国 际先进水平。 满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展 随着我国光纤通信航天科技及军事科技的迅速发展，对高频电 路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本小体积及 能同硅电路兼容集成，从而构成系统集成芯片。 技术正好满足这 些要求，因而建立英寸集成电路生产线，能扭转我 国目前高频电路主要依赖器件及大部分靠进口的状态，从而促 进我国相关应用领域的发展。 拓宽我国微电子产品的领域，形成我国集成电路生产 及研发基地。 多年来我国微电子工业的发展缓慢，尽管截止年我国已共 有条微电子生产线，但除了上海华虹的英寸产品 刚进入当代国际硅主流技术水平以外，其它生产线以生产低中档产品 为主。 近年来我国微电子工业发展速度有所加快，特别上海中心国 际及宏力英寸生产线的建立，扩充了我国集成电路的生 产能力，提高了我国集成电路的产品水平。 但是上述所有微电子生产 线均未考虑器件的生产。 因此本项目集成电路生产线的建 立，可以拓宽我国微电子产品的领域，本项目第二期工程拟升级成 英寸加工线，并将建立集据分析集成电 路至少可以占领移动手机宽带集成电路的市场。 随着集成 电路生产能力的提高，销售量将不断扩大，在中频比特率达 的市场中会不断取代和产品。 表列出韩国给出的 射频集成电路市场状况，表列出韩国给出的世界手机 市场销量预测情况。 目录 第章总论„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 项目名称与通讯地址„„„„„„„„„„„„„„„„ 内容提要„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 项目建设的必要性和有利条件„„„„„„„„„„„ 可行性研究报告编制依据„„„„„„„„„„„„„ 研究结果„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第二章投资方简介„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 深圳市高科实业有限公司„„„„„„„„„„„„„„ 公司„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第三章该产业国内外发展情况„„„„„„„„„„„„„„„ 产品主要应用领域和意义„„„„„„„„„„„„„„ 国际国内技术水平发展情况„„„„„„„„„„„„ 产品国际国内市场发展情况„„„„„„„„„„„„ 产业的国内外发展形势„„„„„„„„„„„„„„„ 第四章产品大纲及可占领市场分析„„„„„„„„„„„ 核准通过，归档资料。 未经允许，请勿外传,产品大纲„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 产品简介„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 投产计划„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 可占领市场分析„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第五章生产技术与生产协作„„„„„„„„„„„„„„„„ 生产工艺流程„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 主要技术及来源„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 技术转移的实施和主要技术团队„„„„„„„„„„„ 主要外协关系与关键原材料供应„„„„„„„„„„„ 第六章生产线建设„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 建设目标„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 经营模式„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 设备配置„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 主要仪器设备清单„„„„„„„„„„„„„„„„„ 生产 项目名称与通信地址 项目名称锗硅集成电路芯片生产线项目 承办单位深圳市高科实业有限公司 法人代表冉茂平 项目负责人方中华 通信地址深圳市深南中路中航苑航都大厦楼座 邮政编码 传真 电话 内容提要 由深圳市高科实业有限公司以下简称高科公司作为中方投资 公司与亚洲集团有限公司以下简称公司 在深圳合资组建家合资企业，共同投资兴建锗 硅集成电路芯片生产线项目，主要产品包括芯片和普通功率 器件芯片，形成月投片量片的生产能力。 项目总体规划分两期建设，期工程初期实现和 芯片共计片月的生产能力本项目，根据产品市场的 发展和需求情况最终可形成片月的生产能力，二期工程兴建 生产线，实现月产芯片片。 期工程规划用地包括研发中心用地，二 期工程规划用地，总用地。 本项目总投资建设投资万美元，注册资金万美元， 高科公司占合资公司总股本的，公司占合资公司总股深圳市高科实业有限公司 集成电路芯片生产线项目 本的。 项目总投资中注册资金以外的部分万美元，将以合 资公司名义向境内或境外金融机构贷款解决。 本项目用地由深圳市政府免费提供，期工程用地位于深圳市宝 龙工业园区，用地面积，研发中心用地，位于深圳 市高新技术产业园区，规划建筑包括生产厂房和动力 厂房综合楼多功能中心专家楼倒班宿舍化学品库气站等， 本项目片新建其中的生产厂房动力厂房和倒班宿 舍，合计新建面积，其它建筑和子项根据生产规模的扩大实 行分步实施。 生产厂房按月投片的规模建设，洁净室 和相配套的生产动力设施按片规模配置。 预计本项目达产年销售收入万美元，利润万美元， 项目内部收益率，投资回收期年。 项目建设的必要性和有利条件 项目意义 本项目旨在建立条集成电路芯片生产线，该 生产线同集成电路具有兼容性，因此该生产线除了可以生产 器件以外，也可以根据市场需求生产其它器件。 