1、“.....造成变压器铁芯直流磁化。为使变压器铁心不饱和，需增大铁心截面积，增大了设备输入端接正向单次脉冲，清零端接负向单次脉冲，输出端。表三逻辑符号逻辑框图十六选数据选择其内部原理图逻辑功能表逻辑框图逻辑符号十六选数据选择器并行输入十六个数据，当选择输入二进制数码依次由递增至，即其最小项由逐次变到时，个通道数据便依次传送到输出端，转换成串行数据。非门仔细观察下图中给出三极管开关电路即可在做设计之前我们主要考虑了以下几种方案方案单相桥式半控整流电路电路简图如下图对每个导电回路进行控制，相对于全控桥而言少了个控制器件，用二极管代替，有利于降低损耗,如果不加续流二极管，当突然与是不同。门极加负脉冲即从门极抽出电流即抽出饱和导通时储存大量载流子，强烈正反馈使器件退出饱和而关断。晶闸管派生器件在晶闸管家族中，除了最常用普通型晶闸管之外，根据不同实际需要，珩生出了系列派生器件......”。

2、“.....整流电路我们知道，单相整流器电路形式是各种各样，整流结构也是比较多。因此在象，负载形式多样，整流效果好，波形平稳，应用广泛。变压器二次绕组中，正负两个半周电流方向相反且波形对存器端端和端。当计数器输出信号为时，端和端输入为高电平，端输入为低电平，彩灯从左向右依次点亮，时间间隔为秒。当计数器输出信号为时，端和端输入为高电平，端输入为低电平，彩灯从右向左依次熄灭，时间间隔为秒。当计数器输出信号为时，端和端输入为高电平，端输入为高低电平交替，四盏彩灯同时点亮火熄灭，时间间隔为秒。五总体设计电路图总电路说明图中由脉保持稳定，相当于单相半波不可控整流电路时波形，即为失控。所以必须加续流二极管，以免发生失控现象。方案二单相桥式全控整流电路电路简图如下图此电路对每个导电回路进行控制，无须用续流二极管，也不会失控现给出三极管开关电路即可发现......”。

3、“.....而输入为低电平时输出等于高电平。因此输出与输入电平之间是反向关系，它实际上就是个非门。亦称反向器。当输入信号为高电平时，应保证三极管工作在深度饱和状态，以使输出电平接近于零。为此，电路参数配合必须合适，保证提供给三极基极电流大于深度饱和基极电流。设计电路所用芯片是，如下图所示图内部结构图图三极管非门逻辑框图功能，门极驱动电路也少个，但是晶闸管承受最大电压是单相全控桥倍。不存在直流磁化问题，适用于输出低压场合作电流脉冲大电阻性负载时且整流变压器二次绕组中存在直流分量，使铁心磁化，变压器不能充分利用。而增大至或出发脉冲丢失时，由于电感储能不经变压器二次绕组释放，只是消耗在负载电阻上，会发生个晶闸管导减小半且功率因数提高了半。根据以上比较分析因此选择方案为单相全控桥式整流电路负载为阻感性负载。综上所述，针对他们优缺点，我们采用方案二，即单相桥式全控整流电路......”。

4、“.....它是种只有结和两个电阻接触电极半导体器件，它基片为条状高阻型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极和。在硅单相全控式整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高优点。相同负载下流过晶闸管平单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路倍，在均电流减小半且功率因数提高了半。根据以上比较分析因此选择方案为单相全控桥式整流电路负载为阻感性负载。综上所述，针对他们优缺点，我们采用方案二，即单相桥式全控整流电路。驱动电路设计驱动电路设计触发电路论证与选择单结晶体管工作原理单结晶体管原理单结晶体管简称又称基极二极管，它是种只有结和两个电阻接触电极半导体器件，它基片为条状高阻型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极和。在硅片中间略偏侧用合金法制作个区作为发射极。其结构......”。

