1、，所以目前纳米棒的制备般采用水热法。单晶纳米棒中的电畴较大，电偶极子取向致性高，而电偶极子与材料的热释电性能密切相关。将单晶纳米棒掺杂入纳米粉体厚膜中，有望通过改变厚膜主相的电偶极子取向提升材料的热释电性能。研究单晶纳米棒掺杂对厚膜的微观机构以及材料性能的影响，对于制备高性能热释电红外探测器具有重要意义。本文选题背景及意义灵巧弹药般是由常规非制导武器改装而成的，具备从背景环境中搜索，识别目标的能力，并最终能够完成瞄准攻击目标任务的弹药。由于灵巧弹药在执行攻击任务时具有高精度高可靠性高消费的“三高”特点，而受到各国重视。近年来，灵巧弹药作为未来战争中的攻击性武器成为各国传统攻击性武器变革换代的战略发展重心。精确制导是提高灵巧弹药精确打击军事目标而避免非攻击目标无谓破坏的核心技术。红外制导是灵。

2、挡层原子扩散进入厚膜后会改变厚膜的化学原子比甚至严重影响到厚膜的热释电性能。第二，扩散阻挡层材料热膨胀系数应介于基片和底电极之间，不能破坏底电极的耐高温性能。在本文采用耐高温的铂电极的热膨胀系数为，二氧化硅的热膨胀系数为。扩散阻挡层的热膨胀系数必须介于两者之间，才能有利于提高底电极的耐高温特性。第三，扩散阻挡层必须薄膜化。厚膜阻挡层会改变基片属性，增加实现硅基厚膜微型器件的工艺难度。综合考虑以上三点因素，氧化钛薄膜被确第章绪论定为厚膜的硅扩散阻挡层。采用厚膜工艺制备的厚膜生胚中，粗细颗粒相间的堆砌状态造成生胚中较多的孔洞。此外，厚膜生胚中的有机成分挥发后所造成的空位也会形成孔洞。厚膜生胚中孔洞越多，意味着烧结过程需排出的气孔越多，烧结难度也越大。因此，烧结后的厚膜孔隙率通常都比较大。提高厚。

3、具有重要意义的研究方向。对纳米厚膜的材料改性可以提高红外热释电材料性能。以往，纳米厚膜的材料改性大多为掺杂改性或烧结改性烧结制度，烧结时间，控制晶粒生长等。掺杂改性般为稀土掺杂或同性材料掺杂，如在纳米厚膜中中掺入，等，很少涉及同种材料掺杂。本文拟在纳米粉厚膜中添加单晶纳米棒来实现厚膜的材料改性，研究纳米棒掺杂对厚膜以及器件性能的影响。不同于纳米粉体和纳米薄膜，维纳米材料的径向尺寸为几百纳米以下，在长度方向上，尺寸可以达到微米级。根据径向尺寸的大小，维纳米材料也可以称之为纳米纤维，纳米线或纳米棒。纳米棒的制备般采用模板法或水热法。模板法制备的纳米棒为多晶结构，而水热法纳米棒为单晶结构。模板法制备工艺复杂，成本较高，而且制备的纳米棒为多晶结构。水热法由于设备简单，原料廉价，制备的纳米棒为单晶结。

4、膜性能产生负面影响。本文采用作为助烧剂，研究其对厚膜热释电性能的影响。第三，作为种陶瓷热释电材料，结构稳定，与其它的助烧剂如，等物质相比，它与材料的相似性，使它更适合于作为热释电材料的助烧剂。表常见的厚膜助烧剂及其烧结温度助烧剂温度实例助烧剂能够降低硅基厚膜的烧结温度，但在许多文献报道中，烧结厚膜过程中仍然存在硅扩散现象。因此，在厚膜和硅基间引入硅扩散阻挡层有望能够减少甚至阻止烧结过程中硅的扩散。等硅扩散阻挡层在以往的文献中已有报道。为了阻碍硅扩散进入厚膜，在衬底表面与底电极间增加层致密的薄膜。采用何种材料作为厚膜扩散阻挡层材料需要考虑以下因素第，应考虑扩散阻挡层材料与厚膜材料成分的兼容性。在较高的烧结温度下，阻挡层中的原子与衬底硅原子样，会穿透底电极层扩散进入厚膜。化学成分不兼容的扩散阻。

