陷的不可或缺的结构测定分析方法。

关于有机晶体缺陷的综述晶体学论文。

高分辨场发射扫描电镜分析扫描电镜是种能够实现对单晶形貌晶面状态和结构特征进行微观观测的常用手段。

等研究了单晶中种流体包裹体的存在性质，结合利用光学显微观察和扫描电镜，可以有效的对具有晶体缺陷的晶体的形貌缺陷状态晶面的表面状态和形貌做全方位的表征。

扫描电镜制样简单，但需要对样品进行喷降低有机物的结晶速率并使提高晶体缺陷率，因此提出如下机理这些气体微泡会在晶体的特定生长晶面富集，被晶面捕获形成生长抑制，晶体继续生长从而形成流体包裹体，直接导致生长过程中包裹体的出现。

裂纹裂纹在结晶生产过程中严重影响晶体的结晶质量。

影响裂纹形成的最主要原因是晶体的内部存在结构应力。

晶体生长过程中，由于温度的波动和过饱和度剧烈变化，在晶体生长过程中会产生应力，当应力达到界限，晶体内部结构中相对脆弱的键链就会断裂，断裂点延伸形成裂纹。

周恒为等就通过升温降温实验测定了邻苯甲酸甲酯的裂纹愈合温度，也观测到了对应于晶体裂纹愈合过程的个动力学损耗峰，研究了晶体裂纹形成和愈合的机理与调控条件。

楔化楔化现象在晶体相关的文献，中被报道过。

楔化现象的出现与杂质和位错的相互作用有关，楔化现象严重影响晶体的光学性能。

其形成机理如下在杂质粒子构成的分界中心处，台阶的生长受到抑制度分布以及较粗糙的表面，导致其品质较低且难以保存，故些课题组在对其做改性研究。

李洪珍等采用低温重结晶的方法，通过降低结晶温度并减缓降温速率，改善了普通的品质，并成功获得了降感，其品质可达美国制备标准。

等则通过混合溶剂丙酮苯甲苯和氯甲烷等溶解与缓慢蒸发的重结晶过程，制备出种具有不同晶习的，并通过分析确定了晶型的致性。

与传统制备法的产物相比，这种制备方法所得的形态更加规整，通过控制结晶溶剂得到几乎无缺陷的具有新晶习的产品，减少晶体缺陷导致的感度过高的风险，在实际推广上具有定的价值。

环亚甲基硝胺分子具有很高的能量，因此有些生产者认为可将作为炸药投入使用。

但常规溶剂结晶得到的晶体含有大量的包裹体缺陷，导致产品纯度不高，易发生降解，需要对其进行晶体形态改进。

等将溶于丙酮，并在的温度区间进行关于有机晶体缺陷的综述晶体学论文成形貌各异的台阶列，最终导致楔化现象的出现。

有机晶体缺陷的表征方法有机晶体中的宏观缺陷主要影响晶体的结构强度光学和机械性能产品纯度和质量。

对宏观缺陷如包裹体裂纹孔洞等进行定性和定量分析可借助于多种分析表征方法，般可分为显微镜法和光谱法。

以下将以如何表征晶体缺陷的角度对几种测试方法进行论述。

射线衍射射线衍射目前常用于测定晶体结构，是种对物质晶型和微观结构进行定性和定量的分析手段。

单晶射线衍射和粉末射线衍射是表征单晶结构和定性分析晶体的最常用的表征分析方法。

等通过控制硫脲在不同溶剂和结晶条件下进行重结晶得到具有不同晶习的硫脲单晶，研究硫脲晶体形态变化对包裹体形成的影响。

通过分析，确定了硫脲晶体在具有不同晶习时晶型的致性。

通过单晶结构数据分析计算得出晶体各晶面的米勒指数，定位了晶体缺陷形成过程中晶面族粗糙度对包裹体形成产生的重要影响。

射线衍射力来研究晶体表面的分子排布结构粗糙度和表面性质。

等通过原子力显微镜针对性地表征了环吡酮边形块状晶习和棒状晶习中不同晶面的晶面情况，其中定性研究了边形晶习中和晶面族和棒状晶习和晶面族的表面粗糙度和疏水性，对比分析得出粗糙度和疏水性是诱发特定晶面捕获流体的影响因素之。

原子力显微镜主要包括种检测功能，其中的力检测功能和成像功能可常用于晶面生长情况的表征分析。

力检测可对晶体样品进行力谱分析，获得样品的机械性能参数，如杨氏模量等。

成像功能常用于粗糙度和疏水性的定量分析，通过探针收集力反馈信号获得样品表面的微观维图像，为研究晶体缺陷形成生长过程提供重要的图像数据支持。

此外，和则尝试从气体因素入手来解释包裹体的形成原因。

他们注意到，含氧原子的气体空气和氧化碳等在溶液中的溶解会降低有机物的结晶速率并使提高晶体缺陷率，因此提出如下机理这些晶体生长溶液稳定性和晶体生长速率，达到改善晶体的光学性能的目的。

在年研究了有机掺杂对晶体生长的影响，并得出以下结论在低掺杂浓度下，溶液的亚稳区变宽且生长速率提高，而在高掺杂浓度下，生长速率则降低掺入生长出的晶体相比纯溶液生长的晶体具有更好的透明度和非线性光学性能。

