1、“.....为平罗县的经济发展做些有意义中,总结出套省时省工降能耗的技术。因为主要原料来源与内蒙陕西宁夏等地,尤其是宁夏精细率高,能源综合利用见效快等优点。我们在进行了大量的社会调查后,对非粘煤粉深加工做了长时间的研究节能的好项目。,烘干工艺生产优质铸造焦的新产品增碳剂,既解决了长期以来的煤炭资源不平衡问题,也是焦化企业下来的废料煤气得到合理利用,又为丰富弱粘结煤生加工找出条新路子,是项经济效益显著,社会效益良好环保工程范围对非粘煤粉深加工,低灰低硫弱粘结煤做主要原料配制以及少量添加剂。采用,试验工作......”。
2、“.....冷压成型,烘干工艺生产优质铸造焦的新产品增碳剂,既解决了长期以来的煤炭资源不平衡问题,也使焦化企业下来的废料煤气得到合理利用,又为丰富弱粘结煤生加工。主要设计产品产品品种产品规格外型重量铸造增碳剂个冲天锅炉增碳剂个第二章建设规模产品计划及产品质量建设规模增碳剂新厂建设规模为年产万吨的增碳剂生产线。产品计划规模大小将对企业经济效益产生定的影响,根据国内外增碳剂市场需求,本项目拟生产造气和锅炉增碳剂两个品种,主要销往国外国内市场。到年计划达到年产万吨求量很大......”。
3、“.....不仅可以改善增碳剂品质,而且可以实现其增值并减少污染。增碳剂型焦是铸造业冲天炉使用的主要原料,铸造焦的质量是获得高温优质铁水的决定性因素。据有关资料统计,我国各种铸造厂点有万余家,年产铸件万吨左右,铸件产值超过亿人民币,按铸件和铸钢每吨平均消耗公斤型焦计算,就国内铸造用焦消耗量万吨,而目前用常规生产铸造焦的厂家只有十几家,生产能力仅万吨,由于工艺落后,配方简单,原料质量次等原因,铸造焦质量较差,仍有不少铸造厂使用改良焦和土焦代替使用,而且国外需求量很大。铸造生产工艺采用果,质量完全符合国家核准通过,归档资料。未经允许......”。
4、“.....级铸造焦标准。型焦计算,就国内铸造用焦消耗量万吨,而目前用常规生产铸造焦的厂家只有十几家,生产能力仅万吨,由于工艺落后,配方简单,原料质量次等原因,铸造焦质量较差,仍有不少铸造厂使用改良焦和土焦代替使用,而且国外需据有关资料增碳剂型焦是铸造业冲天炉使用的主要原料,铸造焦的质量是获得高温优质铁水的决定性因素。项目采用冷压成型,烘干工艺,确保环保节能减排全员效率和整体装备水平达到国内先进水平,充分利用了其中期年产万吨,二期万吨。宁夏精细化工基地拥有台大型兰碳炉,每天每台炉所产生废焦渣吨左右位技术来实现。因此......”。
5、“.....鸣谢作者在此感谢半导体电子部门博士提供硅样品。,,作者,国籍出处,,,,,,,,,,,,作者,国籍出处器组成三端电容电桥来测量,它分辨率达到,此电容电池使用规格赫兹超精密电容电桥请注意,有用相对分辨率是有制造商建议,通常是或以上相对分辨率。电容电桥校准,通过个国家标准与技术研究院随规定参考校准电容,两者差值须在要求范围内。所有测量数据在温度湿度装置中进行处理。电容电池需在每个温度达到平衡,真空电容相对波动不大于。气压监测采用数字压力传感器......”。
6、“.....正如论文Ⅱ中,电解槽内温度校正用过个黏贴在电解槽热导体上热电阻器来实现。是通过中温度计测量标准参考值来设计。在论文Ⅱ中,因为我们使用是干燥空气净化,所以我们可以用理想气体定律来校正,以确定空气摩尔体积来计算式中绝对温度压力气体常数。从这个等式和干燥空气摩尔空气体积常数可得,该电极空气分离介电常数为测量电解槽校正使用样品计算厚度,必须知道有效面积。为了确定该值随温度变化而如何变化,在论文Ⅱ中,我们用过样品得到面积和厚度校正约为。在论文Ⅱ中......”。
7、“.....该电解槽通过论文Ⅱ所述样品。测量温度分别在。电解槽内温度在每个温度段测量三次,每次测量后都记录电容值,大约用小时,秒采样次总共有个数据点。在区采用电容量来测量。在较高温度下所有测量值都将通过膨胀和收缩根据随温度变化函数来校正。该电极有效半径与温度关系如图图底部电极有效半径随温度变化和使用校正其膨胀测量。图型单晶硅随温度变化曲线所显示数据型单晶硅为了证明该电解槽能精密测量,并提供准确热膨胀值,个单端毫米厚圆片,以型晶体硅为中心,厘米电阻划分以划线成三块。每片约为......”。
8、“.....电解槽组装就跟论文中描述样,放置在真空炉中约小时以成为有效地样品。测量分别在每点采样两次在环境与压缩机室内点不采样。圆晶片厚度通过图三所示温度数据对应有效半径来确定。从图分析结果可以得到硅晶体管厚度。应该指出是标准引用在标准数据,而我们已经测量数据。因此,标准参数相对扩张数据可以从图中得到等式式中是在温度下膨胀系数。很明显,这两组数据在试验上有定误差。在温度下进行重复测量数据,以便较小误差。这里得到些电容电解池关键结论。首先,取消先前设计限制对硅样品检测。第二,结果表明......”。
9、“.....最后,我们进步证实了样品测量技术优势。通过研究数据结果表明此设计可行性。这项研究是研究人员之,公司恩迪科特,微电子和计算机技术公司电子产品和系统中心,马里兰大学,康奈尔大学,德克萨斯大学奥斯汀分校,普渡大学和半导体研究公司利用各种技术对单晶硅热膨胀系数测量。用个毫米单晶硅样品作为研究对象。硅膨胀系数所有实际值分别在相应温度范围。我们样品虽然只有般半厚,但我们实验误差值相对较小。应当指出,我们总精度与实际厚度无关,主要误差是由于电极样品间影响。因此,如果我们用较厚样品,在研究中循环测量......”。
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