，其中信越瓦克和四家销售额占世界硅片销售额以上，决定着国际硅材料价格和高端技术产品市场，其中以日本硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业半壁江山。在集成电路用硅片中，英寸硅片占主流，约，英寸硅片占。当硅片直径从英寸到英寸时，每片硅片芯片数增加倍，成本约降低，因此，国际大公司都在发展英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量左右。砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特优势。目前，世界砷化镓单晶总年产量已超过吨日本年砷化镓单晶生产量为吨。用于大量生产砷化镓晶体方法是传统法液封直拉法和法水平舟生产法。国外开发了兼具以上种方法优点法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法和法蒸气压控制直拉法，成功制备出英寸大直径单晶。其中以低位错密度方法生长英寸导电砷化镓衬底材料为主。移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长要求，使全球砷化镓晶片市场以年增长率迅速形成数十亿美元大市场，预计未来年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大生产国和输出国，占世界市场美国在年成功地建成了条英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先步。日本住友电工是世界最大砷化镓生产和销售商，年产单晶。美国公司是世界最大材料生产商。世界单晶主要生产商情况见表。国际上砷化镓市场需求以英寸单晶材料为主，而英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据以上市场份额。研制和小批量生产水平达到英寸。近年来，为满足高速移动通信迫切需求，大直径英寸发展很快，英寸厘米长及英寸厘米长和英寸半绝缘砷化镓也在日本研制成功。磷化铟具有比砷化镓更优越高频性能，发展速度更快，但研制直径英寸以上大直径磷化铟单晶关键技术尚未完全突破，价格居高不下。宽禁带氮化镓材料国外对研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发材料和器件合同，并促成了在年建立专门研究半导体公司。九十年代初，美国国防部和能源部都把集成电路列为重点项目，要求到年在武器系统中要广泛使用器件和集成电路，从此开始了有关材料和器件系统研究，并取得了令人鼓舞进展。即目前为止，直径具有良好性能半绝缘和掺杂材料已经商品化。美国政府与西屋西子公司合作，投资万美，中国化合物半导体产业迈上新台阶，走向更快发展道路。中科镓英公司成功拉制出中国第根公斤英寸法大直径砷化镓单晶信息产业部所生长出中国第根英寸砷化镓单晶，单晶重，并已连续生长出根英寸砷化镓单晶西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得了突破性进展。中国材料单晶以英寸为主，英寸处在产业化前期，研制水平达英寸。目前英寸以上晶片及集成电路晶片主要依赖进口。砷化镓生产主要原材料为砷和镓。虽然中国是砷和镓资源大国，但仅能生产品位较低砷镓材料以下纯度，主要用于生产光电子器件。集成电路用砷化镓材料砷和镓原料要求达，基本靠进口解决。中国国内开展材料和器件方面研究工作比较晚，和国外相比水平还比较低。国内已经有些单位在开展材料研究工作。到目前为止，英寸英寸碳化硅衬底及外延材料已经商品化。目前研究重点主要是英寸碳化硅衬底制备技术以及大面积低位错密度碳化硅外延技术。目前国内进行碳化硅单晶研制单位有中科院物理所中科院上海硅酸盐研究所山东大学信息产业部所等，进行碳化硅外延生长单位有中科院半导体所中国科技大学以及西安电子科大。西安电子科技大学微电子研究所已经外延生长了，目前正在进步测试证明材料晶格结构情况。另外，还对材料性质和载流子输运进行了理论和实验研究，器件研究工作也取得了可喜进展。二项目建设背景电子信息材料总体发展趋势是向着大尺寸高均匀性高完整性以及薄膜化多功能化和集成化方向发展。当前研究热点和技术前沿包括柔性晶体管光子晶体等宽禁带半导体材料为代表第三代半导体材料有机显示材料以及各种纳米电子材料等。随着电子学向光电子学光子学迈进，微电子材料在未来年仍是最基本信息材料。电子光电子功能单晶将向着大尺寸高均匀性晶格高完整性以及元器件向薄膜化多功能化片式化超高集成度和低能耗方向发展。半导体微电子材料由单片集成向系统集成发展。微电子技术发展主要途径是通过不断缩小器件特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。等半导体单晶材料向着大尺寸高均质晶格高完整性方向发展。椎英吋硅芯片是目前国际主流产品，椎英吋芯片已开始上市，芯片椎英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向椎英吋生产线过渡对单晶电阻率均匀性杂质含量微缺陷位错密度芯片平整度表面洁净度等都提出了更加苛刻要求。