1、“.....绝缘衬底体上硅技术是上个世纪八十年代发展起来的，它是种集成电路新技术。 在众多器件结构技术中，技术具有体硅材料无法比拟的优点在器件的有源层和衬底之间插入埋氧层的介质隔离结构，彻底消除了体硅电路中的可控硅效应这种结构具有工艺简单寄生电容小抗辐照能力强集成密度高等特征，特别适合应用于低压低功耗电路。 研究表明，和相同条件下的体硅技术相比，技术能将器件性能或速度提高，功耗可下降，在相同的辐射剂量下，产生的少数载流子会减少三个数量级。 因此，技术在高可靠超大规模集成电路，高速低功耗集成电路，光电子集成器件，高温传感器，抗辐照微电子，高压功率器件以及微机电系统等领域具有重要的应用。 技术的发展概述上个世纪六十年代，人们就在千度的温度条件下成功地将硅烷通过化学气相淀积的方法在蓝宝石上生长了单晶硅薄膜......”。

2、“.....结构。 但是由于蓝宝石衬底和硅膜的晶格不致，因此界面的缺陷密度较大，使得载流子迁移率低，限制了最小尺寸的加工，也不适用于复杂结构的制备。 二十世纪八十年代后，的制备技术有了迅猛的发展，以二氧化硅为绝缘材料的制备技术被开发出来。 由于二氧化硅和硅界面性能较为稳定，价格较低廉等优点，成为结构的主流材料。 结构逐渐取代结构，技术越来越受到关注。 目前锗硅碳化硅砷化镓等都可以作为绝缘材料，形成结构，甚至可以形成其中两种或几种的层叠结构。 随着技术的不断成熟，它在集成电路上的应用也得到了快速发展。 世界上第个真正意义上的电路是于年研制的微处理器。 它是在材料上采用工艺制成。 而年公司推出的位微处理器采用铜互联技术和技术，主频高达，代表了技术市场化的最高水平。 研究表明......”。

3、“.....栅长小于,沟道厚度小于的结构仍然可以保持良好的开关特性，这对于解决超大规模集成电路功，这是由普通结构与沟槽结构的击穿电压相差比较大，所以分开仿真后再作比较。 普通结构输出特性曲线沟槽结构输出特性曲线图输出特性曲线基于的高压器件设计基于的高压器件设计摘要器件是基于器件的种新型功率半导体。 结构具有工艺简单寄生电容小抗辐照能力强集成密度高等优点，并且可以克服体硅材料的缺点。 技术在高可靠超大规模集成电路，高速低功耗集成电路，微机电系统等领域具有重要的应用。 本论文用模拟的工艺流程,对氧化层厚度掺杂种类和剂量注入条件刻蚀深度和范围等工艺参数进行了模拟，以用于相关的器件设计,并得到主要的电学性能特性曲线。 文中在普通结构器件的基础上进步引入了沟槽结构器件，仿真结果表明......”。

4、“.....沟槽结构器件的击穿电压提高了，导通电阻增加了。 关键词击穿电压导通电阻仿真基于的高压器件设计,的器件结构及工作原理本章小结第三章器件的制程工艺设计工艺模拟软件知识工艺方案设计工艺介绍模拟工艺流程本章小结第四章器件特性研究器件仿真软件知识电学特性仿真击穿电压导通电阻输出特性研究阈值电压本章小结结论致谢语参考文献附录引言引言随着半导体工业向及更小工艺尺寸的器件发展，虽然可以提高集成电路集成度，但是器件的功耗可靠性和电路的性能等等都会受到较大的影响。 特别是以硅材料直接作为衬底的器件在工艺缩小后，会产生许多问题，如功耗密度急剧提高，抗干扰能力下降，寄生电容增加，互连线延长等，严重阻碍了器件速度和集成度的进步提高，同时也会增加生产的成本。 为了克服因尺寸缩小所产生的问题或减小影响......”。

