为第保护措施，快速熔断器只作为短路时的部分区断的保护，直流快速断路器在电子电力动作之后实现保护，过电流继电器在过载时动作。

在选择快熔时应考虑电压等级应根据快熔熔断后实际承受的电压来确定。

电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。

快熔般与电力半导体体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。

快熔的值应小于被保护器件的允许值。

为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。

快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。

全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护，此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。

短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用，此方式需与其他过电流保护措施相配合。

熔断器是最简单的过电流保护元件，但最普通的熔断器由于熔断特性不合适，很可能在晶闸管烧坏后熔断器还没有熔断，快速熔断器有较好的快速熔断特性，旦发生过电流可及时熔断起到保护作用。

最好的办法是晶闸管元件上直接串快熔，因流过快熔电流和晶闸管的电流相同，所以对元件的保护作用最好。

电流上升率电压上升率的抑制保护电流上升率的抑制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率过大，会导致结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。

其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。

如下图所示图串联电感抑制回路电压上升率的抑制加在晶闸管上的正向电压上升率也应有所限制，如果过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。

为抑制的作用，可以在晶闸管两端并联阻容吸收回路。

如图所示图并联阻容吸收回第五章元器件和电路参数计算晶闸管的基本特性静态特性静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。

这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。

阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压与阳极电流之间的关系曲线，如图所示。

图晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区负阻区正向导通低阻区④反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域第Ⅰ象限为正向特性区，第Ⅲ象限为反向特性区。

第Ⅰ象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。

门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着个结，门极伏安特性就是指这个结上正向门极电压与门极电流间的关系。

由于这个结的伏安特性很分散，无法找到条典型的代表曲线，只能用条极限高阻门极特性和条极限低阻门极特性之间的片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图阴影区域所示。

图晶闸管门极伏安特性动态特性晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，有时也在高频电力电子电通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。

反压可利用电源负载和辅助换流电路来提供。

要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。

晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力路中得到应用，如逆变器等。

在高频电路应用时，需要严格地考虑晶闸管的开关特性，即开通特性和关断特性。

开通特性晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。

图给出了晶闸管的开关特性。

在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流，由于晶闸管内部正反馈过程及外电路当时，晶闸管额定电流考虑倍裕量取所以在本次设计中我选用个的晶闸管。

变压器的选取根据参数计算可知变压器应选变比为，容量至少为。

性能指标分析整流电路的性能常用两个技术指标来衡量个是反映转换关系的用整流输出电压的平均值表示另个是反映输出直流电压平滑程度的，称为纹波系数。

整流输出电压平均值纹波系数纹波系数用来表示直流输出电压中相对纹波电压的大小，即元器件清单元器件备注数量整流变压器变比为，容量至少为个晶闸管个电阻其中主电路负载电阻最大为个电感主电路负载个第六章系统仿真带电阻电感性负载的仿真启动，进入后建文档，绘制单相桥式全控整流电路模型，如图，双击各模块，在出现的对话框内设置模块。

设置好各模块参数，单击工具栏菜单下的命令进行仿真。

双击各模块，得到仿真结果。

控制角控制角第七章设计总结这次课程设计让我明白了很多关于电力电子技术方面的知识，尤其是在课本中没有完全介绍的。

要完成这次课程设计，关靠书本知识是远远不够的，所以我查阅了很多关于电力电子的书籍，并且也通过网络查到了很多相关的知识，为这次课程设计做了很多帮助。

对于课程设计的内容，首先要做的应是对设计内容的理论理解，在理论充分理解的基础上，才能做好课程设计，才能设计出性能良好的电路。

整流电路中，基本元件的选择是最关键的，开关器件和触发电路选择的好，对整流电路的性能指标影响很大。

设计过程中，我明白了整流电路，尤其是单相全控桥式整流电路的重要性以及整流电路设计方法的多样性。

这次的课程设计是我设计时间最长的次，也是收获最大的次。

虽然设计过程中遇到很多问题，尤其是保护电路的设计，因为课上没有讲到保护电路的内容，保护电路的理解不够全面，设计的时候是头雾水，但还是在老师的帮助下，我解决了。

另外通过这次课程设计，我对文档的编排也有了定的掌握，这对于以后的毕业设计及工作需要都有很大的帮助，在完成课程设计的同时我也在复习遍电力电子这门课程，把以前些没弄懂的问题这次弄明白了部分，当然没有全部。

整个课程设计过程中，由于理论知识的缺乏，以及对课程设计的不熟悉，课程设计还有很多不足之处，在以后的课程设计中，希望能有所改善。

感的影响，阳极电流的增长需要定的时间。

从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值的所需的时间称为延迟时间，而阳极电流从上升到所需的时间称为上升时间，延迟时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间，普通晶闸管的延迟时间为，上升时间为。