和等分别于年和年研究了掺杂对晶体生长和光学性能的影响。

结果表明，有掺杂的溶液更加稳定，晶体在成核期间不易发生位错，晶体具有更好的透光率和热稳定性。

年等又研究了掺杂对晶体性能的影响，研究显示了相似的结果，掺杂后晶体具有更好的光学透明度和良好的热稳定性。

在半导体材料上的应用半导体材料的出现在极大程度上促进了电子信息时代的到来，同时电子信息产业的迅猛发展也在江昌明等研究了苹果酸脲的结晶条件。

实验中他将苹果酸脲分别与水甲醇乙醇等多种溶剂形成元混合液，之后考察体系的溶解度热稳定平衡条件和介稳区宽度。

他们发现，苹果酸脲分子会和乙醇以外的溶剂分子产生较强的氢键作用，这会阻碍苹果酸脲分子间的相互作用，延缓了溶质成核并形成了个较宽的介稳区进步研究后他们还发现采用溶液降温法结晶，提高适合的过饱和度，提高溶质与溶剂的纯度等手段能够有效降低晶体缺陷率，同时也可以使材料的光学非线性更加明显。

值得注意的是，尽管文献与文献中提及的此类有机分子结晶获得的非线性光学材料具有良好的性能，但由于晶体内部分子排列结构仍可完善，尚未研究其大尺寸晶体的生长与材料性能，同时如何有效减少内部的晶体缺陷这问题尚未解决。

因此，此类材料离实际应用的道路还很遥远。

有机金属配合物晶体有机金属配合物兼具无机材料与有机材料的优点，在近年来颇受关注并常被运用于非列。

非线性的分子形态结合特殊的分子堆积形式，往往可以得到理论上令人满意的非线性晶体材料，。

个典型的蓝本就是，甲氨基苯基乙烯基甲基吡啶鎓盐。

具有很大的理论非线性系数，但由于库仑力引起的晶体缺陷，其实际非线性系数通常只是理论计算结果的且其晶体粒径分布较大，也会影响其光学性质。

尽管的实际表现并未达到理论预期，但这给研究者们提供了思路，即可以将作为样本，通过改变阴阳离子离子的粒径甚至种类来提高材料的光学非线性。

为此，近年来关于离子改性的研究不断出现。

目前比较成功的探索是对阴离子的改变。

等选择增大阴离子的粒径大小，削弱分子间的范德华相互作用，力求在微观尺度下便规避位错的出现，合成了种新的型非线性光学材料。

此外，该课题组还分别用萘磺酸和，甲基苯磺酸取代对甲苯磺酸，分别得到了和。

经检测，这种晶体有机晶体缺陷形成的调控手段以及晶体缺陷和晶体形态调控方法在炸药非线性光学材料半导体材料晶体性能改进等方面的应用。

关键词晶体学晶体形态晶体缺陷有机晶体结构表征缺陷机理晶体是质点元原子离子或分子作维有序规则排列的固态物质，晶体中质点元的排列具有明显的周期性。

将晶体中的质点元和周期性规律抽象化后，可定义为空间点阵。

在空间点阵中，质点元被看作固定不动的结点，同时每个结点的位臵均规则地被结构基元所占据。

考虑到每个结构基元周围相同的微观环境以及晶体自身的周期性排列规律，抽象化的理想晶体可被描述为结构基元无限周期重复的空间点阵结构。

基于这种高度的排列有序性，理想晶体常表现出极高的均性和对称性。

但是在实际晶体中，原子会随着温度变化做无规则热运动，热运动现象可能导致原子脱离其本身的位点。

在实际结晶过程中，结晶条件杂质和后处理工艺等因素对晶体成核和生长过程会产生影响，实际情况下质点，即可以将作为样本，通过改变阴阳离子离子的粒径甚至种类来提高材料的光学非线性。

为此，近年来关于离子改性的研究不断出现。

目前比较成功的探索是对阴离子的改变。

等选择增大阴离子的粒径大小，削弱分子间的范德华相互作用，力求在微观尺度下便规避位错的出现，合成了种新的型非线性光学材料。

此外，该课题组还分别用萘磺酸和，甲基苯磺酸取代对甲苯磺酸，分别得到了和。

经检测，这种晶体中位错与孔洞较少，故这种材料的晶体缺陷率大大降低。

同时，它们的光学非线性更优于，基本可解决长期困扰的难题。

，和尝试着改变阳离子或同时对阴阳离子进行改变，但所得产品的晶体缺陷率均较大，这表明此类材料在分子在自组装过程中还没有达到最优化，其宏观非线性受晶体缺陷的影响仍有提高的可能。

分子作光学材料封闭构型多烯烃类化合物兼具较大的非线在不断开展，。

苦于较大的晶体缺陷和较长的晶体生长周期对晶体尺寸和晶体光学性质的不利影响，如何改善晶体性能的研究直没有间断。

目前，主流的解决方法是加入添加剂或诱导剂，从而提高晶体生长溶液稳定性和晶体生长速率，达到改善晶体的光学性能的目的。

在年研究了有机掺杂对晶体生长的影响，并得出以下结论在低掺杂浓度下，溶液的亚稳区变宽且生长速率提高，而在高掺杂浓度下，生长速率则降低掺入生长出的晶体相比纯溶液生长的晶体具有更好的透明度和非线性光学性能。

和等分别于年和年研究了掺杂对晶体生长和光学性能的影响。

结果表明，有掺杂的溶液更加稳定，晶体在成核期间不易发生位错，晶体具有更好的透光率和热稳定性。

年等又研究了掺杂对晶体性关于有机晶体缺陷的综述晶体学论文位错与孔洞较少，故这种材料的晶体缺陷率大大降低。

同时，它们的光学非线性更优于，基本可解决长期困扰的难题。

，和尝试着改变阳离子或同时对阴阳离子进行改变，但所得产品的晶体缺陷率均较大，这表明此类材料在分子在自组装过程中还没有达到最优化，其宏观非线性受晶体缺陷的影响仍有提高的可能。

分子作光学材料封闭构型多烯烃类化合物兼