内部复位操作，硬件复位脉冲要保持两个机器周期个时钟周期有效，在这种情况下，内部禁止访问片内，而允许访问其它端口。为了避免可能对端口产生以外写入，激活空闲模式那条指令后条指令不应该是条对端口或外部存储器写入指令。空闲和掉电模式外部引脚状态模式程序存储器空闲模式内部数据数据数据数据空闲模式外部浮空数据数据数据掉电模式内部数据数据数据数据掉电模式外部浮空数据数据数据掉电模式在掉电模式下，震荡器停止工作，进入掉电模式指令是最后条被执行指令，片内和特殊功能寄存器内容在终止掉电模式前被冻结。退出掉电模式唯方法是硬件复位，复位后将重新定义全部特殊功能寄存器但不改变中内容，在恢复到正常工作电平前，复位应无效，且必须保持定时间以使振荡器重启动并稳定工作。程序存储器加密可使用对芯片上个加密位进行编程或不编程来得到如下表所示功能加密位保护功能表程序加密位保护类型没有程序保护功能禁止从外部程序存储器中执行指令读取内部程序存储器内容除上表功能外，还禁止程序校验除以上功能外，同时禁止外部执行当加密位被编程时，在复位期间，端逻辑电平被采样并锁存，如果单片机上电后直没有复位，则锁存起初始值是个随机数，且这个随机数会直保持到真正复位为止。为使单片机能正常工作，被锁存电平值必须与该引脚当前逻辑电平致。此外，加密位只能通过整片擦除方法清除。闪速存储器编程单片机内部有字节,这个存储阵列出厂时已处于擦除状态即所有存储单元内容均为，用户随时可对其进行编程。编程接口可接收高电平或低电平允许编程信号，低电平编程模式适合于用户再线编程系统，而高电平编程模式可与通用编程器兼容。单片机中，有些属于低电压编程方式，而有些则是高电平编程方式，用户可从芯片上型号和读取芯片内签名字节获得该信息，见下表。芯片顶面标识签名字节程序存储器阵列是采用字节写入方式编程，每次写入个字节，要对整个芯片内程序存储器写入个非空字节，必须使用片擦除方式将整个存储器内容清除。编程方法编程前，需按表图和图所示设置好地址，数据及控制信号，编程方法如下在地址线上加上要编程单元地址信号。在数据线上加上要写入数据字节。激活相应控制信号。在高电压编程方式时，将端加上编程电压。每对存储阵列写入个字节或每写入个程序加密位，加上个编程脉冲，改变编程单元地址和写入数据，重复步骤，直到全部文件编程结束。每个字节写入周期是自身定时地，通常约为。数据查询单片机用数据查询方式来检测个写周期是否结束，在个写周期中，如需要读取最后写入那个字节，则读出数据最高位是原来写入字节最高位反码。写周期完成后，有效数据就会出现在所有输出端上，此时，可进入下个字节写周期，写周期开始后，可在任意时刻进行数据查询。字节编程进度可通过输出信号监测，编程期间，变为高电平后端电平被拉低，表示正在编程状态忙状态。编程完成后，变为高电平表示准备就绪状态。程序校验如果加密位没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写数据。加密位不可能直接变化。证实加密位完成通过观察它们特点和能力。芯片擦除利用控制信号正确组合表并保持引脚低电平脉冲宽度即可将阵列字节整片擦除，代码阵列在擦除操作中将任何非空单元写入，这步骤需要再编程之前进行。读片内签名字节单片机内有个签名字节，地址为和。用于声明该器件厂商型号和编程电压。读签名字节过程和单元和正常校验相仿，只需将和保持低电平，返回值意义如下声明产品由公司制造。声明为单片机。声明为编程电压。声明为编程电压。编程接口采用控制信号正确组合可对闪速存储阵列中每代码字节进行写入和存储器整片擦除，写操作周期是自身定时，初始化后它将自动定时到操作完成。,英文原文,™,•™••,••••••••,,,,,,,,,,英文原文,™