5、“.....如铜互连，低值材料和高值栅介质等等。 除材料技术外，研究人员对器件结构也进行了改进，如轻掺杂漏区技术，高栅介质与金属栅组合结构组合技术等，以克服尺寸缩小所带来的问题。 在众多的解决技术上，芯片的衬底材料对设计结构互连和其他关键设计要素有很大影响。 绝缘衬底体上硅，技术以其独特的衬底结构，克服了体硅的不足，并能提高器件的性能和速度。 技术正逐渐成为深亚微米的低电压低功耗集成电路的主流技术，被称为世纪的硅集成电路技术。 器件在关键的器件特性是优于普通的晶体管，器件特别适用于需要宽频率范围高线性度和使用寿命要求高的应用。 但是由于器件存在功率密度低，容易受到静电破坏等不足，而技术可以很好的解决这些问题，从而器件的结构已经移植到上。 可以很好的模拟器件的工艺流程......”。

6、“.....利用进行模拟，很大程度上节约时间和费用。 基于这点，利用工艺仿真模块模拟工艺制作过程,并用器件仿真模块提取的特性曲线。 第章技术第章技术技术的特点目录目录引言第章技术技术的特点技术的发展概述的制备注氧隔离技术智能剥离技术硅片键合与背面腐蚀技术本论文的工作安排第二章器件器件的特点及应用器件的击穿机理的特点沟槽结构金属刻蚀刻蚀表面的层，形成接触孔。 然后淀积层金属层，刻蚀多余部分，形成金属淀积。 最终的结构，如图所示。 图结构图第三章器件的制程工艺设计沟槽结构结构工艺仿真本论文是通过普通结构器件和沟槽结构器件对比的形式来观察两者的差别，所以在工艺仿真上也完成沟槽结构结构工艺仿真，便于导入之后的器件仿真。 在本论文的器件结构上，沟槽结构只比普通结构的多了两个沟槽......”。

7、“.....以下为单个沟槽制备的主要代码。 在完成栅氧制备和离子注入后，对栅氧进行刻蚀刻蚀硅薄膜完成刻蚀工艺后，在刻蚀掉的地方形成二氧化硅，就可以形成所要求的沟槽了。 图所示的是通过工艺仿真软件构建的沟槽结构结构图。 图沟槽结构图本章小结本章的主要内容是完成器件工艺制备。 首先对工艺进行方案设计，以保证工艺模拟能有序的进行，然后对工艺仿真时所涉及的工艺第三章器件的制程工艺设计作简单介绍，进步熟悉工艺原理，最后利用工艺模拟软件模拟工艺流程，其基本流程为衬底制备栅极氧化层形成阱注入多晶硅栅极形成源漏极注入和退火接触金属形成，并给出部分的过程结构图，以及掺杂浓度分布图，来确保步骤的准确，最终得到个普通结构和沟槽结构工艺仿真结构......”。

8、“.....在零栅压的情况下，增加漏极电压来获取其击穿电压，把的漏极电流作为个标准，即在图中快速增长曲线部分，当漏极电流达到所对应的漏极电压为击穿电压。 从而可以得出，普通结构的击穿电压约为，而沟槽结构的击穿电压可达到，提高了。 从而验证了，由于沟槽结构的存在，使得器件的漂移区长度增长，进而器件的击穿电压提高。 第四章器件特性研究导通电阻导通损耗产生的温升是制约器件电流量的个重要因素，因此，在比较不同的器件时，导通电阻成为了个重要的参数，是指器件工作在线性区的电阻。 当工作在深线性区时，输出曲线呈线性变化，从而可以近似认为导通电阻的表达式为。 图的仿真结果为普通结构和沟槽结构工作在深线性区时的输出特性曲线。 提取导通电阻时，外加栅极电压，漏极电压从加到......”。

9、“.....红色曲线表示普通结构器件仿真曲线。 图工作在深线性区时输出特性曲线利用软件的工具可以获得曲线上的任意点坐标，通过公式就可以估算出，普通结构器件的导通电阻为，而沟槽结构器件的导通电阻为，较常规结构提高了。 从而验证了，沟槽结构的存在使漂移区在此处的厚度减小，电子流在此处会变小，进而引起导通电阻增大。 输出特性研究漏电流随漏极电压变化的输出特性曲线是重要的参数之，决定了器件应用于放大电路的功耗密度。 第四章器件特性研究图分别为普通结构与沟槽结构器件的特性曲线图。 在器件仿真是，栅极电压分别和，普通结构漏极电压从增大到，而沟槽结构器件漏极电压从增大到，通过中的二维器件仿真软件对和沟槽结构进行主要电学性能仿真，包括阈值电压输出特性击穿电压以及导通电阻......”。