二个阶段的应用，并且还全面进入通用照明市场，占有的市场份额。到达目前为止处于第阶段，特种照明时代，已纷纷将中低功率蓝色发光二极管绿色白光蓝紫色等实现了量产，走向了商业市场。高功率蓝色发光二极管激光二极管和全波段等，将会引发新的更加大的商机，例如，光存储光通讯等。实现高功率蓝色发光二极管激光二极管和全波段实用化，并且达到其商品化，这需要合适的衬底材料。因此，材料及器件发展，需要寻找到与匹配的衬底材料，进步提高外延膜的质量。另外，就基础研究和中长期计划考虑，科技发展越来越需要把不同体系的材料结合到起，即称之为异质结材料。应用协变衬底可以将晶格和热失配的缺陷局限在衬底上，并且为开辟新的材料体系打下基础。已提出了多种协变衬底的制备技术，例如，自支撑衬底键合和扭曲键合重位晶格过渡层，以及和衬底技术等。预计，在今后的年中，大尺寸的协变衬底的制备技术将获得突破，并且广泛应用于大失配异质结材料生长及其相联系的光电子器件制造。世界各国现在又投入了大量的人力财力和物力，并且以期望取得基高功率器件的突破，居于此领域的制高点。氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发及其合金等材料，是作为新材料的系材料。对衬底材料进行评价，要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是作为发展基技术的重要目标。评价衬底材料综合考虑因素评价衬底材料要综合考虑以下的几个因素衬底与外延膜的晶格匹配衬底材料和外延膜晶格匹配很重要。晶格匹配包含二个内容外延生长面内的晶格匹配，即在生长界面所在平面的方向上衬底与外延膜的匹配沿衬底表面法线方向上的匹配。衬底与外延膜的热膨胀系数匹配热膨胀系数的匹配也很重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏。衬底与外延膜的化学稳定性匹配衬底材料需要有相当好的化学稳定性，常数为。晶体是优良的传声介质材料，在微波段的声衰减低，用晶体制作的微波延迟线插入损耗小。晶体与的晶格匹配性能好，其膨胀系数也与相近，因而外延膜的形变扭曲小，制作的大规模超高速集成电路速度比用蓝宝石制作的速度要快。此外，国外又用晶体作超导材料，有很好的效果。近年来，对晶体用于的外延衬底材料研究较多。由于晶体具有良好的晶格匹配和热膨胀匹配，面晶体与晶格的失配率为，具有优良的热稳定性和化学稳定性，以及良好的机械力学性能等优点，晶体目前是较为合适的衬底材料之，已在基片上成功地外延出高质量的膜，并且已研制成功蓝光和。此外，衬底最吸引人之处在于可以通过解理的方法获得激光腔面。在前面的研究基础上，近来把晶体用作的外延衬底材料的研究也陆续见之于文献报道。其之间的匹配方向为绕衬底的四方六方形格子结构旋转。研究表明面晶体与晶格的失配率为，晶格匹配性能要大大优于蓝宝石，面蓝宝石与晶格的失配率高达。而且，如果位于顶层氧原子层下面的镁原子占据有效的配位晶格位置，以及氧格位，那么这样可以有希望将晶格失配率进步降低至，这个数字要远远低于蓝宝石。所以晶体是很有发展潜力的的外延衬底材料。和以往的研究是把和用作的外延衬底材料。和与的外延膜的失配度相当小，这使得和成为相当合适的的外延衬底材料。同时作为的外延衬底材料,还有其独到的优点外延生长后，衬底可以被腐蚀，剩下外延膜，这将极大地方便了器件的制作。但是由于晶体中的锂离子很活泼，在普通的外延生长条件下例如，法的化学气氛和生长温度不能稳定存在，故其单晶作为的外延衬底材料还有待于进步研究。而且在目前也很少把和用作的外延衬底材料。晶体属立方晶系，是型结构，熔点为。因为晶体在气氛中不够稳定，所以对其使用少，特别是对于熔点和生长温度更高的薄膜。也是目前生长薄膜的衬底材料。衬底的氮化温度低于时，生长薄膜的厚度小于时，薄膜为立方结构，当生长薄膜的厚度超过时，立方结构消失，全部转变为六方结构的薄膜。薄膜在衬底上的核化方式与在衬底上的情况有非常大的差别，薄膜在衬底上的核化方式没有在白宝石衬底上生长薄膜时出现的柱状纤维状结构，表面上显现为非常平整。单晶，是应用很广的半导体材料。以作为衬底材料是很引起注意的，因为有可能将基器件与器件集成。