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个的电路。

大规模集成电路，大规模集成电路通常指含逻辑门数为门门或含元件数个个的电路。

超大规模集成电路，超大规模集成电路通常指含逻辑门数大于门或含元件数大于个的电路。

数字的特点数字混合集成电路更是综合了半导体集成电路与薄膜集成电路的共同优点。

既可用半导体或晶体管做有源器件，又可用膜工艺制作无源器件。

电路集成度高，稳定性好，可靠性好。

但是所用工艺设备比较昂贵生产成本较高。

薄膜电路与厚膜电路的区别薄膜电路与厚膜电路的区别主要有以下几点是膜厚的区别薄膜的膜厚小于，大多处于小于，厚膜电路的膜厚般大于二是制造工艺的区别薄膜电路采用的是真空蒸发磁控溅射等工艺方法，厚膜电路般采用丝网印刷工艺三与厚膜集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽精度高温度频率特性好，可以工作到毫米波段。

并且集成度较高尺寸较小。

数字在微电子技术中的地位微电子技术是门使电子元器件和电子系统微小型化的技术。

具体说，微电子技术，除了设计，制造微型电子组件，集成电路和功能器件等技术外，还包括集成电路和由集成电路构成的微电子系统的应用技术。

集成电路则是微电子技术的个重要方面，它将组成电路的有源和无源元器件及其互连线起制作在半导体基片或绝缘基板上，直接构成个完整的具有定功能的微型电路。

按照制造工艺不同，集成电路可分为半导体，薄膜，厚膜和混合集成电路。

随着电子产品向功能复杂化体积小型化以及高性能高可靠性方面的发展，集成化和大规模集成化已成为迫切的要求和必然趋势。

在集成电路面临这种应用要求而迅速发展的过程中，数字集成电路又在数量品种和进展速度上比其它集成电路居领先地位。

因此，数字集成电路已被广泛地应用于计算机通讯自动控制仪器仪表等的数字系统中。

近几十年，薄膜技术与薄膜材料科学突飞猛进的发展对薄膜电子产品的巨大推动作用，尤其是数字混合集成电路具备了半导体集成电路与薄膜集成电路的共同有点，引起了广大生产厂家的极大兴趣和广大用户对这种电子产品的青睐。

自然而然，在未来微电子技术的进步发展中，推动数字混合集成电路的发展将成为必然趋势。

元器件的平面图形设计在既定技术规范的前提下，将电路原理图中的元器件转换成适合工艺的平面图形的过程称为电路元器件的平面图形设计。

薄厚膜集成方式的选择具有设计灵活性元器件参数范围广精度高性能好等特点，对于线路较复杂，品种较繁多的模拟集成电路最为适合。

其中，薄膜混合集成电路适用于要求低噪声高稳定，高频率的电路厚膜混合集成技术适用于要求高电压大功率低成本的电路。

膜电阻器的平面图形设计膜电阻率和方阻块状导体的电阻率只与物质种类有关，与物体的形状和大小无关。

对于膜电阻材料来说，由于膜厚度很小，厚度的精确测量有定的难度，而且这时膜的电阻率已不再是个常数。

导体的电阻率与厚度有密切关系。

膜电阻与电阻率之间的关系可表示为式中表示膜的厚度。

对与个宽度致的均匀电阻膜，其电阻值式中为膜的长度，单位为为膜的宽度，单位为为与膜有关的性能常数，称为膜所具有的电阻值或叫做方阻，单位为。

膜电阻的定义为长计者刘亮图保护层设计者刘亮总结在论文设计中，根据薄膜平面化布局设计规范，对双稳态触发器集成电路进行了平面化设计，通过设计使我对技术有了更进步的了解。