二在以为代表第代第二代半导体材料继续发展同时，加速发展第三代半导体材料宽禁带半导体材料金刚石材料和用等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路性能是未来半导体材料重要发展方向。三继经典半导体同质结异质结之后，基于量子阱量子线耗状况和能耗指标分析第三节节能措施和节能效果分析第九章项目实施进度第节项目实施进度第二节项目进度计划第十章项目招标方案第十章投资估算及资金筹措第十二章财务评价第节评价原则和方法第二节财务分析第十三章社会影响分析第十四章综合评价附表目录附表建设投资估算表附表流动资金估算表附表投资计划与资金筹措表附表总成本费用估算表附表固定资产折旧费估算表附表销售收入和税金估算表附表利润及利润分配表附表项目投资现金流量表附表资金来源与运用表附表资产负债表附表第章总论第节项目名称及承办单位项目名称半导体材料项目项目建设性质承办单位山东爱和科技有限公司法人联系电话项目拟建地点山东省禹城市高新技术开发区第二节可行性研究编制单位单位名称德州天洁环境影响评价有限公司工程咨询资格证书编号工咨丙资格等级丙级发证机关国家发展和改革委员会第三节研究工作依据与范围研究工作依据双方签订关于编制项目申请报告委托书合同书二国家发展和改革委员会年第号令发布实行产业结构调整指导目录年本三信息产业科技发展十五规划和年中长期规划纲要等文件四节能中长期专项规划五建设项目经济评价方法与参数第三版六投资项目可行性研究指南投资项目经济咨询评估指南七项目承担单位提供基础数据八国家有关法律法规及产业政策九现行有关技术规范规定及标准二研究工作范围本可行性研究主要包括对项目提出背景必要性市场前景建设规模建设条件与场地状况分析二对项目总图运输生产工艺土建公用设施等技术方案研究三对项目所采取消防环境保护劳动安全卫生及节能措施评价四对项目实施进度及劳动定员确定五对项目作出投资费用估算及财务综合评价。第四节简要结论半导体材料是指电导率介于金属和绝缘体之间固体材料。半导体于室温时电导率约在〄之间，纯净半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。在半导体产业发展中，般将硅锗称为第代半导体材料将砷化镓磷化锢磷化镓砷化锢砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料而将宽禁带氮化镓碳化硅硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。上述材料是目前主要应用半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅砷化镓和氮化镓。半导体材料是制作晶体管集成电路电力电子器件光电子器件重要基础材料，支撑着通信计算机信息家电与网络技术等电子信息产业发展。中国半导体材料市场自年以来已连续年维持增长，且年全球规模已达亿美元，较年增长约，其中晶圆制程材料增长，达到亿美元，封装材料则增长，达到亿美元。而年全球整个半导体市场子点器件设计制造和集成技术在未来年间，将在信息材料和元器件制造投资利税率平均利税总额项目总资金三投资利润率投资利润率平均利润总额项目总资金八盈亏平衡分析以生产能力利用率表示盈亏平衡点年固定总成本盈亏平衡点年销售收入年可变成本年税金及附加当生产能力或营业收入达到正常规模时，项目可保本。九敏感性分析当产品销售收入可变成本投资分别增减时，对项目财务内部收益率净现值投资回收期影响进行了敏感性分析，销售收入变化对项目效益影响最为敏感，本项目销售收入取决于产品销售价格，所以保持产品价格稳定，扩大销售量，控制生产成本是项目营运中要十分重视。十财务风险分析从资金来源与运用表和资产负债表来看，项目各项指标如盈余资金资产负债率流动比率速动比率均优于行业指标，具有较强抗风险能力。从财务计划现金流量表和资产负债表来看，项目各项指标如盈余资金资产负债率流动比率速动比率均优于行业指标，具有较强抗风险能力。详见附表财务计划现金流量表附表资产负债表十评价结论项目建成后，年实现销售收入万元，利润总额万元。财务分析表明，项目财务内部收益率，投资回收期年，投资利润率，财务评价指标较好，因此，该项目是可行。第十三章社会影响分析社会影响效果分析提升我国半导体材料制备水平在全球半导体公司和生产工厂结盟重组兼并加速，以及亚太地区影响日益增强背景下，全球半导体产业继续由西向东转移，路线为美国欧洲日本韩国台湾中国大陆。国内目前半导体产业集中在加工制造和封测部分，高端产品有待加强。成长空间决定高于世界平均水平发展，预计年间复合增长率约为。该项目建设必将推动我国半导体材料产业加速进步，大大提高半导体材料产业制造水平。二可增加就业机会，提高当地人民生活水平该项目在生产过程中需要大量工作人员，可为禹城市提供个工作岗位，为当地增加了就业机会。同时可为工作人员提供高额工薪，有利于提升当地人民生活水平。三有利于提升禹城市知名度该项目生产产品属于高新技术产品，处于领先水平，可大大提高项目承办单位在国内乃至国外知名度，进而提升禹城市知名度。四有利于节约能源，减少污染排放该高新技术产品，广泛用于计算机消费电子和通等行业，节约能源，减少大气污染，改善生态环境，具有较高