5、由晶体相玻璃相和气孔组成。晶体相是厚膜的主要组成部分，对厚膜的红外热释电材料性能起到主要的决定作用。玻璃相是低熔点的固相，在厚膜烧结中起到助熔粘接晶体抑制晶体相长大的功能。气孔是厚膜烧结后残留在厚膜内部的孔洞结构。孔洞结构方面降低了材料的致密度，影响材料的机械强度，电击穿强度和介电性能。另方面，热释电厚膜中的孔洞结构能够减小介电常数，热容，有利于提高单元或小阵列厚膜红外探测器的材料优值因子。目前，国内外对纳米陶瓷的研究大多集中在功能陶瓷块体材料，对纳米陶瓷厚膜的研究相对较少。具体到纳米厚膜，其研究主电子科技大学博士学位论文要针对纳米厚膜的烧结，改善厚膜的致密度，提高厚膜的压电性能等方面，对纳米厚膜的红外热释电性能及其红外探测器的研究力度较小。因此，研究纳米厚膜在红外热释电探测器方面的应用是。

6、巧弹药制导方式之，以其全天候作战优点而受到广泛重视。厚膜红外热释电探测器作为红外制导技术中红外探测器的种类之，材料的性能稳定，制备工艺成熟，在灵巧弹药方面具有很大的应用潜力。但是在红外器件制备过程中，厚膜图形化工艺和扩散引起的材料性能下降厚膜表面导线电连接时热损耗大以及设计良好热绝缘性的器件结构等都是亟需解决的问题。本文立足于制备出高性能的硅基厚膜红外探测器，主要工作如下第章绪论图形化厚膜的制备。利用电泳沉积能直接制备图形化厚膜的特点制备硅基厚膜。为了制备表面平整，重复性好的厚膜，通过优化实验得出稳定电泳悬浮液配比参数和电泳参数。厚膜器件设计。针对传统硅基厚膜结构中，厚膜表面与衬底表面高度严重不致，需要金属导线连接上电极与焊盘导致厚膜热容增大的缺点，设计款厚膜表面与基片表面高度致的器件，探。

7、生胚的致密度有利于提高烧结后厚膜的致密度。厚膜的孔隙率与材料的介电性能，如介电常数，介电损耗等密切相关。如何提高厚膜致密度对于提升材料的热释电性能有着重要的影响。提高厚膜致密度的途径通常包括溶胶渗透法，热压烧结，高温烧结等。溶胶渗透法预先配制好化学计量比定的溶胶，然后通过浸泡的办法将溶胶渗透入多孔厚膜生胚中，填充厚膜孔洞，从而提高厚膜致密度。溶胶渗透法的优点是方法简单，成本低，可操作性强。缺点是不能和电泳沉积方法兼容，会破坏已图形化的厚膜生胚图形。提高烧结温度，可以增强晶粒原子活性以及颗粒表面原子的迁移能力，促进颗粒间的烧结颈的形成，增强排出气孔的能力，从而提高厚膜致密度。但是这种方法与硅基厚膜的低温烧结是相悖的，高温下，厚膜中挥发以及硅扩散现象会更明显，对于稳定硅基厚膜的热释电材料性能是。

8、月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印缩印或扫描等复制手段保存汇编学位论文。保密的学位论文在解密后应遵守此规定作者签名导师签名日期年月日摘要摘要热释电厚膜材料的制备技术成熟工艺重复性好性能稳定成本低廉，兼具块材和薄膜的优点，是制备红外探测器的优选材料，是国内外研究的热点与重点。在此背景下，本文利用电泳沉积法制备了图形化的厚膜材料，并对低温烧结互扩散阻挡层和冷等静压技术三种材料性能提升方法进行了系统研究。发展了种新结构的厚膜红外探测器，并进行了器件微细加工工艺和高频响应特性测试等研究。最后，开。

