提高 利用率。 满足国家现行的防火防噪卫生安全等规范规定的要求 功能分区合理，物流短捷交通顺畅 近期建设与远期发展相结合，协调好近远期工程的衔接，以及功能转换， 立足现在，适当超前，合理节约用地，高标准规划高标准建设，次规划， 分期建设，做到宏观可控，微观可调，以适应今后的市场规模的不断调整和更 新的需求。 二场内外运输 场十公斤，因此，多采用高纯石墨制造坩埚，而这些高纯石墨多为进口冷等静压 石墨。英寸的热系统的隔热保温套，则多为进口件。相当部分较大型的进 口设备，其热系统完全依靠进口。 复合材料热场系统研究组，为满足半导体工业的要求，与西安理工大 学单硅晶基地有研硅股等单位合作，对复合材料热场系统进行试验和使 用。在西安用复合材料制作的坩埚及加热器，装在加有横向 磁场的上，使用情况很好。 国外的发展现状 年东芝陶瓷申请的美国专利介绍用二维纤维织物绕制作成单晶 生长炉坩埚坯体，浸渍树脂后碳化制成坩埚。随后，在年美国等 用三维复合材料制造了单晶生长炉用坩埚埚帮埚托发热体隔热 屏及支撑块等等人制备的高纯复合材料，制造的硅单晶生长炉的 热场零部件，通过系列的高温处理，金属杂质含量控制到很低的程度。 年，等采用复合材料在硅单晶生长炉的底部设置个容积等于 坩埚的容积的环槽，在硅单晶生长炉出现意外漏硅时，可以防止其他热场零件 受到损伤。 东洋炭素，等国外厂商在其产品介绍中， 也提到复合材料制造单硅晶生长炉的坩埚发热体等产品。其中提到的个 别产品已经投入使用，大多数则仍处于研究阶段。 二产品目标市场分析 目标市场确定 超高纯及晶体结构完整的硅晶圆是半导体工业中制作芯片的基础材料。集 成电路的出现及发展，使人类步入了微电子时代。随着微电子元件尺寸小型化 管芯面积大型化与集成度的日益提高，硅单晶生长技术装备面临新的挑战。 为改变我国集成电路用关键基础材料技术水平低品种不配套产业化规 模小关键基础材料依赖进口的局面，国家科技部设立了微电子配套材料专项， 选择英寸硅单晶抛光制备技术研究作为首次研究任务，并要求英寸硅单 晶抛光片形成小批量生产能力，达到集成电路技术要求。实施该 项目第个要解决的是英寸硅单晶生长技术与装备的问题，大尺寸的热场系 统的关键元件的设计制造技术，也迫切需要解决。 项目的市场优势 由于国外公司在控制了该类产品的市场，产品价格较高。所以，与国外对 手相比较，本项目的产品有较大的价格优势。 型项目，公司将投入较大力量，进行新设 备新技术新工艺新产品的研发，保持技术水平的领先地位和强劲的市场 竞争能力。为保持技术创新，紧跟新材料领域的国际发展趋势，将保持设置机 构的灵活性。 研究开发部 股东会 董事会监事会 总经理 行政部财务部生产部供储部销售部 车间二车间 销售部研发部 目录 第章总论„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 项目背景„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 二项目概况„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第二章市场预测„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 产品市场供应预测„„„„„„„„„„„„„„„„ 二目标市场分析„„„„„„„„„„„„„„„„ 第三章建设规模与产品方案„„„„„„„„„„„„„„ 建设规模„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 二产品方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第四章场址选择„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第五章技术设备方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 技术方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 二设备方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第六章主要原辅材料供应„„„„„„„„„„„„„„„ 主要原料供应„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 二能源供应„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第七章总体布置运输与公用辅助工程„„„„„„„„„„ 总图布置„„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 二场内外运输„„„„„„„„„„„„„„„„„„ 第八章节能节水措施„„„„„„„„„„„„„„„„ 概述