1、“.....主要用于包括红外和高亮度等光电器件衬底，本项目单位国瑞公司生产这两种单晶各项技术指标与国际同类产品致，完全达到了国际同类产品先进水平，本产品与日本住友电工公司各项指标对比如下北京有研总院国瑞公司日本住友电工产品类型技术指标型掺晶片直径，产品类型技术指标型掺晶片直径，项目承担单位在实施本项目中优势研发能力强是本单位固有优动速度最低时小时爬行不大于。采用优质管支撑石英反应管使石英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径扩大不超过。石英舟预处理技术单晶生长是在密封于石英反应管中石英舟中进行，因此首先要解决是石英舟与熔体粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长晶体完整性好符合产品技术指标。这个问题曾是困扰单晶生长个较严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题......”。

2、“.....从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题良好方法，成为本公司项独特专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当溶剂中进行热处理，它可保证在长达天单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，有利于提高成品率。本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺产业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中污染......”。

3、“.....对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度是另个重要技术参数因为熔体结晶快慢与结晶潜热产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺杂剂分凝是以固液界面为界线......”。

4、“.....所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定，无法变动概述项目提出背景砷化镓单晶是种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。工艺是研究开发最早的单晶生长工艺，也是目前生产量最大的工艺，单晶年产量占全世界单晶年产量的年全球的单晶产量约。单晶生长设备及生长过程涉及到物理化学冶金学自动控单晶生长系统生产线......”。

5、“.....使我国单晶年产量首次突破，我国单晶材料研究由长期实验室阶段向产业化迈出了第大步。国瑞电子材料有限责任公司年月注册成立，由北京有色金属研究总院和有研半导体材料股份有限公司共同出资组建。注册资金万元，有研总院占股份，对该公司有绝对控股权，原有研总院该项目研发人员全部转入国瑞公司继续水平砷化镓项目研究与开发工作。目前企业拥有单晶生产系统台及相应晶片加工切片机磨片机划园机倒角机抛光机等性能检测设备......”。

6、“.....主要用于设备购置原辅材料费购置研发费用工资福利费市场调研培训和其他费用，资金来源为企业自筹。管理商，公司制定了以人为本，科学管理，追求卓越，顾客至上，持续发展质量方针，尊重人才，通过培训不断提高员工素质，重视人力资源开发，倡导全员参与采用现代管理方法，使工作规范化合法化，持续提高工作效率和质量重视质量，通过推行科学质量管理，持续改进产品质量服务和管理水平提供符合顾客要求产品，达到并超过顾客满意，争取更多顾客，拓展市场持续改进质量管理体系，使公司保持同行业前列。公司年通过质量管理体系认证，并且在生产管理等每个环节都严格按要求去做，从而保证产品质量，降低生产成本。企业从事该产品生产条件产业基础本项目产品技术成熟，年通过了中科镓英半导体有限公司质量管理部所做测试报告，并于同年通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定......”。

7、“.....具备进步扩大生产规模技术条件。本项目产品近年来大量用于红外和高亮度，目前本产品成功进入世界上最大水平砷化镓单晶应用厂商日本住友电工公司。国外另重要用户韩国认为该项目产品质量等同于日本住友电工公司产品。国内中科镓英公司大量购买本项目产品经加工后亦成功进入国际市场，产品市场销售网络已经形成。企业现有生产场地面积约平方米，建有生产车间生产车间加工车间，拥有砷化镓单晶炉纯英即材料易于使并入熔体和单晶中。抑制污染机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中与石英反应分别表示液固气相。反应使进入，反应使部分与反应生成气相逸出，二者差值，造成中并入。高温区气相扩散到中温区发生如下反应反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。我们对多段炉设计......”。

8、“.....对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度是另个重要技术参数因为熔体结晶快慢与结晶潜热产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度......”。

9、“.....如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品。产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和型掺单晶两种......”。