在设计过程中，要确定各个元件的材料尺寸和形状。

电阻器材料根据对电阻器性能的要求工艺条件和成本来选择而电阻器的尺寸和形状主要由阻值和工艺因素决定。

在具体布图中，要考虑整体体积和装配形式的要求。

在高频电路中主要矛盾是寄生效应问题大功率电路中，主要矛盾是功率的保证和散热问题等。

按薄膜电路设计规范，对电路图形进行粗略布图，要保证完成电路要求的各项功能及电路的各项参数。

在满足要求的条件下，尽量使导电带不交叉，在导电带电阻布图时要满足最小工艺设计要求。

最后根据元件平面化设计数据，按各项要求利用画出薄膜平面化总体布局图。

并根据总图分别画出导体膜层电阻膜层介质膜层保护膜层等各分图层图形。

最终得出电路的薄膜工艺平面设计总图。

但由于实验条件所限，没有进行进步的工艺制作。

在设计过程中，我温习了很多已学的知识，收集了很多相关的资料，学习到了新知识。

在该设计中未免有不足之处，还需进步完善。

致谢岁月的秋风掠过，留下硕果满枝头。

论文终稿之时，本科阶段的学习生活也接近尾声，忆起过去的四年时间，心中不禁感慨万千。

在此，要对所有曾经关心过帮助过我的人致以诚挚的谢意。

首先我要感谢我的导师靳宝安老师，他给了我很大的帮助。

在论文设计过程给我了很多具有指导性意义的意见在电路设计过程中给了我很多布图的建议，并多次帮我修改。

感谢学校给我们提供了良好的学习环境感谢热情的同学和舍友们对我的帮助，感谢我的舍友对我的支持和理解特别要感谢电子教研室的老师们，给我们提供技术帮助，谢谢老师对我的帮助。

再次，向所有帮助过我的人致以谢意。

参考文献包兴，胡明主编电子器件导论北京北京理工大学出版社，王传声，张如明技术顶天市场立地中国混合集成电路的现状与发展世界产品与技术刘红斌混合集成电路推广应用的探讨电子元件与材料袁代泽国内外混合集成电路的发展电子元件与材料王毅国内混合集成电路市场现状及预测电子元件与材料孙行伦我国混合集成电路的应用现状及市场需求电子元件与材料候国栋混合集成电路应用和发展动态电子元件与材料束湍混合集成电路产品结构及先进的生产手段电子元件与材料杜磊，孙承永，黄继颇，包军林混合集成电路有限元热分析技术的研究下软件与应用电子元件与材料张弛混合集成电路用的微纳电子技术王毅国内混合集成电路市场现状及预测电子元件与材料李言荣，恽正中主编电子材料导论北京清华大学出版社，陈章其电子器件，郑德海，郑军明，沈青丝网印刷工艺北京印刷工业出版社，李耀霖著厚膜电子元件武汉华南理工大学出版社，数字的分类数字集成电路是将元器件和连线集成于同半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。

根据数字集成电路中包含的门电路或元器件数量，可将数字集成电路分为以下几类小规模集成电路，小规模集成电路通常指含逻辑门个数小于门或含元件数小于个的电路。

中规模集成电路，中规模集成电路通常指含逻辑门数为门门或含元件数个﹑宽开始，对称同步的扩散。

不排水下沉时，首先由低压水泵向沉井内供水，以保持沉井内的水头压力，然后由高压水泵送水至沉井上的空气吸泥机的高压水枪冲泥，启动空气吸泥机将泥浆排放至泥浆沉淀池，泥浆沉淀后，由运渣车运至指定地点排放。

空气吸泥机旦启动，则必须同时启动蓄水池中低压水泵往沉井内连续不断地补水，使沉井内的水头高度比地下水位高以上。

为提高吸泥效率，将高压射水管与空气吸泥机固定在起，同时进行水下吸泥作业。

射水管与吸泥管起升降移动，边冲边吸，射水压力控制在。

射水时，般采用垂直射水喷嘴，因为带倾斜角度的射水喷嘴易引起沉井四周刃脚下的土被冲空，造成井外土体坍塌，使沉井产生倾斜。

但在相对较为坚硬密实的土层，带倾斜角度的喷嘴可单独使用。

沉井封底按照沉井底部分隔板，沉井平面共分为ⅠⅡⅢⅣ个区域，封底即按照个分区的顺序逐区封底。

沉井基底清理封底前要进行沉井清基，当沉井刃脚下沉至设计标高以上时，开始吸泥除土，对井孔内刃脚及隔墙下的土层进行清理，使个封底区域形成独立的锅底形状，清基采用的设备与吸泥下沉过程中所采用的设备致。

封底施工平台搭设北锚碇沉井封底工程量大，为方便沉井封底施工，沉井下沉就位后，在沉井顶部搭设封底混凝土浇注施工平台。

平台全部采用钢结构，平台利用沉井不排水下沉施工钢管立柱作为基础，平台安装时在沉井隔仓顶部搭设贝雷架作为主桁，连通沉井的隔仓顶部，贝雷顶上分配梁采用Ⅰ，顶部根据施工需要铺设木板。

封底混凝土施工采用逐区逐仓连续封底方法进行封我学会怎样去做门设计，还让我更加深入的理解了本门课程的重要性，更使我加深了对本课程的学习和理解。

通过这段时间的学习，对以前所学的专业知识有了更全面更系统的认识，使我们对所学的基本理论知识有了进步的认识和体会，基本上能将所学的课程进行综合利用，真正做到了学以致用，克服了课本的局限性。

之所以这次我们可以最后完成这次设计，我想这和我们的王老师的辛勤工作是分不开的，在我们做设计的这个过程中王老师给予了我们耐心的帮助和细心的指导，及时地解答了我们的困惑。

