1、生，由于避免了溶剂的使用，故该方法又被称为“干法成膜”。“干法成膜”的具体工艺过程如下在真空环境下，首先将合成薄膜的单体材料加热蒸发，使之气化，并沉积在基片表面，然后再通过热处理，形成聚合物薄膜。对于来说，热处理就是促使发生缩聚反应，并最终生成薄膜。由单体通过气相沉积聚合制备的聚合物膜层可以实现纳米级厚度的控制，并且，气相沉积聚合法的最基本的优势是没有溶剂的使用，消除了“湿法成膜”中必要和复杂的去除溶剂过程，反应单体在真空中沉积，然后生成的前驱体聚合，整个过程均是以固态形式发生的，这使得气相沉积法制备聚合物膜层成为种更具吸引力的方法。材料能够通过单体在真空中沉积制备，并且其优异的化学稳定性，高热稳定性，以及适当的光和介电特性，使其成为制备聚合物纳米复合材料母体材料的最好方案。

2、类似“场板”的效应以下简称“高介场板”。果显示该在生物医学成像领域具有良好应用潜力。最后，本论文还探索了复合薄膜作为高介电常数介质在微电子器件中的应用，以高电子迁移率晶体管为应用对象，采用高介电常数的复合薄膜对高电子迁移率晶体管进行钝化，研究结果显示复合薄膜的引入不仅提高了器件的输出特性，还显著提高了器件的耐压能力，与钝化的器件相比，采用钝化使器件击穿电压提高了，显著提高了器件耐压能力，体现出种类似“场板”的效应以下简称“高介场板”。由于复合薄膜与器件工艺兼容性好，器件工艺简单，因此，高介电常数薄膜将在功率器件研制中具有重要工程价值。关键词聚酰亚胺，聚酰亚胺铬复合薄膜，薄膜体声波谐振器，压电微超声换能器，高电子迁移率场效应晶体管,学领域。总之，随着微电子和封装技术的不断发展。

3、体工艺过程如下先通过二元酐与二元胺缩聚反应生成的聚酰胺酸，添加溶剂稀释后，制成聚酰胺酸溶液，成膜后经热处理去除溶剂并且聚合生成。根据成膜方法的差异，又可分为“蘸涂法”和“旋涂法”两种。“蘸涂法”是将衬底置于聚酰胺酸溶液中，使其浸渍上聚酰胺酸溶液“旋涂法”是将聚酰胺酸溶液滴到衬底上并置于甩胶机上，利用离心力的作用成膜。电子科技大学博士学位论文“湿法”制备薄膜具有方法简单投入设备便宜对单体材料的选择性要求不高所制备的分子量般都比较大等优点，但“湿法”成膜也存在很多显著缺点，如对溶剂要求苛刻去除溶剂后薄膜收缩比大薄膜表面形貌粗糙缺陷多难以制备较薄的薄膜溶液稳定性有待改进以及溶剂挥发易造成环境污染等。“干法成膜”针对“湿法成膜”的缺点，种基于真空技术的气相沉积聚合制备薄膜的方法应运。

4、,体管为应用对象，采用高介电常数的复合薄膜对高电子迁移率晶体管进行钝化，研究结果显示复合薄膜的引入不仅提高了器件的输出特性，还显著提高了器件的耐压能力，与钝化的器件相比，采用钝化使器件击穿电压提高了，显著提高了器件耐压能力，体现出种类似“场板”的效应以下简称“高介场板”。由于复合薄膜与器件工艺兼容性好，器件工艺简单，因此，高介电常数薄膜将在功率器件研制中具有重要工程价值。关键词聚酰亚胺，聚酰亚胺铬复合薄膜，薄膜体声波谐振器，压电微超声换能器，高电子迁移率场效应晶体管关键词聚酰亚胺，聚酰亚胺铬复合薄膜，薄膜体声波谐振器，压电微超声换能器，高电子迁移率场效应晶体管由于复合薄膜与器件工艺兼容性好，器件工艺简单器件相比，采用钝化使器件击穿电压提高了，显著提高了器件耐压能力，体现出种。