此外，技术在半导体工业中已相当的成熟。可以想象，如果在的衬底上能生长出器件质量的外延膜，这样则将大大简化基器件的制作工艺，减小器件的大小。是年日本科学家首次提出用于氮化物外延新型衬底。与氮化物晶格匹配，而且其具有匹配的热膨胀系数和高的电导率。主要用助熔剂法和浮区法生长。自支撑同质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器大功率高亮度半导体照明用，以及高功率微波器件等是很重要的。氮化物衬底材料的开发研究宽带隙的基半导体在短波长发光二极管激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景对环保，其还是很适合于环保的材料体系。半导体照明产业发展分类所示的若干主要阶段，其每个阶段均能形成富有特色的产业链。世界各国现在又投入了大量的人力财力和物力，以期望取得基高功率器件的突破，并且居于此领域的制高点。氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景文稿介绍了氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景的部分内容。及其合金等材，是作为新材料的系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展基技术的重要目标。评价衬底材料要综合考虑衬底与外延膜的晶格匹配衬底与外延膜的热膨胀系数匹配衬底与外延膜的化学稳定性匹配材料制备的难易程度及成本的高低的因素。的外延衬底材料就现在来讲有广泛应用的。自支撑同质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器大功率高亮度半导体照明用，以及高功率微波器件等是很重要的。氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发文稿介绍了氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发的部分内容。氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景是直接带隙的材料，其光跃迁几率比间接带隙的高个数量级。因此，宽带隙的基半导体在短波长发光二极管激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景对环保，其还是很适合于环保的材料体系。年，日本的公司在上取得突破，年，器件第次实现商品化。年，基发光二极管市场规模为亿，年，市场规模扩大至亿。据权威专家的预计，基及其所用的衬底在国际市场上的市场成长期将达到年之久。基及其所用的衬底具有独特的优异物化性能，并且具有长久耐用性。预计，年基器件的市场规模将扩大至亿，基器件所用的衬底的市场规模将扩大至亿。半导体照明产业发展分类所示的若干主要阶段，其每个阶段均能形成富有特色的产业链第阶段第阶段特种照明时代，年之前，其中有仪器仪表指示金色显示室内外广告交通灯信号灯标致灯汽车灯室内长明灯吊顶灯变色灯草坪灯城市景观美化的建筑轮廓灯桥梁高速公路隧道导引路灯，等等。第二阶段第二阶段照明时代，年，其中有光存储激光金色显示娱乐条型码打印图像记录医用激光开拓固定照明新领域，衍生出新的照明产业，为通用照明应用打下基础，等等。第三阶段第三阶段通用照明时代，年之后，包括以上二个阶段的应用，并且还全面进入通用照明市场，占有的市场份额。到达目前为止处于第阶段，特种照明时代，已纷纷将中低功率蓝色发光二极管绿色白光蓝紫色等实现了量产，走向了商业市场。高功率蓝色发光二极管激光二极管和全波段等，将会引发新的更加大的商机，例如，光存储光通讯等。实现高功率蓝色发光二极管激光二极管和全波段实用化，并且达到其商品化，这需要合适的衬底材料。因此，材料及器件发展，需要寻找到与匹配的衬底材料，进步提高外延膜的质量。另外，就基础研究和中长期计划考虑，科技发展越来越需要把不同体系的材料结合到起，即称之为异质结材料。应用协变衬底可以将晶格和热失配的缺陷局限在衬底上，并且为开辟新的材料体系打下基础。已提出了多种协变