帮助我们克服了个又个问题和难关。

这让我们少走了很多弯路从而令我们的设计可以顺利按时的完成。

同时我也要感谢同学们给我的意见和对我的帮助。

设计中还有诸多不足之处望王老师批评指正。

底，封底混凝土采用水下刚性导管法浇注。

每根导管的首批混凝土浇注均先采用大料斗进行封导管施工，首批混凝土的浇注要保证满足导管埋深和导管内的混凝土填充数量需要。

首批混凝土施工完成后换小料斗进行水下混凝土浇注的常规施工。

沉井施工注意事项取土施工前，应测量井内水位和地下水位，并控制好排水量对井内水位的影响。

在采用空气吸泥机吸泥施工时，要注意保证井内水头比井外地下水位高以上。

沉井取土下沉时，应对称分层均匀地取土，分层厚度控制在以内，使沉井保持均匀平稳缓慢地下沉，防止沉井倾斜和开裂。

严禁局部超挖过深刃脚下掏空过多，严格控制刃脚处吸泥机吸泥范围，在距刃脚处应停止吸泥施工吸泥深度不宜太大，以防刃脚处悬空而发生沉井突沉。

空气吸泥机吸泥管口距个的电路。

大规模集成电路，大规模集成电路通常指含逻辑门数为门门或含元件数个个的电路。

超大规模集成电路，超大规模集成电路通常指含逻辑门数大于门或含元件数大于个的电路。

数字的特点数字混合集成电路更是综合了半导体集成电路与薄膜集成电路的共同优点。

既可用半导体或晶体管做有源器件，又可用膜工艺制作无源器件。

电路集成度高，稳定性好，可靠性好。

但是所用工艺设备比较昂贵生产成本较高。

薄膜电路与厚膜电路的区别薄膜电路与厚膜电路的区别主要有以下几点是膜厚的区别薄膜的膜厚小于，大多处于小于，厚膜电路的膜厚般大于二是制造工艺的区别薄膜电路采用的是真空蒸发磁控溅射等工艺方法，厚膜电路般采用丝网印刷工艺三与厚膜集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽精度高温度频率特性好，可以工作到毫米波段。

并且集成度较高尺寸较小。

数字在微电子技术中的地位微电子技术是门使电子元器件和电子系统微小型化的技术。

具体说，微电子技术，除了设计，制造微型电子组件，集成电路和功能器件等技术外，还包括集成电路和由集成电路构成的微电子系统的应用技术。

集成电路则是微电子技术的个重要方面，它将组成电路的有源和无源元器件及其互连线起制作在半导体基片或绝缘基板上，直接构成个完整的具有定功能的微型电路。

按照制造工艺不同，集成电路可分为半导体，薄膜，厚膜和混合集成电路。

随着电子产品向功能复杂化体积小型化以及高性能高可靠性方面的发展，集成化和大规模集成化已成为迫切的要求和必然趋势。

在集成电路面临这种应用要求而迅速发展的过程中，数字集成电路又在数量品种和进展速度上比其它集成电路居领先地位。

因此，数字集成电路已被广泛地应用于计算机通讯自动控制仪器仪表等的数字系统中。

近几十年，薄膜技术与薄膜材料科学突飞猛进的发展对薄膜电子产品的巨大推动作用，尤其是数字混合集成电路具备了半导体集成电路与薄膜集成电路的共同有点，引起了广大生产厂家的极大兴趣和广大用户对这种电子产品的青睐。

自然而然，在未来微电子技术的进步发展中，推动数字混合集成电路的发展将成为必然趋势。

元器件的平面图形设计在既定技术规范的前提下，将电路原理图中的元器件转换成适合工艺的平面图形的过程称为电路元器件的平面图形设计。

薄厚膜集成方式的选择具有设计灵活性元器件参数范围广精度高性能好等特点，对于线路较复杂，品种较繁多的模拟集成电路最为适合。

其中，薄膜混合集成电路适用于要求低噪声高稳定，高频率的电路厚膜混合集成技术适用于要求高电压大功率低成本的电路。

膜电阻器的平面图形设计膜电阻率和方阻块状导体的电阻率只与物质种类有关，与物体的形状和大小无关。

对于膜电阻材料来说，由于膜厚度很小，厚度的精确测量有定的难度，而且这时膜的电阻率已不再是个常数。

导体的电阻率与厚度有密切关系。

膜电阻与电阻率之间的关系可表示为式中表示膜的厚度。

对与个宽度致的均匀电阻膜，其电阻值式中为膜的长度，单位为为膜的宽度，单位为为与膜有关的性能常数，称为膜所具有的电阻值或叫做方阻，单位为。

膜电阻的定义为长