中文5000字出处:RamezaniM,SalamaCAT.A0.8mBiCMOSGateDriverforIGBTPowerSwitch[J].AnalogIntegratedCircuits&SignalProcessing,2000,24(3):175-185(11).0.8m的半导体加入IGBT电源开关的门极驱动摘要:本文主要讨论了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的门极驱动的设计和整体的实现。
本文讨论的初衷是实现一个高压(25V)整体门极驱动和异常电路的保护电路在常见的低压(5V)高密度(0.8m)半导体工艺的处理。
&nbs电压失败,IGBT阳极电压检测须不受到性能转换影响。
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