1、“.....电力场效应晶体管是种单极多载流子零结电压控制器件。如果栅极电压为正并且超过它们门限值，型沟道将被感应，允许在漏极和源极之间流过由多数载流子电子组成电流。虽然栅极阻抗在稳态非常高，有效地栅源极电容在导通和关断时会产生个脉冲电流。场效应晶体管有不对称电压阻断能力，其内部集成个通过所有反相电流二极管......”。

2、“.....在高频应用场合下通常被个外部连接快恢复二极管旁路。虽然对较高电压器件来说，场效应晶体管处于导通时损耗较大，但他导通和关断时间非常小，因而开关损耗小。它确实没有与双极性器件相关少数载流子存储延迟问题。虽然在静态场效应晶体管可由电压源来控制，通常做法是在动态有电流源驱动而后跟随个电压源来减少开关延迟......”。

3、“.....譬如开关式电源无刷直流电机步进电机驱动和固态直流继电器。绝缘栅双极型晶体管在世纪年代中期出现绝缘栅双极型晶体管是功率半导体器件发展历史上个重要里程碑。它们在中等功率数千瓦到数兆瓦电力电子设备上处处可见，被广泛用于直流交流传动和电源系统。它们在数兆瓦功率级取代了双极结型晶体管......”。

4、“.....基本上是混合门控通断双极型晶体管，它综合了和优点。它结构基本上与结构相似，只是在漏极层上集电极加上了个额外层。有高输入阻抗和像导通特性。如果门极电压相对于发射极为正，区得型沟道受到感应。这个晶体管正向偏置基极发射极结使导通并引起区传导性调制，这使得导通压降大大低于导通压降。在导通条件下，在等效电路中......”。

5、“.....由寄生晶体管引起与晶闸管相似阻塞作用通过有效地减少层电阻系数和通过将大部分电流转移而得到预防。通过减小门极电压到零或负电压来关断，这样就切断了区得导通通道。比或有更高电流密度。输入电容比要小得多。还有，门极集电极电容与门极发射极之比更低，给出了改善密勒反馈效应。金属氧化物半导体控制晶闸管金属氧化物半导体控制晶闸管，正像名字所说那样......”。

6、“.....通过触发进入导通混合器件，它可以通过在门施加个短暂电压脉冲来控制通断。具有微单元结构，在那里同个芯片上数千个微器件并联起来，单元结构有点复杂。由个相对于阳极负电压脉冲触发导通，由个相对于阳极正电压脉冲控制关断。它具有类似晶闸管结构，在那里和两个晶体管部件连接成正反馈方式。但与晶闸管不同是只有单极或不对称电压阻断能力......”。

7、“.....在型场效应晶体管中沟道受到感应，使晶体管正向偏置。这也使晶体管正向偏置，由正反馈效应进入饱和状态。在导通情况下，压降为伏左右类似于晶闸管。如果门极电压相对于阳极为正，型场效应晶体管饱和并将晶体管发射极基极短路。这将打破晶体管工作正反馈环，关断。关断完全是由于再结合效应，因而关断时间有点长。有限定上升速率......”。

8、“.....最近，以用于软开关变换器中，在那不用限定上升速率。尽管电路结构复杂，电流却比电力和大，因此它需要有个较小死区。年在市场上可见到，现在可买到中等功率。发展前景尚未可知。集成门极换向晶闸管集成门极换向晶闸管是当前电力半导体家族中最新成员，有在年推出。基本上，是个具有单位关断电流增益高压大功率应驱动不对称阻塞。这表示具有可控......”。

9、“.....需要，安培负门极关断电流。这样个持续时间非常短非常大能量又较小们极电流脉冲可以由多个并联来提供，并且驱动电路中漏感要特别低。门驱动电路内置在模块内。内有对单片集成反并联二极管。导通压降导通时电流上升率门驱动损耗少数载流子存储时间关断时电压上升率均优于。更快速通断时间使它不用加缓冲器并具有比更高开关频率......”。