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好符合产品技术指标。
这个问题曾是困扰单晶生长个较严重问题。
很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。
本项目承担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题良好方法，成为本公司项独特专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当溶剂中进行热处理，它可保证在长达天单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺第章概述项目提出背景砷化镓单晶是种重要半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。
工艺是研究开发最早单晶生长工艺，也是目前生产量最大工艺，单晶年产量占全世界单晶年产量年全球单晶产量约。
单晶生长设备及生长过程涉及到物理化学冶金学自动控制机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用生产设备生产工艺及晶片加工技术对外严格保密。
国际上单晶生产以日本住友电工公司为主，其产量约占全世界产量年为，所提供晶片以，为主。
，水平砷化镓单晶近年来大量用于红外和高亮度，是目前生产量和需求量最大增长率最快化合物半导体器件之。
但是由于国内目前还没有生产该产品企业，使国内企业对该产品需求主要依赖进，无法变动，加上热辐射和固液界面结晶潜热难以导出，使熔体边缘温度低于中心处温度，往往使固液界面凹向熔体。
这种界面非常容易出孪晶，或使晶体增大，降低成品率。
在单晶生长理论中，理想固液界面形状应为平坦或略为凸向熔体，做到这点，加热体设计和制造非常关键。
加热体是单晶生长核心，对单晶生长影响非常大，是决定单晶生长成功与否关键因素之。
该产品设计和制造是本公司多年科研结晶。
本公司在炉体结构设计保温层设置和配置加热区段设置加热区域设置等方面均取得了很大进步。
目前制作加热体，截面区固液交界面区有特殊加热结构。
高温区各加热段设计合理，中温区有后加热体设置，其余各区设置合适在产品试制过程中表明，该加热体非常适合水平砷化镓单晶生长。
采用这种加热体，可以很好调节固液界面形状及固液界面与生长方向夹角，使其与所切割晶片方向致，并与单晶生长方向之间夹角致。
同时，采用这特种加热炉，通过高温区中温区和固液界面区温度分布控制，很容易调平固液界面。
当然，这种加热体如何单独控制又协调配合形成所需温度分布，也要经过反复实验研究不断优化。
经过几年开发，本项目单位已在国内独家掌握了该项技术，该项技术达到世界先进水平。
关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。
通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达到了预期目标。
该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。
该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。
产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度等光电器件衬底，本项目单位国瑞公司生产这两种单晶各项技术指标与国际同类产品致，完全达到了国际同类产品先进水平，本产品与日本住友电工公司各项指标对比如下北京有研总院国瑞公司日本住友电工产品类型技术指标型掺晶片直径，产品类型技术指标型掺晶片直径，项目承担单位在实施本项目中优势研发能力强是本单位固有优办已经突破，其余技术完全能够实现，项目产品目前已通过权威部门检测和鉴定，鉴定结果为国际先进。
项目目前已有部分产品销售国内外，用户中包括日本住友电工公司韩国成后，单晶顺利脱舟。
纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，有利于提高成品率。
本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，
（定稿）国家火炬计划产业化项目投资方案计划书
