在的增加到。，。使 单晶成品率由现在的增加到。以进步提高 产品的性价比从而增强其竞争力。 现有产业规模 本产品年通过鉴定后开始进行小规模生产，年该产品销售收入达 到万元，年产品销售收入达到万元，预计年销售收入可达 到万元，净利润达到万元。 项目产品的主要用途性能 本项目产品近年来大量用于红外波长和高亮度 即高亮度红橙黄色，是目前生产量和 需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。 主要技术与性能指标如下 型掺 晶片直径， ，。 型掺 晶片直径 ，，。 投资的必要性 本项目产品近年来大量用于红外和高亮度，市场前景非常广。但 是目前国内还没有家进行该项目产品研发生产的企业，国内企业对该产品的需月注册成立，由北京有色金属研究总院和有研半导体材料股份有限公 司共同出资组建。注册资金万元，有研总院占股份，对该公司有绝对 控股权，原有研总院该项目研发人员全部转入国瑞公司继续水平砷化镓项目的研 究与开发工作。 目前企业拥有单晶生产系统台及相应的晶片加工切片机磨 片机划园机倒角机抛光机等性能检测设备，因此，承担本项目，国瑞公 司具有人员和技术优势。 目录 第章概述 项目提出背景 技术开发状况 现有产业规模 项目产品的主要用途性能 投资的必要性 预期经济效益 本企业实施该项目的优势 第二章技术可行性分析 项目技术路线工艺设备的合理性和成熟性关键技术的先 进性 产品技术性能水平与国内外同类产品的比较 项目承担单位在实施本项目中的优势 第三章项目成熟程度 企业负责人情况 企业新产品研发能力及内部管理体系 企业从事该产品生产的条件产业基础 第八章项目实施进度计划 第章概述 项目提出背景 砷化镓单晶是种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子 材料，在国际上其产量仅次于硅。工艺是研究开发最早的单晶生长工艺， 也是目前生产量最大的工艺，单晶年产量占全世界单晶年产量的 年全球的单晶产量约。 单晶生长设备及生长过程涉及到物理化学冶金学自动控制 机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本美国等少数 厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用的生产设备生产工 艺及晶片加工技术对外严格保密。 国际上单晶生产以日本住友电工公司为主，其产量约占全世界产量 的年为，所提供的晶片以，为主。 ，水平砷化镓单晶近年来大量用于红外和高亮度，是 目前生产量和需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。但是由于国内 目前还没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口，造成 大量资金流向国外。本项目产品的研发工作正是在这背景下提出并开展的。 技术开发状况 水平砷化镓单晶材料产业化年被原国家计委批复为国家高技术产 业化示范工程项目，并于年通过中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴 定，鉴定结 产品检测鉴定及用户使用情况 产品质量价格性能等情况 核心技术的知识产权情况 第四章市场需求情况和风险分析 国内市场需求分析 核准通过，归档资料。 未经允许，请勿外传,国际市场状况及本项目产品市场占有情况 风险因素及对策分析 第五章投资估算及资金筹措 项目投资估算 资金筹措方案 投资使用计划 第六章经济和社会效益分析 未来五年生产成本销售收入估算 财务分析 不确定性分析 财务分析结论 社会效益分析 第七章综合实力和产业基础 企业员工构成严重干扰内加热炉所形 成的温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼 顾了采用合适的结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉 可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高 成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状的控制是提高成品率的关键技 术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生 长方向与晶片的晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要 斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子 浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺 杂剂的分凝是以固液界面为界线的，如果单晶生长过程中固液界面与生长 方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上的载 流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长 外延材料及器件的成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部 出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平 单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生 长方向垂直，无法得到所需要的偏角。 管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身 的平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉的情况下固液 界面四周的热环境是固定的，无法变动的，加上热辐射和固液界面的结晶潜 热难以导出，使熔体边缘温度低于中心处温度，往往使固液界面凹向熔体。 这种界面非常容易出孪晶，或使晶体的增大，降低成品率。 在单晶生长理论中，理想的固液界面形状应为平坦的或略为凸向熔体，做到 这点，加热体的设计和制造非常关键。 加热体是单晶生长的核心，对单晶生长影响非常大，是决定单晶生致，完全达到了国际同类产品先进水平，本产品与日本住友电工 公司各项指标对比如下 北京有研总院国瑞公司日本住友电工 产品类型 技术指标 型掺 ， 晶片直径 产品类型 技术指标 型掺 ， 晶片直径， ， 项目承担单位在实施本项目中的优势 研发能力强是本单位的固有优势，企业前身是北京有色金属研究总院化合物 半导体材料研究室。成立于年，从成立之日起就开始水平单晶研究， 年底研制成功国内第根水平单晶，先后承担多项国家科技攻关项目 和军工配套项目，取得国家及部级科研成果项，这些成果均达到国际上同类产 品技术水平或填补国内空白。年原国家计委选定北京有研总院组建国家半 导体材料工程研究中心，作为国家半导体材料工程化研发基地，加快了 单晶材料的产业化步伐。年在国内首次拉制重，加工直径英寸晶片 单晶，年建成了国内第个有台单晶生长系统的生产线， 年产单晶，使我国单晶年产量首次突破，我国单晶材料 研究由长期实验室阶段向产业化迈出了第大步。国瑞电子材料有限责任公司 年长成功与 否的关键因素之。该产品的设计和制造是本公司多年科研的结晶。本公司在炉 体结构的设计保温层的设置和配置加热区段设置加热区域设置等方面均取 得了很大进步。目前制作的加热体，截面区固液交界面区有特殊加热结构。 高温区各加热段设计合理，中温区有后加热体设置，其余各区设置合适在产品 试制过程中表明，该加热体非常适合水平砷化镓单晶生长。采用这种加热体，可 以很好调节固液界面形状及固液界面与生长方向的夹角，使其与所切割的晶片的方向致，并与单晶生长方向之间的夹角致。同时，采用这特种加热炉，通 过高温区中温区和固液界面区温度分布的控制