5、高长度不受限可连续化生产以及薄膜的各方面性能指标均不错等优势，所以，流延法成膜成为现在制备薄膜的主要技术，并在此技术基础上，又不断地进行工艺完善和发展，其中，最主要的发展当属上世纪年代出现的“流延双向拉伸生产工艺”，采用该工艺生产的薄膜在高温下具有优良的机械性能化学性能和绝缘性能。从上面的介绍可见商品化的薄膜是通常达几十微米的厚膜，难以满足微电子器件微机械器件等微小型器件的应用要求，为了将应用于微型电子器件，参照工业商品化薄膜的制备工艺，人们开发出了相应的与集成电路及工艺兼容的成膜工艺，主要成膜方法有以下两种“湿法成膜”该方法实际上是基于工业厚膜制备技术发展出来的，以聚酰胺酸溶液为基础进行成膜，再进行亚胺化处理，从而制备出所要求特征的薄膜，因此，该方法又被称为“湿法”。其具。

6、。总体来看，“干法成膜”具有薄膜缺陷少可制备纳米级厚度的超薄薄膜对环境和人类健康的危害小等优点。当然，它也具有单体材料的选择受限真空设备比较昂贵等缺点。由于“干法成膜”的优点明显，对于微电子器件器件等需求而言，这些不足是可以容忍的。高介电常数复合薄膜简介随着电路向多功能化电子器件向薄膜化和集成化方向发展，不仅对低介电常数介质材料提出了较大需要，也对高介电常数材料提出了强烈需求。鉴于的介电常数较低，因此，人们提出能否研制出介电常数较高的材料，这样，在进行电路和系统集成时就可使用同种材料，不仅可简化工艺过程，而且还可避免因使用不同材料而出现的各种复杂的界面问题，从而提高产品性能和成品率，为此，研制高介电常数的材料成为研究的另个重要方向。般来说，研制高介电常数聚合物材料的主要方法。

7、，对材料提出了新的要求，尤其需要性能优异的薄膜材料，这对材料加工提出了新的挑战和发展机遇，并促使不断发展。薄膜制备具有“黄金薄膜”之称的薄膜是材料最早开发和应用的产品之，其在军用民用等众多领域发挥了非常重要的作用。随着技术的发展和需求的推动，近年来，许多新型功能的薄膜产品被开发出来，其应用领域也不断拓展。目前，薄膜的生产厂商主要有杜邦通用电气杜邦东丽股份有限公司钟渊公司三菱塑料有限公司三井东压化学有限公司和宇部兴产有限公司等几家公司。整体而言，“铝箔法”和“流涎法”是目前制备薄膜的两种主要方法，下面简单介绍了这两种制备方法的特点。“铝箔法”制备简介该方法又被称为“浸渍法”，是上世纪年代初主要采用的技术方法。其工第章绪论艺过程分为四步第步通过胶槽，在约厚的铝箔底材上浸渍聚酰胺。

8、大插入损耗低的优点，但其体积般较大，难以满足现代电子技术的集成化微小型化发展需要。滤波器和滤波器都是以压电材料为基础，滤波器是在压电材料表面制作输入和输出叉指换能器，简写为，利用压电材料的逆压电效应，当输入端施加交变电压时，电能转换成声能，激励起的声波沿着压电体表面传播，然后，声能在输出端利用压电效应转换成电能输出。滤波器的谐振频率由叉指换能器的结构参数直接决定，由于声波传播速度比电磁波传播速度慢得多，相同频率的电磁波波长要比声波小个数量级，因此，电子科技大学博士学位论文论文题目气相沉积聚合聚酰亚胺薄膜及其在电子器件中的应用研究学科专业材料科学与工程学号作者姓名褚夫同指导教师刘兴钊分类号密级注学位论文气相沉积聚合聚酰亚胺薄膜及其在电子器件中的应用研究题名和副题名褚夫同作者姓。

9、溶液第二步将浸渍聚酰胺酸溶液的铝箔放入上胶机的烘箱烘焙干燥形成聚酰胺酸薄膜第三步进入高温烘焙炉完成脱水亚胺化反应生成第四步将薄膜从铝箔底材上剥离切边收卷。通常，铝箔每通过次胶槽，即可制备出厚的薄膜，如果要生产厚的薄膜，则需要通过胶槽次，因此，该法生产效率低，另外，薄膜表面平整度不高，再加之由于薄膜长度受限，厚度均勺性机械性能和电性能也都不太好，难以满足较高的电器绝缘特性要求，只能用于要求不高的电工绝缘领域。“流延法”制备简介鉴于“浸渍法”的缺点，上世纪年代，人们就开始开发流涎工艺制备薄膜，其工艺方法如下第步聚酰胺酸溶液通过流延机由型模具涂布在连续不锈钢带上，得到聚酰胺酸膜第二步经热亚胺化脱除溶剂即可得到薄膜。由于流延法成膜所用的设备精度高而且所生产的薄膜具有均匀性好表平整度。

