器组成三端电容电桥来测量，它分辨率达到，此电容电池使用规格赫兹超精密电容电桥请注意，有用相对分辨率是有制造商建议，通常是或以上相对分辨率。电容电桥校准，通过个国家标准与技术研究院随规定参考校准电容，两者差值须在要求范围内。所有测量数据在温度湿度装置中进行处理。电容电池需在每个温度达到平衡，真空电容相对波动不大于。气压监测采用数字压力传感器，制造商说明误差值帕。正如论文Ⅱ中，电解槽内温度校正用过个黏贴在电解槽热导体上热电阻器来实现。是通过中温度计测量标准参考值来设计。在论文Ⅱ中，因为我们使用是干燥空气净化，所以我们可以用理想气体定律来校正，以确定空气摩尔体积来计算式中绝对温度压力气体常数。从这个等式和干燥空气摩尔空气体积常数可得，该电极空气分离介电常数为测量电解槽校正使用样品计算厚度，必须知道有效面积。为了确定该值随温度变化而如何变化，在论文Ⅱ中，我们用过样品得到面积和厚度校正约为。在论文Ⅱ中，实际尺寸由个专门测定球平面游标卡尺和个线性电压位移传感误差为。该电解槽通过论文Ⅱ所述样品。测量温度分别在。电解槽内温度在每个温度段测量三次，每次测量后都记录电容值，大约用小时，秒采样次总共有个数据点。在区采用电容量来测量。在较高温度下所有测量值都将通过膨胀和收缩根据随温度变化函数来校正。该电极有效半径与温度关系如图图底部电极有效半径随温度变化和使用校正其膨胀测量。图型单晶硅随温度变化曲线所显示数据型单晶硅为了证明该电解槽能精密测量，并提供准确热膨胀值，个单端毫米厚圆片，以型晶体硅为中心，厘米电阻划分以划线成三块。每片约为。这些材料用蒸馏水和乙醇清洗。电解槽组装就跟论文中描述样，放置在真空炉中约小时以成为有效地样品。测量分别在每点采样两次在环境与压缩机室内点不采样。圆晶片厚度通过图三所示温度数据对应有效半径来确定。从图分析结果可以得到硅晶体管厚度。应该指出是标准引用在标准数据，而我们已经测量数据。因此，标准参数相对扩张数据可以从图中得到等式式中是在温度下膨胀系数。很明显，这两组数据在试验上有定误差。在温度下进行重复测量数据，以便较小误差。这里得到些电容电解池关键结论。首先，取消先前设计限制对硅样品检测。第二，结果表明，电容电解池产生数据与文献基本致。最后，我们进步证实了样品测量技术优势。通过研究数据结果表明此设计可行性。这项研究是研究人员之，公司恩迪科特，微电子和计算机技术公司电子产品和系统中心，马里兰大学，康奈尔大学，德克萨斯大学奥斯汀分校，普渡大学和半导体研究公司利用各种技术对单晶硅热膨胀系数测量。用个毫米单晶硅样品作为研究对象。硅膨胀系数所有实际值分别在相应温度范围。我们样品虽然只有般半厚，但我们实验误差值相对较小。应当指出，我们总精度与实际厚度无关，主要误差是由于电极样品间影响。因此，如果我们用较厚样品，在研究中循环测量，将能减小我们测量结果误差最后，应该提到是由于硅是最坏情况在新电容电解池中，就认为它是没有必要对金属单晶样品进行更高热膨胀系数测量。但是，对连接在架空可得保护环高低电极版间硅晶体测量，就如同是在硅晶体样品上测量。测量电容量保持致，这表明，导电材料也可以用来测量。结论我们已提出并设计了半导体材料以及电介质测量和我们电容电解槽实现。通过热膨胀系数得到了我们新型电容电解槽，对于型单晶硅能力已经得到了证明，测量单元选材需通过热膨胀值来确定。因此，很明显，这也可以计量硅片上聚合物薄膜。此外，这种单元还可以用来研究湿热扩张水分存在引起肿胀可通过利用在描述数据复位技术来实现。因此，这种技术广泛应用于内层介电层以及复合材料结构微电子包装领域。鸣谢作者在此感谢半导体电子部门博士提供硅样品。,,作者,国籍出处,,,,,,,,,,,,作者,国籍出处