桂工艺的足够成熟，以桂材料为基础的半导体功率器件的性能在许多方面已经接近并达到其理论极限，通过器件结构的创新以及制造工艺的改善，己经没有太大的空间。并且由于桂材料的固有局限，如窄的禁带宽度低的热电导率和低的临界击穿电场，其在高压大电流和高温场合中的应用受到很大的限制。以碳化硅和氮化镓为代表的新型宽禁带半导体材料恰好具有硅材料不具备的优势。这些新型半导体材料具有宽带隙高热导率高电子饱和漂移速度以及耐高压高温和抗辐射等优点，非常适合大功率高频高温半导体器件。碳化硅等宽禁带半导体材料相对于硅，禁带宽度高倍临界击穿电场强度高倍电子饱和漂移速度高倍热导率高倍等，这些优势使得新型宽禁带半导体材料具有非常广阔的应用前景并被称为第三代半导体材料。近十年来，碳化硅衬底以及器件制造工艺外延生长技术欧姆接触技术以及反应离子刻烛技术等取得了重大的进展。年月，公司推出零微管缺陷的直径英寸型衬底。由于元件厂商的大部分生产线支持英寸以上的晶圆，因此英寸以上的高品质衬底备受欢迎。正因为如此，碳化硅在各类新材料中脱颖而出，碳化硅功率器件也受到越来越多的关注国际上许多公司和大学关于碳化硅功率器件的研究也越来越多，并取得了令人瞩目的进展。碳化硅器件也被誉为带动新能源革命的绿色能源器件。在各种碳化硅功率开关器件中，双极型晶体管是种非常具有前景的器件与硅双极型晶体管相比，碳化硅双极型晶体管不受到二次击穿等问题限制。和其他两种碳化硅在了左右下退火。根据不同的接触金属，退火通常导致内部反应，形成金属碳金属硅的化合物，导致接触的电导特性更好。在恶劣的环境中，器件需要欧姆接触能够抵挡以上的高温，甚至在的时候也不出现较大变化，这种工作能力能持续几百几千个小时以上。在些宇航应用中，需要器件能同时工作在高温大电流的情况下。图形刻蚀技术碳化硅是种难以刻蚀的材料，很多情况下碳化硅是当做耐火耐磨材料使用的，但刻蚀又是半导体材料的表面形成方法。反应离子刻蚀是碳化硅材料中形成沟槽的最简便的工艺步骤，研究人员尝试过很多种气体的组合来形成碳化硅的沟槽，功率设计原则第三章基于的功率器件仿真工艺流程欧姆接触工艺图形刻蚀技术离子注入和退火器件仿真流程结论致谢语参考文献附录引言引言电子技术有两大分支，即微电子技术和电力电子技术。微电子技术在朝着小型化高速低功耗的方向迅猛发展，而电力电子技术则在高压大功率方向阔步迈进。在上个世纪，硅基器件成为市场上的主要生力军，各类产品及分立器件都离不开硅材料。稍后，以为代表的第二代半导体材料依靠其高迁移率等优势，迅速发展起来。到本世纪初，随着低碳环保概念的提出，节能降耗提高能源利用率已成为大家日益关心的问题。在不久前的哥本哈根会议上，世界各国都对节能提出了各自的意见，电能的消耗占据人类总耗能的大部分，约的能量在电能传输与转换的过程中浪费。在这过程中，起主要作用的是电力电子器件，也称功率器件。在这种情况下，性能远远好于传统的第代硅基器件的碳化硅电力电子器件受到人们青睐，以和为代表的第三代半导体材料掀起新的轮热潮。碳化硅依靠其特有的材料特性，基于它制造的各类功率半导体器件，广泛应用于事关国计民生的诸多领域。其研发和生产，得到了世界各强国的重视支持和推动。在高压大电流高频高温宇宙射线的环境下，器件的表现完全令人振奋，被称作理想的功率半导体材料。目前，研究的热点主要是其在电力电子开关器件领域的应用，这样可以发挥其自身材料的独特优势。由于是之外唯能够通过热氧化生长绝缘氧化层的化合物半导体材料，这意味着它能够与己经成型的器件工艺相兼容，这样可以发挥现有工艺优势，方便地制作结构器件，易于集成。外延生长技术器件工艺制造技术光电器件开发集成电路制造等方面如能取得突破，定将会为军用系统的完善和武器装备性能的提高提供巨大帮助。是世纪极端电子学半导体首选材料，美国制定了国防与科技计划，日本制定了国家硬电子学计划。第章绪论第章绪论课题研究背景及意义功及关键制造技术。由于受时间和个人能力所限，