10、电子器件中的应用价值分析在前面有关性质制备及其应用简介基础上，本节将重点针对气相沉积聚合薄膜在电子器件中的应用价值进行分析，根据气相沉积薄膜的特点，本节将主要分析气相沉积薄膜在微小型电子器件中的应用可行性及其价值，为此，本节选择了薄膜体声波谐振器压电微机械超声换能器高电子迁移率场效应晶体管等三种典型微小型电子器件，分析气相沉积薄膜的应用可行性和价值，从而，为本论文的选题提供依据和参考。气相沉积在薄膜体声波谐振器中的应用分析现有射频滤波器技术方案主要有三种类型介质滤波器声表面波，简写为滤波器以及薄膜体声波，简写为滤波器，表给出了典型射频滤波器技术方案的性能参数比较。从表中可以看出它们各有优缺点，其中，介质滤波器是表声波滤波器是目前最成熟应用最广的类，虽然介质滤波器具有功率容量。

11、名指导教师刘兴钊教授电子科技大学成都姓名职称单位名称申请学位级别博士学科专业材料科学与工程提交论文日期论文答辩日期学位授予单位和日期电子科技大学年月日答辩委员会主席肖定全评阅人张波石玉马欣新翟继卫王兆宏注注明国际十进分类法的类号。独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名日期年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的。

12、是在聚合物结构中引入等极性基团，最典型的例子当属聚偏氟乙烯及其共聚物，由第章绪论于其分子链上键所产生的强烈偶极距以及些晶型的偶极定向作用，由偏氟乙烯三氟乙烯氯代三氟乙烯组成的三元系共聚物聚其介电常数在室温下高达，比普通聚合物介电常数高倍以上，但这类材料也存在温度稳定性普遍较差，在很大程度上限制了其应用。基高介电常数复合材料研制的主要方法是采用高介电常数介电材料与进行复合，目前，使用最多的高介电常数材料为钛酸钡钛酸铅锆钛酸铅,镁铌酸铅钛酸铅等陶瓷材料，通过高介电常数陶瓷粉体与进行共混，形成复合材料。也有少量采用金属粉体与进行复合的报道，但由于超细金属粉体容易团聚，很难实现金属粉体在中的均匀分散，从而在很大程度上降低了其电学性能，并限制了其在微小型电子器件中的应用。气相沉积聚合。

参考资料：

[1]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号37（第21页，发表于2022-06-25）

[2]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号48（第21页，发表于2022-06-25）

[3]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号42（第21页，发表于2022-06-25）

[4]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号33（第21页，发表于2022-06-25）

[5]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号27（第21页，发表于2022-06-25）

[6]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号35（第21页，发表于2022-06-25）

[7]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号39（第21页，发表于2022-06-25）

[8]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号41（第21页，发表于2022-06-25）

[9]第二章2.2函数的表示法（2）PPT课件 编号36（第21页，发表于2022-06-25）

[10]第三节探索宇宙PPT课件 编号44（第26页，发表于2022-06-25）

[11]第三节探索宇宙PPT课件 编号39（第26页，发表于2022-06-25）

[12]第三节探索宇宙PPT课件 编号29（第26页，发表于2022-06-25）

[13]第三节探索宇宙PPT课件 编号33（第26页，发表于2022-06-25）

[14]第三节探索宇宙PPT课件 编号32（第26页，发表于2022-06-25）

[15]第三节探索宇宙PPT课件 编号30（第26页，发表于2022-06-25）

[16]第三节探索宇宙PPT课件 编号24（第26页，发表于2022-06-25）

[17]第三节探索宇宙PPT课件 编号36（第26页，发表于2022-06-25）

[18]第三节探索宇宙PPT课件 编号28（第26页，发表于2022-06-25）

[19]第三节探索宇宙PPT课件 编号42（第26页，发表于2022-06-25）

[20]第一节原电池PPT课件 编号34（第26页，发表于2022-06-25）