本项目在投产初 期境要求„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第七章工程建设方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 建设目标与建设内容„„„„„„„„„„„„„„„„ 总图„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 建筑结构设计„„„„„„„„„„„„„„„„„„„建筑服务系统„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 工艺服务系统„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 电气„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第八章消防环保安全节能„„„„„„„„„„„„ 消防„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 环境保护„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 安全卫生„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 节能„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第九章组织机构及人员编制„„„„„„„„„„„„„„„„ 董事会组成„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 组织机构„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 人员编制„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 人员培训„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第十章实施进度„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第十章投资估算与资金筹措„„„„„„„„„„„„„„„ 建设投资估算„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 流动资金估算„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 项目总投资„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 资金筹措„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„第十二章经济分析„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 基本数据„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 财务评价„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 经济评价结果„„„„„„„„„„„„„„„„„ 综合评价„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 附表 总投资估算表 流动资金估算表 投资计划与资金筹措表 总成本费用估算表 损益表 现金流量表全部投资 贷款还本付息计算表 资金来源与运用表 销售收入及税金计算表 附图 区域位置图 区域位置图 总平面图 层工艺区划图 二层工艺区划图附件深圳市高科实业有限公司 集成电路芯片生产线项目 第章总论等都是用硅双极技术设计的，同时功率放大器和低噪声放大器等前端 电路主要用技术设计。 随着应用要求的频率提高，硅双极器件 已力不从心，因而便逐渐成为高频应用的主流。 这主要是因为 材料具有高的电子迁移率及快的漂移速度，因而适用于制作高 频器件，但是存在诸多缺点，例如单晶材料制备工艺复 杂因而价格昂贵材料的机械强度低，晶片易碎尺寸做不大 的热导率低因而散热不良器件工艺同硅器件工艺不具有 兼容性等。 这些缺点限制了器件的发展，特别限制了器件的大 规模生产。 具有优良特性的技术见表正在扫除上述障碍，并有 可能开发出种集成的高频无线电路，例如可以将压控振荡器功率 放大器及低频噪声放大器集成在起，构成完整的无线前端产品。 除此以外，技术可以将电路集成在起，形成速 度功耗性能集成度和成本最佳组合的系统集成芯片，从而完成 更加复杂的功能，这样的芯片可直接用于先进的无线通信产品中，例 如用于第二代第三代手机及宽带局域网中。 毫不夸张， 器件的应用及开发，将使微电子学在通信领域中参数次新的飞 跃，具有十分重要的意义。 深圳市高科实业有限公司 集成电路芯片生产线项目 表器件和特性的比较 器件室温增益低温增益同工艺兼容性规模生产性芯片成本目前工艺水平 中下降易低 高上升好易中 低上升劣般高 注的据报道已达 本项目投产的初期以生产及压控振荡器为主， 它是的基础产品同时又是有广阔市场的产品，它将为今后扩展 其它集成电路的生产铺平道路。 本项目加工的功率器件是硅器件中广泛应用的产品，国际 上由于产业调整加工有逐渐移向我国的趋势，例如日本 公司在我国曾同些生产线合作过该器件生产。 但由于生 产效率偏低未能成功，这次该公司作为本项目韩方股东，在项目投产 的前两年将安排约片月的生产量生产功率器件，这对项 目建立的生产线迅速达产及提高经济效益起到保证作用，同， 增益 噪声系数 调谐范围，在 偏移时噪声比 多路复用器， 多路分解器， 前置放大器带宽，输出阻抗，功耗 器件的技术虽然发展迅速，但主要掌握在国际上少数公司 手中，特别是生产技术掌握在少数像等这样的大公司手中，近 几年韩国等公司加强了技术研究，发展了较为成熟的 及其电路的生产技术。 国内近几年对技术的研究也较为重视，但研究主要集中在 少数高校及研究所，主要研究内容为外延材料及的制作，深圳市高科实业有限公司 集成电路芯片生产线项目 研究项目主要来自于市级和国家自然基金以及像这样的攻关 项目，般研究经费不多，制约了其技术的发展。 国内材料的 研究尚未达到规模生产水平。 器件则达到了定的研究水平，有 代表性的器件是清华大学的，其主要器件参数如下 ，结漏电电流， ， 用的制作的类放大器，其 时达到最大为，其 压缩点输出功率约为，。 可以看出国内器件虽然达到了定的水平，相对来讲仍比 较落后，特别尚未掌握规模生产技术，有待进步研究及发展。 关于功率器件，从工艺上来说已相对成熟，作为分立器件 的加工水平已能满足，采用英寸片