以占据两个替代格点，配位体晶格和配位体晶格如图所示。

当进入晶格，它只会取代最初钙离子位置，因此，将占据两个不同格点和拥有配位体或者配位体。

和激活后，将激活成不同水平能量，从而导致在不同发射光谱。

由于晶体结构类似于，从中可以推断出，当取代基体中时，也可以占据不同格点并拥有配位体或配位体，从而导致了两种不同发射峰。

值得注意是图中荧光粉发射峰比发射峰波长长，这可以解释为晶体结构略有变化从而转向波长较长方向。

根据范逸臣发现，在各种基质中文字出处长余辉发光材料，和，的发光性质研究秦飞，常程康，毛达利金属复合材料国家重点实验室，上海交通大学华山路号，上海，中华人民共和国年月日收到年月日接受摘要长余辉荧光粉，和，是通过固相反应法制备得到的。

据结果显示，这两种荧光粉显示两个发射峰是由发光中心取代不同的基体晶格引起的，观察到波长漂移是由于两种基粉通过射线衍射进行物相分析。

这个实验在型号为衍射仪下观察分析，实验条件为千伏管电压毫安管电流扫描速度和波长为射线。

和荧光粉激发光谱和发射光谱是在光谱仪观察下获得，对于衰减曲线研究也是在同台仪器上进行。

热释发光曲线是使用热激发光谱仪获得。

结果与讨论粉末相组成两个样品在◦烧结图谱如图所示。

根据标准铺土和可以发现样品所有波峰与和纯相结构相符合。

这表明我们获得了纯相和荧光粉，掺和共掺离子对样品结构没有影响。

光致发光特性图显示了在室温条件下荧光粉和荧光粉光致发光光谱，从图中可以看出荧光粉有效地吸收紫外线，并且发出不同波长可见光。

这两种荧光粉也荧光光谱非常相似。

光谱上存在两个发射峰，荧光粉在和之间，荧光粉在和之间。

和荧光粉光致发光是典型跃迁发射，发射峰是不存在，可能在样品中作为长余辉发光特性陷阱中心，而不是在基体晶格发光中心。

这两种荧光粉有两个不同发射峰现象可能是占据两个不同基质晶格所产生。

在晶体结构中存在配位体和配位体钙格位，。

因此，钙离子可以占据两个替代格点，配位体晶格和配位体晶格如图所示。

当进入晶格，它只会取代最初钙离子位置，因此，将占据两个不同格点和拥有配位体或者配位体。

和激活后，将激活成不同水平能量，从而导致在不同发射光谱。

由于晶体结构类似于，从中可以推断出，当取代基体中时，也可以占据不同格点并拥有配位体或配位体，从而导致了两种不同发射峰。

值得注意是图中荧光粉发射峰比发射峰波长长，这可以解释为晶体结构略有变化从而转向波长较长方向。

根据范逸臣发现，在各种基质水平能量，从而导致在不同发射光谱。

由于晶体结构类似于，从中可以推断出，当取代基体中时，也可以占据不同格点并拥有配位体或配位体，从而导致了两种不同发射峰。

值得注意是图中荧光粉发射峰比发射峰波长长，这可以解释为晶体结构略有变化从而转向波长较长方向。

根据范逸臣发现，在各种基质材料能量位置，可以表示为下面关系式其中是位于能量中地位较低波段中自由离子边缘，般每厘米有个，处于活跃阳离子状态。

这里相对于，显正二价。

是围绕着中最近阴离子，和分别附有个和个阴离子，是原子转化成阴离子电子亲和力，为取代基质阳离子半径，和分别是和中锶离子和钙离子半径。

根据范逸臣研究结果，在中值和在中值是相等。

此外，钙离子半径比锶离子半径小点。

根据公式可以算出值小于。

由于是与波长相关参数，并且他们满足以下实证关系 ，值随着值减少而增加。

因此，荧光粉和荧光粉相比，可以看出荧光粉发射峰位于较长波长上。

余辉特性荧光粉和荧光粉在紫外光下照射分钟后发光衰减曲线如图所示。

般来说，余辉衰变过程可以根据公式来进行分析是荧光强度和为常数，是时间。

，和是衰减时间指数。

通过使用软件设备计算，两种荧光粉，和值都能够获得，得到数据如表所列这些结果表明荧光粉衰减时间值比荧光粉大得多，说明余辉特性更好。

通过调查和荧光粉余辉特性差异，得出两种荧光粉热刺激发光实行结果如图所示。

这些热致发光参数如热活化能陷阱深度，频率因子和动力学因素都是通过实验数据拟合理论表达获得。

热致发光强度作为个温度功能来至于公式，是在时陷阱电荷浓度，为玻尔兹曼常数，为升温速率，和可以从下列有关发光峰形参数公式计算得出其中为半高宽，被称为形状参数，并且定义为，为高温半宽度，为低温半宽度。

不对称发光峰形是由不对称参数定义。

是谢瑞麟发光峰强度，是发光峰温度。

所有参数如表所示，和是直接影响余辉特性参数，对于余辉特性来说，陷阱中心拥有合适水平能量是必要，如果水平能量太低，在陷阱中心电子激发后容易返回到激发态前水平能量，从而导致余辉寿命变短。

