本预备费万元。 资金来源为企业自筹资金。 本项目完成后，达产年企业新增销售收入万元，新增利 税万元其中利润总额万元，销售税金及附加万元。 该项目从半导体材料科研开发到生产，形成了条开发生产 推广销售为体的产业化链条，不仅为社会提供劳动就业机会，为 国家和地方增加税收，同时也带动了与之相关的机械制造运输物流 城市基础设施建设等行业的发展。 该项目符合国家产业政策和行业发展要求，产品市场广阔，经济 效益和社会效益显著，抗风险能力强。 通过研究可以看出本项目依据条件较好，工艺技术成熟可靠，无 论在技术上还是在经济效益上都是可行的。 第五节主要技术经济指标 主要技术经济指标表 序号项目单位指标备注 生产规模 年产半导体材料万吨 项目总投资万元 其中建设投资万元 铺底流动资金万元 流动资金万元 项目厂区占地面积平方米 项目定员人 其中技术管理人员人 工人人 全年生产天数天 人员工作日天 销售收入万元年 总成本万元年正常年 利税万元年正常年 利润万元年正常年税后 总投资收益率 财务内部收益率税后 投资回收期年含建设期税后 第二章项目提出的背景及建设的必要性 第节项目提出的背景 半导体材料现状 世界半导体材料现状 半导体硅材料半导体硅材料自从年代被广泛应用于各类 电子元器件以来，其用量平均大约以每年的速度增长。目前 全世界每年消耗约吨半导体级多晶硅，消耗 吨单晶硅，硅片销售金额约亿美元。可以说在未来年 内，硅材料仍将是工业最基础和最重要的功能材料。电子工业的 发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路电 子工业和信息技术的发展。 半导体硅材料分为多晶硅单晶硅硅外延片以及非晶硅浇注 多晶硅淀积和溅射非晶硅等。现行多晶硅生产工艺主要有改良西门 子法和硅烷热分解法。主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备 单晶硅以及太阳能电池等。生长单晶硅的工艺可分为区熔和直拉 两种。其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率 器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流 二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。 经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日 本德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的以上，其 中信越瓦克和四家的销售额占世界硅片销售额的 以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的 硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。 在集成电路用硅片中，英寸的硅片占主流，约，英 寸的硅片占。当硅片的直径从英寸到英寸时，每片硅片的 芯片数增加倍，成本约降低，因此，国际大公司都在发展 英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量的 左右。 砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直 接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高 速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电 集成方面占有独特的优势。 目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过吨日本年的 砷化镓单晶的生产量为吨。用于大量生产砷化镓晶体的方法是传 统的法液封直拉法和法水平舟生产法。国外开发了兼具以 上种方法优点的法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法 和法蒸气压控制直拉法，成功制备出英寸大直径单 晶。其中以低位错密度的方法生长的英寸的导电砷化镓衬底 材料为主。 移动电话用电子器件和 内，硅材料仍将是工业最基础和最重要的功能材料。电子工业的 发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路电 子工业和信息技术的发展。 半导体硅材料分为多晶硅单晶硅硅外延片和直拉 两种。其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率 器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流 二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等额占世界硅片销售额的 以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的 硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。 在集成电路用硅片中，英寸的硅片占主流，约，英 寸的硅和光电子的基础材料，为直 接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高 速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电 集成方面占有独特的优势。 目前，世界砷化镓度凝固法法垂直布里支曼法 和法蒸气压控制直拉法，成功制备出英寸大直径单 晶。其中以低位错密度的方法生长的英寸的导电砷化镓衬底 材料为主。 移动电话用电子器成功地建成了条英寸 砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先步。日本住友电工是世界 最大的砷化镓生产和销售商，年产单晶。美国公司是世 界最大的材料生产商。世界迫切需求，大直径英寸的 发展很快，英寸厘米长及英寸厘米长和英寸的半 绝缘砷化镓也在日本研制成功。磷化铟具有比砷化镓更优越 的高频性能，发展的速度更快，但研制 局与北卡罗来纳州大学签订了开发材料和器件的合同，并促成了 在年建立专门研究半导体的公司。九十年代初，美国 国防部和能源部都把集成电路列为重点项目，要求到年在武 器系统学 以及西安电子科大。西安电子科技大学微电子研究所已经外延生长了 ，目前正在进步测试证明材料的晶格结构情况。另外，还对 材料的性质和载流子输运进行了理论和实验研究，器件的研究工作也 取得了可喜的进展。 二项目建设的背景 电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸高均匀性高完整 性以及薄膜化多功能化和集成化方向发展。当前的研究热点和技 术前沿包括柔性晶体管光子晶体等宽禁带半导体 材料为代表的第三代半导体材料有机显示材料以及各种纳米电子材 料等。 随着电子学向光电子学光子学迈进，微电子材料在未来 年仍是最基本的信息材料。电子光电子功能单晶将向着大尺寸高 均匀性晶格高完整性以及元器件向薄膜化多功能化片式化超 高集成度和低能耗方向发展。半导体微电子材料由单片集成向系统集 成发展。 微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增 加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发 展。 等半导体单晶材料向着大尺寸高均质 晶格高完整性方