1、晶体完整性好符合产品技术指标。这个问题曾是困扰单晶生长个较严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题良好方法，成为本公司项独特专有技术石英舟预处理技术,该项技术主要是在适当溶剂中进行热处理，它可保证在长达天单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。纵向温度分布技术通过中高温热场合理配置，提高晶片纵向均匀性，有利于提高成品率。本项目所设计水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺产业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次。
2、液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺杂剂分凝是以固液界面为界线，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加。
3、长系统在国际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺技术积累，选用精密温控仪表欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组合，可保证在长达天单晶生长过程中温控精度，炉体移动速度英即材料易于使并入熔体和单晶中。抑制污染机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中与石英反应分别表示液固气相。反应使进入，反应使部分与反应生成气相逸出，二者差值，造成中并入。高温区气相扩散到中温区发生如下反应反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。我们对多段炉设计，各段炉温单独控制及其协调配合控制也进行了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对。
4、司研发基地在北京有研总院。公司在水平生产技术方面处于国际先进水平，公司是国内唯批量生产水平晶片晶片企业。公司成立了由具有多年水平研究开发经验专业人员组成销售队伍，这支队伍熟悉本项目产品各项性能指标，了解客户需求，比较利于开展工作。同时，由于本项目产品性价比高于国外同类产品，因此在国际上具有强竞争力。目前产品已经进入国际市场，被日本住友电工集团韩国公司等世界知名企业应用。日本住友电工集团向对外来产品要求极为严格，本公司产品能够大量进入该集团，说明本产品极具竞争力。管理优势我公司拥有支素质高业务精专业搭配合理管理队伍，公司员工具有大专以上学历。管理团队知识层次高，具有高度凝聚力勇于开拓创新性和丰富管理经验。高素质员工群体现代科学管理方式可靠质量保证体系完美结合，使产品质量得到充分保证。公司在日常生产和管理中，注重提升员工质量意识，在员工头。
5、会组织科技成果鉴定，鉴定结果为该项目技术产品质量均达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。随着在各个应用领域用量大幅度增长，本项目产品市场越来越广阔。为进步满足不断增长国内外市场对该产品需求，本企业计划投资扩大生产规模，增加产量，提高市场占有率，实现产品产业化。预期经济效益本项目年达产，达产期年销售收入万元，年净利润万元，上缴利税万元，利税率达到。本企业实施该项目优势技术优势项目承担单位国瑞公司前身是北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室，从年就开始水平单晶研究，已有多年研究开发经验，拥有支由该领域知名专家教授及长期从事该项目研究高工组成研发队伍，这支队伍对该项目产品拥有绝对技术优势。该项目技术路线设计合理，关键技术水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高。
6、热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定，无法变动概述项目提出背景砷化镓单晶是种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。工艺是研究开发最早的单晶生长工艺，也是目前生产量最大的工艺，单晶年产量占全世界单晶年产量的年全球的单晶产量约。单晶生长设备及生长过程涉及到物理化学冶金学自动控经突破，其余技术完全能够实现，项目产品目前已通过权威部门检测和鉴定，鉴定结果为国际先进。项目目前已有部分产品销售国内外，用户中包括日本住友电工公司韩国公司等世界知名企业和中科镓英公司等国内用户，对该产品用户致反映良好。营销优势公司位于廊坊市经济技术开发区，拥有水平生产厂房，公。
7、备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中污染。污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。抑制污染机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中与石英反应分别表示液固气相。反应使进入，反应使部分与反应生成气相逸出，二者差值，造成中并入。高温区气相扩散到中温区发生如下反应反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。我们对多段炉设计，各段炉温单独控制及其协调配合控制也进行了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度是。
8、另个重要技术参数因为熔体结晶快慢与结晶潜热产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺杂剂分凝是以固液界面为界线，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度。
9、由现在增加到。。使单晶成品率由现在增加到。以进步提高产品性价比从而增强其竞争力。现有产业规模本产品年通过鉴定后开始进行小规模生产，年该产品销售收入达到万元，年产品销售收入达到万元，预计年销售收入可达到万元，净利润达到万元。项目产品主要用途性能本项目产品近年来大量用于红外波长和高亮度即高亮度红橙黄色，是目前生产量和需求量最大增长率最快化合物半导体器件之。主要技术与性能指标如下型掺晶片直径。型掺晶片直径。投资必要性本项目产品近年来大量用于红外和高亮度，市场前景非常广。但是目前国内还没有家进行该项目产品研发生产企业，国内企业对该产品需求主要依赖进口，而进口产品价格昂贵，造成生产成本提高。为缓解这种局面，本公司在原有产品基础上，组织研发人员进行了该产品研究开发工作，目前该产品技术已基本成熟，关键问题已经解决，产品于年月通过了中国有色金属工业协。
10、于其产品。产品技术性能水平与国内外同类产品比较单晶产品产品形式有单晶锭和单晶片两种，主要有型掺单晶和型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度等光电器件衬底，本项目单位国瑞公司生产这两种单晶各项技术指标与国际同类产品致，完全达到了国际同类产品先进水平，本产品与日本住友电工公司各项指标对比如下北京有研总院国瑞公司日本住友电工产品类型技术指标型掺晶片直径，产品类型技术指标型掺晶片直径，项目承担单位在实施本项目中优势研发能力强是本单位固有优动速度最低时小时爬行不大于。采用优质管支撑石英反应管使石英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径扩大不超过。石英舟预处理技术单晶生长是在密封于石英反应管中石英舟中进行，因此首先要解决是石英舟与熔体粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长。
11、脑中筑起了质量保证长城。公司质量控制管理体系严格按照施行，公司已于年通过该认证。公司按照建立现代企业制度要求，制定了整套完备管理制度，包括人事管理制度财务管理制度销售管理制度技术开发奖励制度等。实行物质奖励与精神奖励相结合，奖酬激励人才使用激励与企业文化激励相结合，短期激励与长期激励相结合综合激励方式。自公司成立以来，凭借自身雄厚实力和良好管理体制，在国内外用户中树立了良好形象。这为本项目顺利实施提供了制度上保障。第二章技术可行性分析项目技术路线工艺设备合理性和成熟性关键技术先进性项目技术路线多晶合成单晶生长晶体加工工艺流程为装管脱氧封管多晶合成约小时多晶清洁处理封管余掺杂剂放籽晶装入单晶炉单晶生长天熔料接籽晶走车生长单晶降温出炉晶体测试工艺及设备合理性和成熟性自行设计单晶生长系统本项目研发生产采用自行设计水平砷化镓单晶生长系统，该生。
12、即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度是另个重要技术参数因为熔体结晶快慢与结晶潜热产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数。固。
参考资料：
1、该文档不包含其他附件(如表格、图纸)，本站只保证下载后内容跟在线阅读一样，不确保内容完整性，请务必认真阅读。
2、有的文档阅读时显示本站（www.woc88.com）水印的，下载后是没有本站水印的（仅在线阅读显示），请放心下载。
3、除PDF格式下载后需转换成word才能编辑，其他下载后均可以随意编辑、修改、打印。
4、有的标题标有”最新”、多篇，实质内容并不相符，下载内容以在线阅读为准，请认真阅读全文再下载。
5、该文档为会员上传，下载所得收益全部归上传者所有，若您对文档版权有异议，可联系客服认领，既往收入全部归您。
（新增项目）国家火炬计划产业化项目可行性方案（项目计划书）