1、容 开始研究低温工艺 外延成功 第个制作成功采用方法外延 第代产品问世低噪声放大器 由于的工艺同工艺具有兼容性，因此在材料研究取 得突破以后，其器件及电路的水平迅速提高，表列出了截止 年的器件研究水平。 表的研究水平 器件结构生长方法增益发射极面积实验室 双台面 双多晶自对准 双多晶自对准 双多晶自对准 近年来器件水平又有很大提高，最近报导的达 ，器件商业生产水平的和分别在和 左右，采用的工艺水平为工艺。商业上主要用技术 生产低噪声放大器，压控振荡器等电路，除此以外， 利用同工艺兼容集成的水平在不断提高，利用 工艺已试制出集成万晶体管道芯片。 作为例子表列出无线通信用的水平，表列出 些具有代表性。

2、中有超过在深圳及其附 近地区，包括华为中兴康佳德塞长城等，这些大公司使用大 量集成电路，使得广东的电路进口数量占全国的。项目具有良 好的投资环境和市场环境。 此外，深圳作为中国最年轻和最具活力的国际化大都市，毗邻香 港，利用靠近香港交通便利的地理优势，容易吸引优秀的国际人才， 产品可方便地面向海外市场。 本项目合作方公司充分提供工艺技术人员培训 工艺设备维护以及具有丰富经验的集成电路生产管理技术团队支持。 目前公司董事长吴之植先生是韩国电子部品研究院 研究员，担任深港韩国电子商会会长该会成员多达多家。本项 目韩国方面组织了具有国际大公司背景和生产线建设与运营 经验的技术团队，团队成员分别具有公司公司三星电子 现代半导体公司韩国。

3、它是的基础产品同时又是有广阔市场的产品，它将为今后扩展 其它集成电路的生产铺平道路。 本项目加工的功率器件是硅器件中广泛应用的产品，国际 上由于产业调整加工有逐渐移向我国的趋势，例如日本 公司在我国曾同些生产线合作过该器件生产。但由于生 产效率偏低未能成功，这次该公司作为本项目韩方股东，在项目投产 的前两年将安排约片月的生产量生产功率器件，这对项 目建立的生产线迅速达产及提高经济效益起到保证作用，同时作为补 充我国及深圳地区微电子产业也将作出贡献。 国际国内技术水平发展情况 从材料外延开始到商业生产经历了近年左右发展的 道路。表列出了年开始研究低温外延材料工 艺，到年第代产品问世的主要发展历程。 表的主要发展历程 时间发展内。

4、购置以翻新 设备为主的英寸设备，建立条相对水平较高的集成电 路生产线，不仅具有很好的经济意义，而且能缓解上述矛盾，并推动 深圳市电子信息产业的发展。 项目建设的有利条件 深圳具有建设高技术集成电路芯片项目的良好环境 深圳与上海北京样，是国内最有条件发展集成电路芯片制造 业的城市之。深圳市为加速和鼓励发展集成电路芯片制造业，配合 国务院号文精神，对该项目提出了包括地租贴息贷款和水电价格 等多项优惠政策，为本项目的实施创造了有利条件。 深圳及周边珠江三角洲地区是国内集成电路主要的集散地之， 华南地区集成电路消耗量占国内的半以上，同时也是中国最大的光 通讯无线通讯网络设备生产开发中心，占据中国该类产品生产的 以上。年中国电子信息百强前名。

5、的技术见表正在扫除上述障碍，并有 可能开发出种集成的高频无线电路，例如可以将压控振荡器功率 放大器及低频噪声放大器集成在起，构成完整的无线前端产品。 除此以外，技术可以将电路集成在起，形成速 度功耗性能集成度和成本最佳组合的系统集成芯片，从而完成 更加复杂的功能，这样的芯片可直接用于先进的无线通信产品中，例 如用于第二代第三代手机及宽带局域网中。毫不夸张， 器件的应用及开发，将使微电子学在通信领域中参数次新的飞 跃，具有十分重要的意义。 表器件和特性的比较 器件室温增益低温增益同工艺兼容性规模生产性芯片成本目前工艺水平 中下降易低 高上升好易中 低上升劣般高 注的据报道已达 本项目投产的初期以生产及压控振荡器为主， 。

6、的集成电路。 表无线通信用的水平 性能 工作频率 工作电压 电流 噪声系数 增益 表有代表性的集成电路 电路性能时间公司 位 分频器分频， 单片， 增益 噪声系数 调谐范围，在 偏移时噪声比 多路复用器， 多路分解器， 前置放大器带宽，输出阻抗，功耗 器件的技术虽然发展迅速，但主要掌握在国际上少数公司 手中，特别是生产技术掌握在少数像等这样的大公司手中，近 几年韩国等公司加强了技术研究，发展了较为成熟的 及其电路的生产技术。 国内近几年对技术的研究也较为重视，但研究主要集中在 少数高校及研究所，主要研究内容为外延材料及的制作， 研究项目主要来自于市级和国家自。