5、“.....图单结晶体管特性从图可以看出，两基极和之间电阻称为基极电阻。式中第基极与发射结之间输出信号为，经过非门变为低电平。当输入信号为时，第二片和第三片输出信号为，经过非门变为高电平，第片输出信号为不断交换。彩灯控制三片输出端分别接四位双向移位寄存器端端和端。当计数器输出信号为时，端和端输入为高电平，端输入为低电平，彩灯从左向右依次点亮，时间间隔为秒。当计数器输出信号为时，端和端输入为高电平，端输入为低电平，彩灯从右向左依次熄灭，时间间隔为秒。当计数器输出信号为时，端和端输入为高电平，端输入为高低电平交替，四盏彩灯同时点亮火熄灭，时间间隔为秒。五总体设计电路图总电路说明图中由脉冲发生器输出脉冲，输出端接到计数器端，通过计数功能，发出信号，计数器四个输出端分别加在十六选数据选择器端，第片输出端加非门后接在端，第二片输出端加非门后接在端，第三片数据选择择器并行输入十六个数据......”。

6、“.....即其最小项由逐次变到时，个通道数据便依次传送到输出端，转换成串行数据。非门仔细观察下图中给出三极管开关电路即可发现，当输入为高电平时输出等于低电平，而输入为低电平时输出等于高电平。因此输出与输入电平之间是反向关系，它实际上就是个非门。亦称反向器。当输入信号为高电平时，应保证三极管工作在深度饱和状态，以使输出电平接近于零。为此，电路参数配合必须合适，保证提供给三极基极电流大于深度饱和基极电流。设计电路所用芯片是，如下图所示图内部结构图图三极管非门逻辑框图功能表如下图表六非门功能表图逻辑符号逻辑函数式四功能模块在设计单元电路和选择元器件时，尽量选用同类型元器件，如所有功能部件都采用集成电路，整个系统所用元器件种类尽可能少。下面介绍各单元电路设计。脉冲发生由脉冲发位移位寄存器符号......”。

7、“.....置或置，时钟输入端接正向单次脉冲，清零端接负向单次脉冲，输出端。表三逻辑符号逻辑框图十六选数据选择其内部原理图逻辑功能表逻辑框图逻辑符号十六选数据选择器并行输入十六个数据，当选择输入二进制数码依次由递增至，即其最小项由逐次变到时，个通道数据便依次传送到输出端，转换成串行数据。非门仔细观察下图中给出三极管开关电路即可发现，当输入为高电平时输出等于低电平，而输入为低电平时输出等于高电平。因此输出与输入电平之间是反向关系，它实际电子技术课程设计彩灯控制器学院机电工程学院班级电气本班姓名章华生学号指导教师彩灯控制器设计任务与电路论证与选择单结晶体管工作原理单结晶体管原理单结晶体管简称又称基极二极管，它是种只有节内容，在此表示感谢。晶闸管可关断晶闸管简称。它具有普通晶闸管全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断......”。

8、“.....都是四层结构，外部引出阳极阴极和门极如图。和普通晶闸管不同，是种多元胞功率集成器件，内部包含十个甚至数百个共阳极小元胞，这些元胞阴极和门极在器小发射极电压，如果，管子重新截止。单结晶体管主要参数基极间电阻发射极开路时，基极，之间电阻，般为千欧，其数值随温度上升而增大。分压比η由管子内部结构决定参数，般为。间反向电压开路，在额定反向电压下，基极与发射极之间反向耐压。反向电流开路，在额定反向电压下，晶闸管可关断晶闸管简称。它具有普通晶闸管全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断。可关断晶闸管结构内部结构与普通晶闸管相同，都是四层结构，外部引出阳极阴极和门极如图。和普通晶闸管不同，是种多元胞功率集成器件，内部包含十个甚至数百个共阳极小元胞，这些元胞阴极和门极在器件内部并联在起，使器件功率可以到达相当大数值......”。

9、“.....主要有快速晶闸管双向晶闸管可关断晶闸管逆导晶闸用崭新时代世纪年代以来，开始被性能更好全控型器件取代。能承受电压和电流容量最高，工作可靠，以被广泛应用于相控整流逆变交流调压直流变换等领域，成为功率低频以下装置中主要器件。晶闸管往往专指晶闸管种基本类型普通晶闸管。广义上讲，晶闸管还包括其许多类型派生器件晶闸管结构晶闸管是大功率器件，工作时产生大量热，因此必须安装散热器。外行螺栓型和平板型两种封装引出阳极阴极和门极或电路电路简图如下图此电路只需要个可控器件，电路比较简单，移相范围为。但输出脉动大，变压器二次侧电流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化。为使变压器铁心不饱和，需增大铁心截面积，增大了设备驱动电路设计保护电路设计过压保护电流上升率电压上升率抑制保护主体电路设计主要电路原理及说明感性负载可控整流电路主电路设计集成器件......”。