另方面，如果太高水平能量，电子返回到激发态所需获得水平能量是非常大，电子不能返回，从而导致余辉特性变弱。

根据酒井报告，是长余辉合适陷阱深度。

在我们实验中，长余辉和荧光粉展现了非常接近陷阱能级，因此，余辉性能区别主要来源于在陷阱中心浓度差异。

表结果显示，荧光粉中值大于荧光粉，说明前者荧光粉余辉特性优于后者。

结论，和，长余辉荧光粉是在弱还原气氛条件下通过固相反应法制备得到。

在紫外线照射下，两种荧光粉均有了两个发射峰类，这是由于占据不同材料基体内发光中心。

，发光发射峰相比于，发射峰长些，这可以解释为晶体结构略有差异。

，比，具有更好余辉特性，这是由于基质共掺稀土离子原因导致陷阱浓度较高。

致谢这项工作财政支持包括上海自然科学基金资助项目合同编号和上海纳米技术推广中心合同。

参考文献，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，粉通过射线衍射进行物相分析。

这个实验在型号为衍射仪下观察分析，实验条件为千伏管电压毫安管电流扫描速度和波长为射线。

和荧光粉激发光谱和发射光谱是在光谱仪观察下获得，对于衰减曲线研究也是在同台仪器上进行。

热释发光曲线是使用热激发光谱仪获得。

结果与讨论粉末相组成两个样品在◦烧结图谱如图所示。

根据标准铺土和可以发现样品所有波峰与和纯相结构相符合。

这表明我们获得了纯相和荧光粉，掺和共掺离子对样品结构没有影响。

光致发光特性图显示了在室温条件下荧光粉和荧光粉光致发光光谱，从图中可以看出荧光粉有效地吸收紫外线，并且发出不同波长可见光。

这两种荧光粉也荧光光谱非常相似。

光谱上存在两个发射峰，中文字出处长余辉发光材料，和，发光性质研究秦飞，常程康，毛达利金属复合材料国家重点实验室，上海交通大学华山路号，上海，中华人民共和国年月日收到年月日接受摘要长余辉荧光粉，和，是通过固相反应法制备得到。

据结果显示，这两种荧光粉显示两个发射峰是由发光中心取代不同基体晶格引起，观察到波长漂移是由于两种基质结构参数细微差异引起。

余辉性能调查显示，长余辉发光性能比，长余辉发光性能更好。

热释发光研究表明更佳长余辉性能是由于稀土离子掺杂在基质中产生更高陷阱浓度。

爱思唯尔保留所有权利关键词发光荧光粉碱土硅酸盐长余辉介绍与硫化物类荧光材料和铝酸盐荧光材料相比，碱式硅酸盐具有高化学稳定性和耐水性更适合作为基质材料。

最近，有关固相反应制备碱式硅酸盐长余辉发光材料方法已经发表在些国内期刊上。

目前研究结果表明，当激发光源被移除时，这些经紫外线照射荧光粉仍然可以发出可见光并且显示很长时间。

这些研究结果给我们提供个新体系，这个体系将比在碱式铝酸盐体系中更容易获得长余辉材料。

然而，当与铝酸盐体系所取得研究成就相比时，对于硅酸盐体系中研究显得薄弱，需要进行大量深入研究。

在这项研究中和，长余辉材料是通过固相反应法制备出来。

光致发光和余辉之间差异通过荧光光谱对其进行深入研究和探讨实验过程荧光粉是通过固相反应法合成得到。

碳酸钙，碳酸锶，碱式碳酸镁，二氧化硅，氧化铕和氧化镝都是都是本次实验所采用原料，添加少量硼酸作为助熔剂，将这些原料混合均匀后，研磨小时后，放在在弱还原气氛和条件下烧结小时制备成荧光粉，样品配比为，，如表所示例。

制备荧光粉通过射线衍射进行物相分析。

这个实验在型号为衍射仪下观察分析，实验条件为千伏管电压毫安管电流扫描速度和波长为射线。

和荧光粉激发光谱和发射光谱是在光谱仪观察下获得，对于衰减曲线研究也是在同台仪器上进行。

热释发光曲线是使用热激发光谱仪获得。

结果与讨论粉末相组成两个样品在◦烧结图谱如图所示。

根据标准铺土和可以发现样品所有波峰与和纯相结构相符合。

这表明我们获得了纯相和荧光粉，掺和共掺离子对样品结构没有影响。

光致发光特性图显示了在室温条件下荧光粉和荧光粉光致发光光谱，从图中可以看出荧光粉有效地吸收紫外线，并且发出不同波长可见光。

这两种荧光粉也荧光光谱非常相似。

光谱上存在两个发射峰，荧光粉在和之间，荧光粉在和之间。

和荧光粉光致发光是典型跃迁发射，发射峰是不存在，可能在样品中作为长余辉发光特性陷阱中心，而不是在基体晶格发光中心。

这两种荧光粉有两个不同发射峰现象可能是占据两个不同基质晶格所产生。

在晶体结构中存在配位体和配位体钙格位，。

因此，钙离子可以占据两个替代格点，配位体晶格和配位体晶格如图所示。

当进入晶格，它只会取代最初钙离子位置，因此，将占据两个不同格点和拥有配位体或者配位体。

和激活后，将激活成不同水平能量，从而导致在不同发