1、“.....即微电子技术和电力电子技术。 微电子技术在朝着小型化高速低功耗的方向迅猛发展,而电力电子技术则在高压大功率方向阔步迈进。 在上个世纪,硅基器件成为市场上的主要生力军,各类产品及分立器件都离不开硅材料。 稍后,以为代表的第二代半导体材料依靠其高迁移率等优势,迅速发展起来。 到本世纪初,随着低碳环保概念的提出,节能降耗提高能源利用率已成为大家日益关心的问题。 在不久前的哥本哈根会议上,世界各国都对节能提出了各自的意见,电能的消耗占据人类总耗能的大部分,约的能量在电能传输与转换的过程中浪费。 在这过程中,起主要作用的是电力电子器件,也称功率器件。 在这种情况下......”。

2、“.....以和为代表的第三代半导体材料掀起新的轮热潮。 碳化硅依靠其特有的材料特性,基于它制造的各类功率半导体器件,广泛应用于事关国计民生的诸多领域。 其研发和生产,得到了世界各强国的重视支持和推动。 在高压大电流高频高温宇宙射线的环境下,器件的表现完全令人振奋,被称作理想的功率半导体材料。 目前,研究的热点主要是其在电力电子开关器件领域的应用,这样可以发挥其自身材料的独特优势。 由于是之外唯能够通过热氧化生长绝缘氧化层的化合物半导体材料,这意味着它能够与己经成型的器件工艺相兼容,这样可以发挥现有工艺优势,方便地制作结构器件,易于集成......”。

3、“.....定将会为军用系统的完善和武器装备性能的提高提供巨大帮助。 是世纪极端电子学半导体首选材料,美国制定了国防与科技计划,日本制定了国家硬电子学计划。 第章绪论第章绪论课题研究背景及意义功率半导体器件在电力电子应用系统中处于非常重要的地位,是电力电子技术中进行电能变换功率控制和处理,以及实现能量管理调节的核心器件。 功率半导体器件应用非常广泛,从日常生活使用的计算机汽车数码相及关键制造技术。 由于受时间和个人能力所限,本文的工作有些未能进展,没能进行开关时间的数值仿真,更是没能进行相关的实验研究。 当然,如能进行全部的器件半导体实验工艺,会对整体有更好的把握,希望以后能深入研究......”。

4、“.....由于具有宽禁带高击穿电场高热导率等优异特性,使其在高温大功率高频抗辐射等领域应用前景广阔,其研究广为关注。 在商用的材料中,具有更高的体迁移率和更低的各向异性,使其更具优势。 大功率是非常具有竞争力的器件种类,可以广泛应用于诸如航空航天机车牵引高压直流输电设备混合动力车辆等国计民生的重要领域。 然而,较低的击穿电压低的共发射极电流增益较低的频率响应以及较差的可靠性限制了其在功率系统领域的发展,也使得在这方面的研究成为热点。 本文首先完善了碳化硅新材料在仿真器中的物理模型,这包括迁移率模型禁带宽度变窄模型杂质不完全离化模型碰撞电离模型产生复合模型与俄歇复合模型等。 然后......”。

5、“.....并对关键工艺如欧姆接触工艺刻蚀工艺以及离子注入工艺等进行了简要的介绍。 研究结果表明,仿真器可以正确的模拟碳化硅新材料特性,提出的结构击穿电压由于在结终端处做了优化的终端处理和采用缓冲漂移层,具有更高的耐压能力,更低的功耗和反向泄露电流采用的型薄层基区加速了少子在基区的运动,提高了电流增益,所设计结构更能适用于大功率电力电子系统应用......”。

6、“.....沟槽应该具备近乎垂直的形貌,但是在底部应该是圆角以降低电场的集中。 为了降低界面态,沟槽的表面必须光滑没有缺陷,这样才能获得高的迁移率。 反应离子刻蚀采用混合气体来满足形成沟槽的需求,其他反应离子刻蚀采用含气体也可以制作较光滑的表面。 的化学刻蚀只能借助于高温气体和高温等离子体来进行,目前还不知道哪种酸碱溶液能够在室温下起到刻蚀作用。 磷酸可以在下对碳化硅进行刻蚀,但刻蚀速率比较难以把握,通常只是用来做显示晶体缺陷的表面处理用......”。

7、“.....如大学采第三章基于的功率器件仿真用的刻蚀的方法制造的耐压超过的高压。 离子注入和退火因为在中,掺杂杂质如果能维持结的稳定性,需要大约在了,杂质在内几乎不扩散,所以这种在材料中大量使用的方法在体系几乎不能使用。 现在,离子注入是碳化硅材料体系进行掺杂的唯的方法。 型掺杂主要用电子级的氮气做掺杂剂,氮离子注入对晶格的损伤比较容易用退火的方式消除。 与工艺相比,离子注入需要较高的热预算激活杂质,尽管室温下的离子注入可以成功,研究发现,热注入可以产生更大的杂质激活能量和更小的缺陷,加热离子注入通常在以下,并月退火温度要在完成,这同时,由于升华或蒸发导致了碳化硅表面出现退化......”。

8、“..... 如果在注入的时候能够将衬底加热,使晶格略微膨胀,会产生更好的注入效果。 高温退火往往造成表面碳化硅分解带来硅原子升华的表面退化问题。 使表面形貌造成较大程度的退化。 为了达到获得高质量的结终端扩展区域和保护环区域的优质的高斯分布掺杂,较高的杂质激活率和较少的散射缺陷的目的,需要对离子注入的注入能量剂量注入次数及和退火温度退火氛围退火条件进行实验设计。 目前,型离子注入的问题还很多,从杂质选择到退火温度的系列工艺参数都还需要优化......”。

9、“.....增大了器件的击穿电压,增大到传统结构击穿电压为,即改进的结终端器件耐压增大。 结论结论本文完善了碳化硅在仿真器中的模型,并仿真了己得到的实验结构,得到了基本相同的仿真数值,证实了仿真模型的实用性。 然后根据半导体物理和半导体器件物理基础,设计原则缓冲层设计原则少子寿命界面态机制等对器件结构进行了设计与仿真,主要涉及到击穿电压电流增益。 并对的频率响应功耗的影响因素进行了详细的物理分析。 主要结果和结论如下仿真器中完善了迁移率模型禁带宽度变窄模型杂质不完全离化模型碰撞电离模型产生复合模型与俄歇复合模型通过对己有实验样品的模拟......”。