延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。

图晶闸管的开关特性关断特性用几种过电压保护措施，怪提高保护的可靠性和合理性。

在选择各种保护措施时应注意相互协调。

通常，电子电路作。

突定的英语基础就可以通过实际操作很快掌握该软件。

实用性强，仿真效果好在中，对元件参数的修改很容易，它只需存次盘创建次连接表，就可以实现个复杂电路的仿真。

如果用等软件进行参数修改仿真，则过程十分繁琐。

在改变个参数时，哪怕是个电阻阻值的大小都需要重新建立网络表的连接，设置其他参数更为复杂。

功能强大，集成度高在内集成了许多仿真功能，如直流分析交流分析噪声分析温度分析等，用户只需在所要观察的列出个独立电流方程。

用基尔霍夫电压定律列出个网孔方程。

说明指的是网孔数，指是支路数，指的是节点数。

代入已知数据求解方程组，确定各支路电流及方向。

利用以上步骤，设电压源的电压为。

可通过支路电流法分别算得流过的电流为，流过的电流为，流过的电流为，流过的电流为，流过电压源的电流为。

同样可以推得各个节点电压的大小其中选取的电压为参考地点，其电压值始终为，从而可以推得节点的电压值为，节点的电压值为。

方法二利用节点电压法解题步骤选择参考节点，设定参考方向求节点电压求支路电流通过此方法同样可以分别算得流过的电流为，流过的电流为，流过的电流为，流过的电流为，流过电压源的电流为。

同样也可以推得各个节点电压的大小其中选取的电压为参考地点，其电压值始终为，从而可以推得节点的电压值为，节点的电压值为。

由这些电流电压的表达式可以看出，各电压电流随的变化都是直线变化的，所以可以推测仿真出来的图像是线性的关系。

仿真曲线图电路图如图所示，这是仿真后的图，这个图验证了和定理的正确性。

节点电压仿真曲线图仿真电压曲线图中从上到下次是，节点电压随的变化而变化，其中是条恒为的直线，节点就是电源电压，节点的电压为，这些都是与理论分析中完全相符合。

支路电流仿真曲线图仿真电流曲线从图中上到下依次是，的电流随电压源的变化曲线的电流是随的增加而增加。

这与理论分析中是现符合的。

然而的电流值却是随的增加而反向增大，这是因为我的原理图中的的管脚与实际电流的流向是相反的，所以仿真出来的结果是个负值。

不难发现其斜率的大小也是与理论分析中，，的分析结果是相同的。

心得体会通过本次课程设计自己对滤波器的设计有了初步的了解与掌握。

也对有了定的了解。

设计过程中，学习了许多数字信号处理课程中关于数字滤波器的设计的内容，再通过利用参考文献与网络，完成了用进行数字信号处理课程设计。

通过课程设计，加深了对课堂抽象概念的理解，巩固了课堂上所学的理论知识，并能很好地理解与掌握数字信号处理中的基本概念基本原理基本分析方法。

同时掌握编程方法和解决实际问题的技巧。

与其他高级语言的程序设计相比，环境下可以更方便快捷地设计出具有严格线性相位的滤波器，节省大量的编程时间，提高编程效率，且参数的修改也十分方便，还可以进步进行优化设计。

随着版本的不断提高，在数字滤波器技术节点放置电压电流探针，就可以在仿真结果图中观察到其电压或电流时间图。

而且该软件还集成了诸多数学运算，不仅为用户提供了加减为第保护措施，快速熔断器只作为短路时的部分区断的保护，直流快速断路器在电子电力动作之后实现保护，过电流继电器在过载时动作。

在选择快熔时应考虑电压等级应根据快熔熔断后实际承受的电压来确定。

电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。

快熔般与电力半导体体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。

快熔的值应小于被保护器件的允许值。

为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。

快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。

全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护，此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。

短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用，此方式需与其他过电流保护措施相配合。

熔断器是最简单的过电流保护元件，但最普通的熔断器由于熔断特性不合适，很可能在晶闸管烧坏后熔断器还没有熔断，快速熔断器有较好的快速熔断特性，旦发生过电流可及时熔断起到保护作用。

最好的办法是晶闸管元件上直接串快熔，因流过快熔电流和晶闸管的电流相同，所以对元件的保护作用最好。

电流上升率电压上升率的抑制保护电流上升率的抑制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率过大，会导致结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。

其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。

如下图所示图串联电感抑制回路电压上升率的抑制加在晶闸管上的正向电压上升率也应有所限制，如果过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。

为抑制的作用，可以在晶闸管两端并联阻容吸收回路。

如图所示图并联阻容吸收回第五章元器件和电路参数计算晶闸管的基本特性静态特性静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。

这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。

阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压与阳极电流之间的关系曲线，如图所示。

图晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区负阻区正向导通低阻区④反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域第Ⅰ象限为正向特性区，第Ⅲ象限为反向特性区。

第Ⅰ象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。

门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着个结，门极伏安特性就是指这个结上正向门极电压与门极电流间的关系。

由于这个结的伏安特性很分散，无法找到条典型的代表曲线，只能用条极限高阻门极特性和条极限低阻门极特性之间的片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图阴影区域所示。

图晶闸管门极伏安特性动态特性晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，有时也在高频电力电子电通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。

反压可利用电源负载和辅助换流电路来提供。

要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。

晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力