1、。研究不完整晶体时，也常使用标准电子通道花样法。电子通道花样的衬度随着晶体不完整程度的增加而下降，电子通道带变宽，甚至消失，有时还会出现通道带发生畸变或弯曲。因为晶体的不完整性可以用点缺陷的密度和位错密度来量度，所以，通过对电子通道花样的衬度效应和几何形态进行综合分析就可以研究塑性变形回复和在结晶辐照损伤相变和断裂以及表面位错密度等。电子背散射花样入射电子束在晶体试样内点激发的散射电。
2、形貌上类似于透射电子显微镜的菊池花样，尤其像反射菊池花样。两者的来源机制不同前者是种衬度效应，后者是由衍射产生。并且这种花样不随试样的水平移动而改变，而是随试样的倾转而倾转。基本原理电子通道花样是种同晶体结构和晶体取向有关的衬度效应。根据电子衍射动力学理论，如果电子束以靠近布拉格位置进入晶体，则其在晶体中的运动可用两支布洛赫波进行描述。其中支波沿反射面之间的路径传播，没有遭到大角度散。
3、原点和晶带轴的极点重合如果晶带轴不平行于光轴，近似认为电子通道带的中心线通过晶带轴的极点。确定等效投影距离。式中，为通道带的带宽为相应反射指数为的衍射角。测量电子通道带间角度。利用上式即可计算相应晶面夹角关系，式中为投影轴与晶带轴所成夹角。图测量角度的方法示意图图对电子通道花样进行测量的几何参数其中为投影轴与成像平面的交点为两通道带轴线的交点为点到点的距离。
4、与面相对应的强度极大和极小。图电子通道花样形成示意图因为在晶体中包含不同指数的晶面，而这些晶面具有不同的布拉格角，因此，入射束做面扫描时，将在不同扫描点上产生与各自晶面相对应的的区域，结果在荧光屏上出现系列属于各自晶面的电子通道带，即电子通道花样。电子通道花样的特点电子通道花样出现的条件晶体比较完整，电子束的扫描范围大于布拉格角。电子通道花样衬度远比般扫描电子像的衬度弱，利用背散射电。
5、平行于光轴，则投影原点和晶带轴的极点重合如果晶带轴不平行于光轴，近似认为电子通道带的中心线通过晶带轴的极点。确定等效投影距离。式中，为通道带的带宽,就是被分析晶体表面的晶体学方向。对于多晶试样，可以采用逐个晶粒取向的测定得出试样的织构需要选择有代表性的区域并测试足够数量的晶粒。点阵常数的测定把待测试样放在试样台上，再在其旁边放置合适的标准试样，然后依次记录下两个试样的电子通道花样。通。
6、另只波沿着反射面传播，所以受到大角度散射。当入射电子束严格满足布拉格条件时，两支波的振幅相等。当入射角大于布拉格角时，位于反射面之间的波占优势，因而进入晶体内部电子多，背散射电子少。当入射角小于布拉格角时，位于反射面上的波占优势，电子容易被反射，因而背散射电子数目多。所以，当入射电子束相对于晶面以布拉格角为中心连续地改变其扫描角度时，与入射束扫描角同步的背反射电子就会在荧光屏上显示出。
7、波能再次相干散射，即菊池衍射。则是记录其在反射方向的衍射，得到也是菊池花样。图花样示意图晶带轴晶带轴晶带轴图电子背散射花样的观察系统和记录系统的几何配置方法示意图低出纳角位置高出纳角位置背反射电子荧光屏试样荧光屏位置相对于电子束在试样上照射位置的坐标图对电子背散射花样进行晶体学注释的结果例题如上所述，背散射花样中可以观察到较大的散射角范围，其中包括有，和等三个晶带所属晶面的衬度带如图。
8、所示解根据花样分布的对称性质，可以确定晶带轴极点为根据四次对称性质为根据二次对称性质为根据三次对称性质。与此相应，过和极点的衬度带所属晶面指数正比于和的矢量积，即取同理，过和极点的衬度带所属晶面指数因衬度带的宽度与相同，故取过和极点的衬度带所属晶面指数因衬度带的宽度为的倍，故取。对于其余衬度带，可根据两相交衬度带的夹角及其宽度比值，就可以依次确定其晶面指数。主要用于确定单晶取向分析多。
9、度弱，利用背散射电子信息成像，可获得较强的衬度效应。随着被分析晶体污染程度的增加和晶体完整性的降低，花样会变得模糊不清，甚至消失。花样的测量和计算对于电子通道花样的几何测量确定投射原点的位置这是进行切几何测量的基本参考点。用实验方法确定，采取把扫描线圈的帧扫描和行扫描电源分别依次中断的办法，在荧光屏上依次获得条水平扫描线和垂直扫描线，其交点即为投射原点。确定晶带轴极点的位置如果晶带轴。
10、过对花样的分析，分别求出待测试样和标准试样的面间距和衍射角。由于两个试样的实验条件相同，所以由于标准试样的是已知的，因此可以推算出，同理，还可以推算试样中的。由此即可确定待测试样的点阵常数。如果试样基体的点阵常数为已知，析出相的点阵常数是未知的话，分别以基体和析出相做标准试样和待测试样，即可确定析出相的点阵常数。用该方法还可以定出析出相的惯习面，以及它与基体之间的取向关系。
11、子信息成像，可获得较强的衬度效应。随着被分析晶体污染程度的增加和晶体完整性的降低，花样会变得模糊不清，甚至消失。花样的测量和计算对于电子通道花样的几何测量确定投射原点的位置这是进行切几何测量的基本参考点。用实验方法确定，采取把扫描线圈的帧扫描和行扫描电源分别依次中断的办法，在荧光屏上依次获得条水平扫描线和垂直扫描线，其交点即为投射原点。确定晶带轴极点的位置如果晶带轴平行于光轴，则投影。
12、晶体织构和晶界类型。图是纳米梯度粗晶样品拉伸断裂后纵截面观察是图中位置处真应变的扫描电镜照片。与分别是图中位置真应变和处真应变的图像。显示的是纳米晶粒经不同拉伸应变后发生的晶粒长大。第四节取向测定利用扫描电子显微镜进行晶体学分析的方法主要有电子通道花样分析技术电子背散射花样分析技术反射电子衍射技术射线科塞尔花样分析技术电子通道花样电子通道花样分析技术是借助于通道花样实现的。这种花样在。
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第十章 扫描电子显微镜分析第二部分-精品PPT课件