太阳能光伏产业成为世界上发展最快 的高新技术产业之，过去年的年均增长速度达到，并呈现加速 增长的态势。 太阳能光伏产业链的上游主要包括生产太阳能电池所需要的核心原 料多晶硅材料的生产但目前高纯度多晶硅原料的供应短缺，成为制 约太阳能光伏产业发展的瓶颈。年全世界高纯度多晶硅材料的消费 量增长到了吨，而供应量仅吨，近的供需缺口要通过企 业库存的减少来弥补。在吨的消费量中，电子行业消费了 吨，太阳能光伏发电行业消费了吨。随着太阳能光伏发电行业的 高速发展，其对高纯度多晶硅材料的需求量将大大超过电子行业的需求 量。 由于多晶硅材料严重供不应求，高纯多晶硅国际市场供货价格 年上涨到了美元公斤，目前国际市场长期供货价格超过了 美元公斤，今年价格还将进步上涨到美元公斤。目前多晶硅材 料年全年的期货已经售完，这些材料的现货价格近期超过了美 元公斤。部分太阳能电池生产企业抢购电路级多晶硅用于太阳能电池的 生产，导致全世界电路级多晶硅材料也供应紧张，并且拉动了电路级多 晶硅材料的价格上扬。 世界太阳能光伏发电市场的高速发展也带动了我国太阳能光伏发电 行业的巨大发展，尤其是产业链中劳动密集型的太阳能电池加工，正大 量向我国转移，据不完全统计，年我国太阳能电池的生产能力已经 超过了，包括无锡尚德和保定英利等企业的在建生产规模超过了 ，而规划中的产能合计超过。预计年我国太阳能电池 的生产能力将达到，对多晶硅材料的需求将达吨， 加上电子行业的需求，我国对多晶硅材料的需求量将超过吨。而 年我国的多晶硅生产能力仅为吨，迫使我国企业不得不从国外 大量进口多晶硅原料。但是，国外生产企业却对我国采取高价限量的措 施，大大制约了我国电子信息产业和太阳能光伏发电产业的发展。 因此，中国急需建设个或多个大型的多晶硅生产厂，以缓解国内 多晶硅原料需求供给严重不足的问题，并为我国太阳能光伏产业和电子 产业的健康蓬勃发展提供必要的基础保证。 根据目前的市场格局和发展趋势，本项目采用立足电路级，主要面 向太阳能市场，暂不参与高端市场的建设方案。既避免了高品质多晶硅 生产技术门槛高的难点，又能利用现有成熟技术在较短时间完成工厂建 设，抓住市场时机，也能部分参与电路级市场竞争，具有风险小，见效 快，适应性强的特点。 因此，从工艺和规模经济以及市场容量而言，总体规划吨 年多晶硅，期设计吨年多晶硅生产线建设是比较切合实际的规 模，这也得到了美国日本中国的多晶硅厂的实践证明。 项目建设的有利条件 概况 地处县城城区西部，地处内蒙辽宁河北三省区交汇处， 园区紧靠国道，距天义火车站公里，距赤峰机场公里，距北 京公里，距锦州港公里，距秦皇岛港口公里。这里交通十 分方便，自然环境良好，四季分明，气候温和，具有良好的投资发展环 境。 项目周边地区硅石资源丰富，矿石品位高，目前在开发区已建成东 北第家三氯氢硅生产企业，期生产规模为年产三氯氢硅吨， 二期工程计划在年开始建设，预计年投产，达到年产三氯氢 硅万吨的生产规模，为建设多晶硅项目提供了原料保障，同时， 经济开发区是自治区级开发区，经内蒙古自治区建设厅批复的总体规划 面积为平方公里，由国土资源部核准的近期建设面积为平方公 里，规划符合县城市总体规划和土地利用总体规划的要求，多晶 硅项目具备在开发区选址的条件。 经济开发区中京工业园区自年建设以来，目前基础 设施功能比较完备，三横纵道路格局已经形成，园区变电站项目目前 已经开工建设，预计在年投入使用。 项目占地应按照投资规模或产值来考虑，根据内蒙古自治区工业 项目用地控制指标的要求，非金属矿物制造业用地投资强度至少为 万元公顷，参照近期由自治区编制的用地报告其园区现状投资强度为 万元公顷工业用地产出强度万元公顷确定的园区理想值 投资强度为万元公顷工业用地产出强度万元公顷。所用地 位置应尽量靠近三氯氢硅项目。 园区目前土地费用主要是土地出让金最低标准为万元亩建设 用地批转约为万元亩征地费约为万元亩。其它如勘界土地 评估报件图纸编制等由中介结构收取。 项目区水资源概况 县污水处理厂设计处理能力，实际处理能力 。据年水利区划资料，全县地表水资源量为，其 中境外客水地下水资源量为，其中地下水可开 采量为。全县人均水资源占有量不足。目前全县地表水 用量为，占全市地表水资源量的，地下水现状耕水量 。除少部分地区出现超采现象外，其它地区地下水仍有开发 潜力。老哈河属辽河二级支流水系，发源于河北省七老图山脉的光头山， 自甸子乡七家入境与黑里河汇流后，由西南向东北穿越全县。