和额外的半面的方向确实不重要，如果由于掺杂不同引起的应变能量可以忽略，那么在高掺杂层里，用相同的频率可以观察到这两个方向。事实上......”。

4、“.....那么最早大多数的应变自由层会通过插入或者额外材料的去除来张紧。为了减小这种能量，模型应该在相同的比列下产生两种类型的层错。图个双重堆垛层错的两个边界部分向下额外面的高分辨图像。伯格斯线路和矢量用圆圈和箭头标记。由于基面倾向外延层表面度，所以图像左边指向结构的表面。通过高分辨，对大约种堆垛层错进行了研究。他们所有都有包含立方堆积顺序排列的六层的结构。这些结构与和等人报道致，对应于在两相邻基面上通过部分位错的滑动形成的双层堆垛层错。种堆垛层错的末端通过高分辨被观察到，如图和所示的两个例子。图的显示的是对肖克利层错的两边界部分的高分辨图像。图的左边对应于层的顶部，基面朝结构表面倾斜度，堆垛层错从图的左边移动到右边。在图的左边，可以看见对肖克利层错个堆垛序列。在右边，序列变成，对应于个单独的肖克利层错。这意味着图像包含个双层错边界的部分位错......”。

5、“.....额外的半平面和位错是朝下向衬底。图表明同样堆垛层错的高解析度的图像就像图，其还包含另个双层层错的复层。它在图中位于离显示的区域纳米。在图中，堆垛序列由个单独的肖克利层错变为完整的序列。伯格斯线路表明在图中，部分位错也是个由相同伯格斯矢量的肖克利部分层错。伯格斯矢量用箭头标记相应于位错边界组成的额外半平面向下延伸。观察到的所有双层堆垛层错末端由两个位于相邻基面的边界部分。两个部分之间的距离在到纳米间。在模型中，两部分不能太远，因为如果太远的话，单独的层错区域会变得更宽且这是不利的。两部分不能太近，因为他们由同样的伯格斯矢量，会相互排斥。两部分之间的距离可能取决于这之间相互竞争的因素。图向上的额外面的两边界部分的高分辨图像......”。

6、“.....图和的取向和内容与图相似。在图中，对肖克利层错变成了随着图所示变成完整堆垛序列的个单独的肖克利层错。对于图两部分的额外面的位置与图的不同两个平面向下指向表面，且他们存在外延里。这个单独的观察由于掺杂不同所引起的应力诱导作为形成层错的动力。有人可能会问，但是，如果生长里的缺陷形成的局部应力诱导可能会有效的。答案似乎是否定的。研究中分析的两个双层错只有纳米的距离，他们有不同的伯格斯矢量痕迹。因此，导致扩张的剪应力必须在小距离下扭转这个痕迹是个极不可能的结果。总之，我们已经通过高解析度分析了在重掺杂的型外延层里扩张堆垛层错的部分位错边界。在外延层基体界面的位错有相反的伯格斯矢量标记。这不包括机械变形作为双重堆垛层错的个形成机理，只把作为对这现象唯合理的解释。这项工作已经得到了美国海军研究局批准。批准号。附件外文原文复印件......”。

7、“.....在用氩气氧化和退火的过程中，已经观察到在高度掺杂的碳化硅里堆垛层错的形成。提出了几种不同的形成机理。等人提出在型碳化硅基体上氧化过程沉积的掺杂氮的碳化硅同质外延层中，有堆垛层错形成。通过，以个立方堆积顺序排列的堆垛层错带已经观察到。此外，在.时，能观察到个阴极射线峰并用来解释是因为碳化硅中夹杂物。在氩气气氛和同样的条件下，退火的样品显示了同样的化学发光规律。作者认为，堆垛层错的形成时由于在外延层和基体间掺杂不同所诱导的应力。等人观察到，在氧化后，带有微量氮的外延层的高掺杂碳化硅基体的弯曲。发生弯曲的区域通过与同步白束射线图像的对比，显示出高的位错相关性。发光光谱显示发光带邻近的特征性发射。作者认为氧化引起间隙的贯通可作为型夹杂物的个可能的形成机理。前面段落所提到的模型是基于机械变形和点缺陷贯通两种有好的记载的很坚实的堆垛层错形成机理......”。

8、“.....等人在度和度之间压缩型，超过度，已基面伯格斯矢量为的位错运动变形。这些典型的位错根据反应，被分成开头和结尾部分的位错。在边界部分中心，没有硅原子就有碳原子，因此并将会有不同的性质。在度时，边界部分平衡距离间被观察到在纳米到纳米之间。在度到度之间，只有硅中心部分位错在他们后面观察到宏观的堆垛层错的移动。对于边界部分的移动，激活的温度的不同显然是由于位错中心的不同结构所致。在硅中存在的点缺陷贯通是另个堆垛层错形成机理。在硅氧化期间，氧原子已经被观察到代替硅原子进入间隙位置，该位置上，氧原子在硅氧化物界面附近的面紧密排列形成额外层，这个额外的面是外在的弗兰克缺陷。等人根据理论计算等人根据实验结果，最近提出了个形成机理。这些作者认为堆垛层错可以在高度型掺杂的中自发形成......”。

9、“.....等人观察在氩气度的高掺杂碳化硅晶体中堆垛层错带的退火。这些层错分布在整个晶体中，并通过高清晰被确认为双层肖克利堆垛层错。导致形成堆垛层错的间隙贯通机理从层错结构方面考虑可以消除。等人计算了由于电子进入量子阱状态而得到的能量增加，把其作为通过中性浓度条件的温度和氮掺杂浓度的个函数。计算结果表明，在典型设备加工温度下掺杂浓度比三剩以十的十九次方更高的晶体里，堆垛层错可以自发形成，这与等人观察致。然而，迄今为止对于是应力作用还是量子阱作用形成堆垛层错，还没有确凿的实验证据。在这项研究中使用的样品包括通过化学气相沉积生长的大约微米厚的型同质外延层。的衬底向削减度。通过来确定自身的结构是自由的堆垛层错。小方片被切下并对通过研磨粉研磨无论是得到的还是引入的损伤表面进行退火。氩气气氛下的度退火进行分钟。在退火和在形成的任何面没有氧化标志的保留的干净表面......”。