7、电子部品研究院和韩国电子通讯研 究院等国际大公司或知名院所的工作背景和经历，这为本 项目实施提供了强有力的保障。 本项目生产线建设的大特点是采用与技术引进相结合的整 条线成套设备引进的方式，这使得相应的服务维修及备件供应有保 障，这对本项目生产线能够长期稳定可靠的运行极为重要，对本项 目实施极为有利。 可行性研究报告编制依据 国务院年鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策 国发号文以及年国务院办公厅关于进 步完善软件产业和集成电路产业发展政策有关问题的复函。政 策规定鼓励发展集成电路产业，并提出多项优惠政策。 国家发展计划委员会和科学技术部年月颁发的当前优 先发展的高驱动芯片等。目前，于年月日在 与韩国风险企业,和韩国电子部品。

8、系统集成芯片。技术正好满足这 些要求，因而建立英寸集成电路生产线，能扭转我 国目前高频电路主要依赖器件及大部分靠进口的状态，从而促 进我国相关应用领域的发展。 拓宽我国微电子产品的领域，形成我国集成电路生产 及研发基地。 多年来我国微电子工业的发展缓慢，尽管截止年我国已共 有条微电子生产线，但除了上海华虹的英寸产品 刚进入当代国际硅主流技术水平以外，其它生产线以生产低中档产品 为主。近年来我国微电子工业发展速度有所加快，特别上海中心国 际及宏力英寸生产线的建立，扩充了我国集成电路的生 产能力，提高了我国集成电路的产品水平。但是上述所有微电子生产 线均未考虑器件的生产。因此本项目集成电路生产线的建 立，可以拓宽我国微电子产品的领域，。

9、研究院 数据采集，直接基带无线接收器和信号合成专用高速模数转 换和数模转换器 廉价高可靠的全球定位接收器 互动式电视 早期高频无线应用的电路例如混频器调制解调器和压控振荡器 等都是用硅双极技术设计的，同时功率放大器和低噪声放大器等前端 电路主要用技术设计。随着应用要求的频率提高，硅双极器件 已力不从心，因而便逐渐成为高频应用的主流。这主要是因为 材料具有高的电子迁移率及快的漂移速度，因而适用于制作高 频器件，但是存在诸多缺点，例如单晶材料制备工艺复 杂因而价格昂贵材料的机械强度低，晶片易碎尺寸做不大 的热导率低因而散热不良器件工艺同硅器件工艺不具有 兼容性等。这些缺点限制了器件的发展，特别限制了器件的大 规模生产。 具有优良特性。

10、 推动我国集成 电路生产赶上国际先进水平。 高频器件是种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极 器件，由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成电 路兼容集成的优点，因而深受各国重视。尽管年第只 诞生，并经历了十几年的研究及发展，但直到年真正的 产品才问世。 本项目利用韩国合资方公司掌握的先进器件及 电路工艺技术生产的器件及集成电路，使我国能在最短的时间 内填补这种器件及电路的空白，推动我国集成电路生产赶上国 际先进水平。 满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展 随着我国光纤通信航天科技及军事科技的迅速发展，对高频电 路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本小体积及 能同硅电路兼容集成，从而构成。

11、本项目第二期工程拟升级成 英寸加工线，并将建立集成电路研究及发展中心，最终形成我 国集成电路生产及研发基地。 带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展 多年来我国从事高频电路设计的科技人员均以器件为主要 对象，原因是缺乏新的高频器件，本项目器件生产线的建立， 为建立高频电路及系统集成芯片设计平台提供了个验证及保 证的条件，从而带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展。 推动深圳市电子信息产业的进步发展 电子及通信设备制造业是深圳工业的主导行业，但是深圳市的微 电子工业由于起步较晚相对落后。据统计年深圳直接使用的集成 电路亿美元中，依靠进口。在高频应用的电路中，由于采购困 难更限制了相关电子产品的发展。本项目利用少量投资，。

12、然基金以及像这样的攻关 项目，般研究经费不多，制约了其技术的发展。国内材料的 研究尚未达到规模生产水平。器件则达到了定的研究水平，有 代表性的器件是清华大学的，其主要器件参数如下 ，结漏电电流， ， 用的制作的类放大器，其 时达到最大为，其 压缩点输出功率约为，。 可以看出国内器件虽然达到了定的水平，相对来讲仍比 较落后，特别尚未掌握规模生产技术，有待进步研究及发展。 关于功率器件，从工艺上来说已相对成熟，作为分立器件 的加工水平已能满足，采用英寸片加工功率器件 也是适当的选择，另方面功率器件的个发展方向是将控制 电路集成在起的功率智能集成芯片，有了功率技术基础， 生产线可以根据市场需要进行考虑。 产品国际国内市场发展情况 。

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