9、严峻的考验。热压烧结是目前广泛认可的制备高致密度功能陶瓷材料的有效方法之。昂贵的热压设备严重制约了其在科研与生产中的应用。冷等静压技术最早于由美国西屋电灯公司发明，至今已广泛应用于陶瓷，冶金，食品加工等领域。冷等静压技术成型技术基于帕斯卡定律，将待压粉末置于常温液体溶液中，利用液体介质不可压缩性和均匀传递压力的特性从各个方向对试样等值加压，经过粉体颗粒迁移重堆积碎化排出气孔等步骤，达到形成致密胚体的目的。本文将探索冷等静压技术处理工艺对厚膜热释电材料性能的影响。随着材料技术的进展，纳米材料成为当下材料科学研究的个热点。纳米技术作为二十世纪三大技术之，具有战略性的重要研究价值。纳米材料由于高比表面积，表面效应，量子尺寸效应，具有许多新颖的物理和化学性质，在新材料方面有广泛的应用前景。纳米厚膜。

10、体电子学学号作者姓名彭强祥指导教师李言荣教授分类号密级注学位论文厚膜热释电材料及非制冷红外器件技术研究题名和副题名彭强祥作者姓名指导教师李言荣教授电子科技大学成都姓名职称单位名称申请学位级别博士学科专业微电子学与固体电子学提交论文日期论文答辩日期学位授予单位和日期电子科技大学年月日答辩委员会主席肖定全评阅人刘兴钊杨传仁王连卫周春根张彤注注明国际十进分类法的类号。独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名日期年。

11、了单晶纳米棒在红外探测器中的应用研究，获得了高探测率的多孔纳米棒纳米粉厚膜器件。首先，在水热法制备纳米粉的基础上，研究了电泳沉积法工艺参数，如悬浮液参数值分散剂含量和陈化时间和电泳参数电压电流和时间，对制备图形化厚膜质量的影响。研制出了能够满足电泳沉积应用要求的无水乙醇悬浮液含量为，聚乙烯吡咯烷酮含量为，值为。根据电泳过程中电流随电压时间的变化规律，建立了厚膜生长速度与时间的线性模型。在的最佳电泳电压下，厚膜最小线宽小于，表面粗糙度约为，能满足制备热释电红外探测器的应用要求。其次，对衬底上制备的厚膜材料，进行了助烧剂冷等静压和扩散阻挡层对降低烧结温度阻止互扩散和提高热释电性能等的影响研究。在厚膜中掺入固相合成法合成的助烧剂，再用冷等静压技术提高厚膜生胚的致密度，增强助烧剂与粉体的接触界面，。

12、采用工艺制备上电极金属薄膜连接焊盘，为厚膜红外探测器的批量生产提供实验指导。厚膜材料性能提升。研究助烧剂含量对厚膜的降烧作用以及材料性能的影响。通过对比厚膜中硅含量和厚膜衬底界面结构，研究阻挡层对底电极的影响，对烧结过程中硅扩散的阻挡行为以及热释电材料性能的影响。研究冷等静压技术对热释电厚膜生胚以及烧结后厚膜材料性能的影响。纳米厚膜研究。通过水热法制备单晶纳米棒。研究纳米棒在电泳沉积制备的厚膜材料中的分布形态以及对厚膜热释电材料性能和器件的影响。在此基础上，研究采用电泳沉积制备纳米棒粉厚膜的成膜机制。采用水热法制备单晶纳米棒，测试单晶纳米棒阵列的热释电材料系数，为开展阵列化的高性能纳米器件提供实验基础。电子科技大学博士学位论文论文题目厚膜热释电材料及非制冷红外器件技术研究学科专业微电子学与。

参考资料：

[1]故事：狐假虎威（优） 编号18060（第11页，发表于2022-06-24）

[2]故事：狐假虎威（优） 编号18060（第11页，发表于2022-06-24）

[3]故事：狐假虎威（优） 编号18060（第11页，发表于2022-06-24）

[4]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号198（第18页，发表于2022-06-24）

[5]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18036（第18页，发表于2022-06-24）

[6]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[7]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号17982（第18页，发表于2022-06-24）

[8]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[9]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[10]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[11]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[12]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[13]绘本故事：啊哈！幼儿园（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[14]绘本故事：抱抱（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[15]绘本故事：抱抱（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[16]绘本故事：抱抱（优） 编号16034（第18页，发表于2022-06-24）

[17]绘本故事：抱抱（优） 编号18042（第18页，发表于2022-06-24）

[18]绘本故事：抱抱（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[19]绘本故事：抱抱（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）

[20]绘本故事：抱抱（优） 编号18060（第18页，发表于2022-06-24）