主河道流 经甸子双庙必斯营子榆树林子大明铁匠营子城关二龙 汐子等九个乡镇，至汐子与坤兑汇流后出境，境内主河道长公 里。取水处老哈河以上流域面积平方公里，多年平均径流量 万立方米。万立方米，万立方米。 供电情况 县电厂数量为个打虎石发电站大城子钓鱼台发电站 大城子白塔子发电站西泉发电站。发电厂装机容量打虎石发 电站为大城子钓鱼台发电站为大化器，循环用于四氯化硅的氢化氯化氢送去三氯氢硅合成 工序。 向反应炉夹套通循环热水，移走辐射至炉壁的热量，以维持适宜的 炉壁温度。进夹套的热水温度为。出夹套热水经冷却器用循环水冷 却至，进入热水槽，然后用泵又循环至反应炉夹套。 高纯多晶硅后处理工序 高纯多晶硅后处理工序工艺说明 在还原炉中的多晶硅棒由平衡吊取出，直接装入加热箱内，用车将 加热箱运输到加热工序。同时在此过程中按照国际标准和用户要求对每 炉产品进行取样，分析多晶硅的电阻率施主受主杂质含量碳含量 寿命及体内金属含量等指标。用升降装置把装有三对多晶硅棒的安装好 的容器置入电加热炉内加热，加热到设定温度后，从炉中取出加热的容 器，将其放入冷却槽，以便于在硅棒中产生裂纹，然后将容器移至个 洁净的空间取出硅棒，通过敲击将多晶硅棒破碎。破碎了的硅块需要进 行分选，将石墨头部分人工选出。石墨头进入头尾料处理程序，产品进 行表面金属杂质含量分析，如达到国际标准，直接进入装袋称重封 装工序如达不到要求，进入清洗工序。清洗分为混合酸腐蚀纯水冲 洗浸泡超声清洗和烘干几个步骤。其中混合酸是硝酸和氢氟酸按 定比例配制的。烘干后的多晶硅块采用人工装袋称重。包装袋采用双 层塑料，内包装袋采用进口塑料袋，外包装袋采用国产塑料袋。产品包 装好后，经热合机封口，并由手推车人工推至后处理工序内的产品仓库 堆存。每袋公斤或公斤。然后按箱或箱规格，用电瓶叉 车送入仓库堆放 主要设备说明 平衡吊移载系统 该机包括气动平衡吊主机，其额定负载能力为 供气压力下。形夹持式专用夹具，其可进行角度翻转，并可集 成控制手柄。 加热破碎装置 加热破碎装置采用由俄罗斯设计的加热破碎装置，本装置主要有以 下特点 可同时加工原料多晶硅棒的尺寸为最大直径为毫米最大 长度为毫米 可同时加工根原料多晶硅棒 加热的最高温度为 ④温度调节的准确性为 电炉的功率约为 冷却水采用蒸馏水 容器材质为钛材 为循环工作状态。 清洗设备 清洗设备由四大部分组成清洗机系统，隧道式干燥装置，自动供 液配液及自动补酸系统，电气控制系统。 清洗机系统由本体上料装置工艺槽阶梯式溢流水洗 槽传动系统排风系统机械手运动装置组成。 隧道式干燥装置由干燥烘箱传送带及下料工位组成。 自动供液配液及自动补酸系统该系统用于将原液按照工艺要求 的比例配制好，提供给清洗机并能按照工艺要求进行自动补酸。 电气控制系统由和模块控制设备对待处理工件按所设定工 艺进行自动清洗，并通过控制传送带的速度以及干燥烘箱的温度，使工 件烘干。由清洗机本体发出配液补液信号，通过控制实现自动配 液和自动补酸。 硅芯制备工序 硅芯制备采用德国进口先进的硅芯炉拉制。拉制成的细 圆条，然后用氢氧焰将细方条焊接为生产要求的形，经清洗处理后待 用。 本工序配备的主要设备为硅芯焊接的专用氢氧焰焊接机专切丫 口的小型金刚石砂轮切磨机硅芯炉高频电源发生器高压变压 器，高频振荡器专用塑料风橱配有塑料排风机不锈 钢专用真空干燥箱和不锈钢红外干燥箱。 氢气制备及净化车间 在电解槽内电解水，分别制得氢气和氧气。 出电解槽的氢气和氧气分别用氢气碱液冷却器和氧气碱液冷却器冷 却后，气体分别通入到各自的气体分离器，分离出夹带的电解液。用碱 液泵从两种气体分离器抽出分离下来的液体，送回电解槽使用。 出氢分离器的氢气，送入除氧器。在催化剂的作用下，杂质氧气与 氢气反应生成水，从而被除去。 氢气氧气分别输往氢冷却器和氧冷却器进步冷却，再经气水分 离器分离水后，分别输往氢气氧气干燥单元，用吸附法进行干燥。 燥后的氢气，进入氢气贮罐，然后被分别送往多晶硅装置的氯化氢 合成多晶硅制取四氯化硅氢化等工序。 干燥后的氧气，进入氧气贮罐，然后送去装瓶外售。 在碱液配制槽内，用蒸汽冷凝水和高浓度的或配制电解液， 然后用泵送入电解槽。电解槽中的废电解液每两年抽出来中和次。 工艺废料处理车间 废料来源 本车间主要处理从多晶硅制取车间三氯氢硅合成车间三氯氢硅 提纯车间以及质量控制化验室出来的污水和固体废硅渣。 本车间有三个工序Ⅰ类废水处理工序Ⅱ类废水处理工序废硅 渣处理工序 污水和晶硅废物量及成分 污水根据其化学成分可分为两类 类